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1. 发明专利

TW201818514A 封裝結構及其形成方法审中-公开
简体标题：封装结构及其形成方法
公开(公告)号：TW201818514A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW106135902
申请日：2017-10-19
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：施應慶 , SHIH, YING CHING , 吳集錫 , WU, CHI-HSI , 余振華 , YU, CHEN-HUA , 吳志偉 , WU, CHIH-WEI , 林俊成 , LIN, JING-CHENG , 王卜 , WANG, PU , 盧思維 , LU, SZU WEI
IPC分类号： H01L23/28 , H01L23/522
摘要：一實施例係一種方法，其包含：使用第一電連接器將一第一晶粒接合至一中介層之一第一側；使用第二電連接器將一第二晶粒接合至該中介層之該第一側；使一第一虛設晶粒相鄰於該第二晶粒附著至該中介層之該第一側；使用一囊封劑囊封該第一晶粒、該第二晶粒及該第一虛設晶粒；及單粒化該中介層及該第一虛設晶粒以形成一封裝結構。
简体摘要：一实施例系一种方法，其包含：使用第一电连接器将一第一晶粒接合至一中介层之一第一侧；使用第二电连接器将一第二晶粒接合至该中介层之该第一侧；使一第一虚设晶粒相邻于该第二晶粒附着至该中介层之该第一侧；使用一囊封剂囊封该第一晶粒、该第二晶粒及该第一虚设晶粒；及单粒化该中介层及该第一虚设晶粒以形成一封装结构。

2. 发明专利

TWI669764B 半導體元件及其形成方法有权
简体标题：半导体组件及其形成方法
公开(公告)号：TWI669764B
公开(公告)日：2019-08-21
申请号：TW107126394
申请日：2018-07-30
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：吳志偉 , WU, CHIH-WEI , 林俊成 , LIN, JING-CHENG , 李隆華 , LEE, LONG-HUA , 盧思維 , LU, SZU-WEI , 施應慶 , SHIH, YING-CHING
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/485

3. 发明专利

TW202018899A 封裝體及其形成方法审中-公开
简体标题：封装体及其形成方法
公开(公告)号：TW202018899A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108102516
申请日：2019-01-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：余振華 , YU, CHEN-HUA , 吳志偉 , WU, CHIH-WEI , 盧思維 , LU, SZU-WEI , 施應慶 , SHIH, YING-CHING
IPC分类号： H01L23/538 , H01L23/31
摘要：一種積體電路封裝體及其形成方法。一種方法包括：將多個積體電路晶粒堆疊於晶圓上以形成晶粒堆疊。對所述晶粒堆疊執行接合製程。所述接合製程將所述晶粒堆疊的多個相鄰的積體電路晶粒機械性及電性連接至彼此。在所述晶圓之上形成擋壩結構。所述擋壩結構環繞所述晶粒堆疊。在所述晶圓之上且在所述晶粒堆疊與所述擋壩結構之間形成第一包封體。所述第一包封體填充所述晶粒堆疊的所述多個相鄰的積體電路晶粒之間的多個間隙。在所述晶圓之上形成第二包封體。所述第二包封體環繞所述晶粒堆疊、所述第一包封體及所述擋壩結構。
简体摘要：一种集成电路封装体及其形成方法。一种方法包括：将多个集成电路晶粒堆栈于晶圆上以形成晶粒堆栈。对所述晶粒堆栈运行接合制程。所述接合制程将所述晶粒堆栈的多个相邻的集成电路晶粒机械性及电性连接至彼此。在所述晶圆之上形成挡坝结构。所述挡坝结构环绕所述晶粒堆栈。在所述晶圆之上且在所述晶粒堆栈与所述挡坝结构之间形成第一包封体。所述第一包封体填充所述晶粒堆栈的所述多个相邻的集成电路晶粒之间的多个间隙。在所述晶圆之上形成第二包封体。所述第二包封体环绕所述晶粒堆栈、所述第一包封体及所述挡坝结构。

4. 发明专利

TWI697090B 封裝體及其形成方法有权
简体标题：封装体及其形成方法
公开(公告)号：TWI697090B
公开(公告)日：2020-06-21
申请号：TW108102516
申请日：2019-01-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：余振華 , YU, CHEN-HUA , 吳志偉 , WU, CHIH-WEI , 盧思維 , LU, SZU-WEI , 施應慶 , SHIH, YING-CHING
IPC分类号： H01L23/538 , H01L23/31

5. 发明专利

TWI688074B 半導體元件及其製造方法有权
简体标题：半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI688074B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW107125992
申请日：2018-07-27
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：鄒賢儒 , TSOU, HSIEN-JU , 吳志偉 , WU, CHIH-WEI , 林俊成 , LIN, JING-CHENG , 王卜 , WANG, PU , 盧思維 , LU, SZU-WEI , 施應慶 , SHIH, YING-CHING
IPC分类号： H01L23/538 , H01L23/31

6. 发明专利

TWI673804B 封裝結構及其製造方法有权
简体标题：封装结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI673804B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW106135864
申请日：2017-10-19
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：鄒賢儒 , TSOU, HSIEN-JU , 吳志偉 , WU, CHIH-WEI , 林俊成 , LIN, JING-CHENG , 王卜 , WANG, PU , 盧思維 , LU, SZU-WEI , 施應慶 , SHIH, YING-CHING
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/48 , H01L23/29 , H01L23/28

7. 发明专利

TW201911487A 半導體封裝审中-公开
简体标题：半导体封装
公开(公告)号：TW201911487A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW106130434
申请日：2017-09-06
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：吳志偉 , WU, CHIH-WEI , 林俊成 , LIN, JING-CHENG , 盧思維 , LU, SZU-WEI , 施應慶 , SHIH, YING-CHING
IPC分类号： H01L23/10 , H01L23/50
摘要：一種半導體封裝及一種半導體封裝的製造方法。所述半導體封裝具有至少一個晶粒、多個導電球、及模製化合物。所述至少一個晶粒及所述多個導電球被模製在所述模製化合物中。所述多個導電球中的每一個具有為平面的端部及與為平面的端部相對的不為平面的端部。每一個所述多個導電球中為平面的端部的表面與所述模製化合物的表面及所述至少一個晶粒的表面實質上共面及齊平，且每一個所述多個導電球中不為平面的端部從所述模製化合物突出。
简体摘要：一种半导体封装及一种半导体封装的制造方法。所述半导体封装具有至少一个晶粒、多个导电球、及模制化合物。所述至少一个晶粒及所述多个导电球被模制在所述模制化合物中。所述多个导电球中的每一个具有为平面的端部及与为平面的端部相对的不为平面的端部。每一个所述多个导电球中为平面的端部的表面与所述模制化合物的表面及所述至少一个晶粒的表面实质上共面及齐平，且每一个所述多个导电球中不为平面的端部从所述模制化合物突出。

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