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1. 发明专利

TW201630819A 從廢砷化鎵晶片中回收鎵之方法审中-公开
简体标题：从废砷化镓芯片中回收镓之方法
公开(公告)号：TW201630819A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW104105197
申请日：2015-02-16
申请人：國立成功大學
发明人：李清華 , 陳俊臣 , 黃浩軒 , 陳偉聖 , 張祖恩
IPC分类号： C02F1/58 , C02F1/52 , C02F11/00
摘要：本發明係在提供一種從廢砷化鎵晶片中回收鎵之方法，其係包含有下列步驟：將廢砷化鎵晶片加入第一浸漬劑，於第一預定溫度下浸漬第一預定時間後，並過濾此浸漬液，以得到第一含砷、鎵濾液；以第一沉澱劑沉澱此第一含砷、鎵濾液後，並過濾此沉澱後之含砷、鎵沉澱固體，以獲得不含砷之鎵濾液；再將此不含砷之鎵濾液，於第二預定溫度下晶析此不含砷之鎵濾液，以獲得不含砷之鎵晶析產品；藉此，可由廢砷化鎵晶片中將鎵金屬回收純化，進而達到有價鎵金屬資源回收再利用之目的。
简体摘要：本发明系在提供一种从废砷化镓芯片中回收镓之方法，其系包含有下列步骤：将废砷化镓芯片加入第一浸渍剂，于第一预定温度下浸渍第一预定时间后，并过滤此浸渍液，以得到第一含砷、镓滤液；以第一沉淀剂沉淀此第一含砷、镓滤液后，并过滤此沉淀后之含砷、镓沉淀固体，以获得不含砷之镓滤液；再将此不含砷之镓滤液，于第二预定温度下晶析此不含砷之镓滤液，以获得不含砷之镓晶析产品；借此，可由废砷化镓芯片中将镓金属回收纯化，进而达到有价镓金属资源回收再利用之目的。

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