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1. 发明专利

TW201701468A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201701468A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW104119679
申请日：2015-06-18
申请人：台達電子工業股份有限公司 , DELTA ELECTRONICS, INC.
发明人：廖文甲 , LIAO, WENCHIA
IPC分类号： H01L29/41 , H01L29/778
CPC分类号： H01L29/78 , H01L29/0619 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/404 , H01L29/7786
摘要：一種半導體裝置包含基板、主動層、源極、汲極、閘極、第一金屬層與第二金屬層。主動層置於基板上。源極與汲極分別電性連接主動層。閘極置於主動層上並置於源極與汲極之間。閘極具有第一延伸部，往汲極延伸。第一金屬層部分置於閘極之第一延伸部與主動層之間，並往汲極延伸，使得另一部分之第一金屬層突出於第一延伸部。第一金屬層與源極電性連接。第二金屬層置於閘極之第一延伸部上方，並往汲極延伸，使得另一部分之第二金屬層突出於第一延伸部。第二金屬層與源極電性連接。
简体摘要：一种半导体设备包含基板、主动层、源极、汲极、闸极、第一金属层与第二金属层。主动层置于基板上。源极与汲极分别电性连接主动层。闸极置于主动层上并置于源极与汲极之间。闸极具有第一延伸部，往汲极延伸。第一金属层部分置于闸极之第一延伸部与主动层之间，并往汲极延伸，使得另一部分之第一金属层突出于第一延伸部。第一金属层与源极电性连接。第二金属层置于闸极之第一延伸部上方，并往汲极延伸，使得另一部分之第二金属层突出于第一延伸部。第二金属层与源极电性连接。

2. 发明专利

TWI653742B 半導體裝置與其之製造方法有权
简体标题：半导体设备与其之制造方法
公开(公告)号：TWI653742B
公开(公告)日：2019-03-11
申请号：TW104116739
申请日：2015-05-26
申请人：台達電子工業股份有限公司 , DELTA ELECTRONICS, INC.
发明人：廖文甲 , LIAO, WENCHIA
IPC分类号： H01L27/105 , H01L29/772

4. 发明专利

TWI548087B 半導體裝置與其之製造方法有权
简体标题：半导体设备与其之制造方法
公开(公告)号：TWI548087B
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW104117332
申请日：2015-05-29
申请人：台達電子工業股份有限公司 , DELTA ELECTRONICS, INC.
发明人：廖文甲 , LIAO, WENCHIA
IPC分类号： H01L29/20 , H01L29/66 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/402 , H01L23/291 , H01L23/3171 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/404 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

5. 发明专利

TW201533906A 半導體裝置與應用其之半導體裝置封裝體审中-公开
简体标题：半导体设备与应用其之半导体设备封装体
公开(公告)号：TW201533906A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103106659
申请日：2014-02-27
申请人：台達電子工業股份有限公司 , DELTA ELECTRONICS, INC.
发明人：林立凡 , LIN, LIFAN , 楊竣傑 , YANG, CHUNCHIEH , 廖文甲 , LIAO, WENCHIA , 薛清全 , SHIUE, CHINGCHUAN , 陳世鵬 , CHEN, SHIHPENG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L23/52
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L23/3171 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L23/535 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/402 , H01L29/41758 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/7786 , H01L2224/04042 , H01L2224/05093 , H01L2224/0603 , H01L2224/45014 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49111 , H01L2924/1033 , H01L2924/10344 , H01L2924/13064 , H01L2924/00
摘要：一種半導體裝置包含主動層、源極、汲極、閘極、間介電層、源極中間層、至少一源極間插塞、汲極中間層、至少一汲極間插塞、閘極中間層與至少一閘極間插塞。主動層之材質為三五族半導體。源極與汲極皆位於主動層上。閘極位於主動層上，並介於源極與汲極之間。間介電層覆蓋源極、汲極與閘極。源極中間層、汲極中間層與閘極中間層皆位於間介電層上。源極間插塞電性連接源極與源極中間層。汲極間插塞電性連接汲極與汲極中間層。閘極間插塞電性連接閘極與閘極中間層。一種應用半導體裝置之半導體裝置封裝體亦在此揭露。
简体摘要：一种半导体设备包含主动层、源极、汲极、闸极、间介电层、源极中间层、至少一源极间插塞、汲极中间层、至少一汲极间插塞、闸极中间层与至少一闸极间插塞。主动层之材质为三五族半导体。源极与汲极皆位于主动层上。闸极位于主动层上，并介于源极与汲极之间。间介电层覆盖源极、汲极与闸极。源极中间层、汲极中间层与闸极中间层皆位于间介电层上。源极间插塞电性连接源极与源极中间层。汲极间插塞电性连接汲极与汲极中间层。闸极间插塞电性连接闸极与闸极中间层。一种应用半导体设备之半导体设备封装体亦在此揭露。

6. 发明专利

TW201526241A 電源半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：电源半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201526241A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103126342
申请日：2014-08-01
申请人：台達電子工業股份有限公司 , DELTA ELECTRONICS INC.
发明人：林立凡 , LIN, LI FAN , 廖文甲 , LIAO, WEN CHIA
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7816 , H01L23/5283 , H01L23/53295 , H01L29/2003 , H01L29/41758 , H01L29/66681 , H01L29/7786 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種電源半導體裝置及其製造方法。上述電源半導體裝置包括一基板；一主動層，設置於上述基板上；一閘極，設置於上述主動層上；一第一電極和一第二電極，設置於上述主動層上，且位於上述閘極的二個相對側；一第一金屬圖案，耦接至上述第一電極；一第二金屬圖案，耦接至上述第二電極；一第一絕緣層，設置於上述第一金屬圖案和上述第二金屬圖案上；一第三金屬圖案，覆蓋上述第一絕緣層，耦接至上述第二金屬圖案，其中上述第三金屬圖案和上述第一絕緣層之間的一界面為一實質平坦表面。
简体摘要：本发明提供一种电源半导体设备及其制造方法。上述电源半导体设备包括一基板；一主动层，设置于上述基板上；一闸极，设置于上述主动层上；一第一电极和一第二电极，设置于上述主动层上，且位于上述闸极的二个相对侧；一第一金属图案，耦接至上述第一电极；一第二金属图案，耦接至上述第二电极；一第一绝缘层，设置于上述第一金属图案和上述第二金属图案上；一第三金属图案，覆盖上述第一绝缘层，耦接至上述第二金属图案，其中上述第三金属图案和上述第一绝缘层之间的一界面为一实质平坦表面。

7. 发明专利

TW201431128A 發光元件及其製作方法审中-公开
简体标题：发光组件及其制作方法
公开(公告)号：TW201431128A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102103261
申请日：2013-01-29
申请人：台達電子工業股份有限公司 , DELTA ELECTRONICS, INC.
发明人：林立凡 , LIN, LI FAN , 薛清全 , SHIUE, CHING CHUAN , 廖文甲 , LIAO, WEN CHIA , 陳世鵬 , CHEN, SHIH PENG
IPC分类号： H01L33/48
CPC分类号： H01L33/64 , H01L25/0753 , H01L33/486 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2933/0033 , H01L2924/00014
摘要：一種發光元件，包含二導電層、一可撓性絕緣層、一發光晶粒及一封裝體，該等導電層間具有一開槽；該可撓性絕緣層設置於該開槽中並與該等導電層結合，該發光晶粒置於該二導電層之其中之一導電層上或跨設於該可撓性絕緣層之上，該發光晶粒電連接於該等導電層並由該封裝體所包覆。
简体摘要：一种发光组件，包含二导电层、一可挠性绝缘层、一发光晶粒及一封装体，该等导电层间具有一开槽；该可挠性绝缘层设置于该开槽中并与该等导电层结合，该发光晶粒置于该二导电层之其中之一导电层上或跨设于该可挠性绝缘层之上，该发光晶粒电连接于该等导电层并由该封装体所包覆。

8. 发明专利

TWI617027B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI617027B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW104121600
申请日：2015-07-03
申请人：台達電子工業股份有限公司 , DELTA ELECTRONICS, INC.
发明人：廖文甲 , LIAO, WENCHIA
IPC分类号： H01L29/778
CPC分类号： H01L29/402 , H01L27/0733 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/66181 , H01L29/7786

9. 发明专利

TWI567988B 半導體裝置封裝體有权
简体标题：半导体设备封装体
公开(公告)号：TWI567988B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW103114340
申请日：2014-04-21
申请人：台達電子工業股份有限公司 , DELTA ELECTRONICS, INC.
发明人：林立凡 , LIN, LIFAN , 廖文甲 , LIAO, WENCHIA
IPC分类号： H01L29/78 , H01L23/52

10. 发明专利

TW201703260A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201703260A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW104121600
申请日：2015-07-03
申请人：台達電子工業股份有限公司 , DELTA ELECTRONICS, INC.
发明人：廖文甲 , LIAO, WENCHIA
IPC分类号： H01L29/778
CPC分类号： H01L29/402 , H01L27/0733 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/66181 , H01L29/7786
摘要：一種半導體裝置包含基板、主動層、源極、汲極、閘極、場板、第一保護層與金屬層。主動層置於基板上。源極與汲極分別電性連接主動層。閘極置於源極與汲極之間，並置於主動層上方。場板置於主動層上方，且置於閘極與汲極之間。第一保護層覆蓋閘極與場板。金屬層置於第一保護層上，置於閘極與場板上方，且電性連接源極。
简体摘要：一种半导体设备包含基板、主动层、源极、汲极、闸极、场板、第一保护层与金属层。主动层置于基板上。源极与汲极分别电性连接主动层。闸极置于源极与汲极之间，并置于主动层上方。场板置于主动层上方，且置于闸极与汲极之间。第一保护层覆盖闸极与场板。金属层置于第一保护层上，置于闸极与场板上方，且电性连接源极。

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