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    • 3. 发明专利
    • 用於毫米波頻段之多層交錯式電容陣列
    • 用于毫米波频段之多层交错式电容数组
    • TW202027107A
    • 2020-07-16
    • TW107144060
    • 2018-12-28
    • 國家中山科學研究院NATIONAL CHUNG-SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
    • 彭紹瑋PENG, SHAO WEI周泓廷CHOU, HUNG TING余建德YU, CHIEN TE
    • H01G4/30H01L29/92
    • 一種用於毫米波頻段之多層交錯式電容陣列,其中包括:複數電容單元,該每一個電容單元具有複數奇數金屬層與複數偶數金屬層;一開孔,該開孔貫穿該每一個奇數金屬層與該每一個偶數金屬層,該每一個奇數金屬層與該每一偶數金屬層之間相互交錯堆疊;一第一電連接柱,該第一電連接柱設置於該開孔中;一第二電連接柱,該第二電連接柱設置於該開孔中;複數第一連接部,該每一個第一連接部耦接該每一個奇數金屬層與該第一電連接柱;以及複數第二連接部,該每一個第二連接部耦接該每一個偶數金屬層與該第二電連接柱。
    • 一种用于毫米波频段之多层交错式电容数组,其中包括:复数电容单元,该每一个电容单元具有复数奇数金属层与复数偶数金属层;一开孔,该开孔贯穿该每一个奇数金属层与该每一个偶数金属层,该每一个奇数金属层与该每一偶数金属层之间相互交错堆栈;一第一电连接柱,该第一电连接柱设置于该开孔中;一第二电连接柱,该第二电连接柱设置于该开孔中;复数第一连接部,该每一个第一连接部耦接该每一个奇数金属层与该第一电连接柱;以及复数第二连接部,该每一个第二连接部耦接该每一个偶数金属层与该第二电连接柱。