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1. 发明专利

TW201742374A 雙頻帶通濾波器及使用方法审中-公开
简体标题：双频带通滤波器及使用方法
公开(公告)号：TW201742374A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105140124
申请日：2016-12-05
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：蔡銘憲 , TSAI, MING HSIEN , 薛福隆 , HSUEH, FU-LUNG , 劉莎莉 , LIU, SA-LLY , 吳宗霖 , WU, TZONG-LIN , 黃揚智 , HUANG, YANG-CHIH , 林晉毅 , LIN, CHIN-YI
IPC分类号： H03H7/01
CPC分类号： H03H7/0115 , H03H7/0161 , H03H7/175 , H03H7/1758 , H03H7/1775 , H03H2250/00
摘要：一種濾波器包含耦合於一參考節點與一輸入埠、一輸出埠、一第一節點及一第二節點之各者之間的分流電路。共振網路耦合於該輸入埠與該第二節點之間，且耦合於該第一節點與該輸出埠之間。儲存元件電路耦合於該輸入埠與該第一節點之間，且耦合於該第二節點與該輸出埠之間。該等分流電路具有部分地定義該濾波器之一高通帶頻率之一等效分流電路頻率回應，該等共振網路具有部分地定義該濾波器之一低通帶頻率之一等效共振網路頻率回應，且該等儲存元件電路具有定義介於該低通帶頻率與該高通帶頻率之間之該濾波器之一止頻帶頻率的一等效儲存元件電路頻率回應。
简体摘要：一种滤波器包含耦合于一参考节点与一输入端口、一输出端口、一第一节点及一第二节点之各者之间的分流电路。共振网络耦合于该输入端口与该第二节点之间，且耦合于该第一节点与该输出端口之间。存储组件电路耦合于该输入端口与该第一节点之间，且耦合于该第二节点与该输出端口之间。该等分流电路具有部分地定义该滤波器之一高通带频率之一等效分流电路频率回应，该等共振网络具有部分地定义该滤波器之一低通带频率之一等效共振网络频率回应，且该等存储组件电路具有定义介于该低通带频率与该高通带频率之间之该滤波器之一止频带频率的一等效存储组件电路频率回应。

2. 发明专利

TW201729382A 用於抑制雜訊的晶載電磁能隙結構审中-公开
简体标题：用于抑制噪声的晶载电磁能隙结构
公开(公告)号：TW201729382A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105135791
申请日：2016-11-03
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：蔡銘憲 , TSAI, MING HSIEN , 林建民 , LIN, CHIEN-MIN , 薛福隆 , HSUEH, FU-LUNG , 普翰屏 , PU, HAN-PING , 劉莎莉 , LIU, SA-LLY , 許森貴 , HSU, SEN-KUEI
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/528 , H01L29/93 , H03H1/00 , H03H7/01
CPC分类号： H03H1/0007 , H01L23/5223 , H01L23/5225 , H01L23/5227 , H01L23/5286 , H01L29/93 , H03H7/0115
摘要：本發明實施例提供一種用於電磁能隙(EBG)雜訊抑制之積體電路(IC)晶粒。一電力網格及一接地網格經堆疊在上覆於一半導體基板之一後段製程(BEOL)區域內，且一電感器經配置在該電力網格及該接地網格上方。該電感器包括堆疊在彼此上且端對端連接以界定該電感器之一長度之複數個電感器段。一電容器下伏於該電力網格及該接地網格，且與該電感器串聯連接。該電容器及該電感器之各自端子分別耦合至該電力網格及該接地網格。本發明實施例亦提供一種用於製造該IC晶粒之方法。
简体摘要：本发明实施例提供一种用于电磁能隙(EBG)噪声抑制之集成电路(IC)晶粒。一电力网格及一接地网格经堆栈在上覆于一半导体基板之一后段制程(BEOL)区域内，且一电感器经配置在该电力网格及该接地网格上方。该电感器包括堆栈在彼此上且端对端连接以界定该电感器之一长度之复数个电感器段。一电容器下伏于该电力网格及该接地网格，且与该电感器串联连接。该电容器及该电感器之各自端子分别耦合至该电力网格及该接地网格。本发明实施例亦提供一种用于制造该IC晶粒之方法。

3. 发明专利

TWI583006B 具有石墨烯結構之電容器、包括電容器之半導體裝置及其形成方法有权
简体标题：具有石墨烯结构之电容器、包括电容器之半导体设备及其形成方法
公开(公告)号：TWI583006B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW104122868
申请日：2015-07-15
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：周淳朴 , JOU, CHEWN PU , 柯誌欣 , KO, CHIH HSIN , 邱博文 , CHIU, PO WEN , 鄭兆欽 , CHENG, CHAO CHING , 呂俊頡 , LU, CHUN CHIEH , 黃崎峰 , HUANG, CHI FENG , 陳煥能 , CHEN, HUAN NENG , 薛福隆 , HSUEH, FU LUNG
IPC分类号： H01L29/92 , H01L23/485 , H01L21/50
CPC分类号： H01L28/75 , C01B2204/04 , C01B2204/32 , H01G4/005 , H01G4/008 , H01L21/76852 , H01L23/5223 , H01L23/5226 , H01L23/5283 , H01L23/53214 , H01L23/53228 , H01L23/53257 , H01L23/53266 , H01L23/53276 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

4. 发明专利

TWI577133B 輸出／輸入電路有权
简体标题：输出／输入电路
公开(公告)号：TWI577133B
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW104139611
申请日：2015-11-27
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：陳建宏 , CHERN, CHAN-HONG , 黃琮靖 , HUANG, TSUNG CHING , 林志昌 , LIN, CHIH CHANG , 黃明杰 , HUANG, MING-CHIEH , 薛福隆 , HSUEH, FU LUNG
IPC分类号： H03K19/0185
CPC分类号： H03K5/1534 , H03K5/131 , H03K17/167 , H03K17/6872 , H03K19/00315 , H03K2005/00019 , H03K2005/00058

5. 发明专利

TW201637366A 輸出／輸入電路审中-公开
简体标题：输出／输入电路
公开(公告)号：TW201637366A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW104139611
申请日：2015-11-27
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：陳建宏 , CHERN, CHAN-HONG , 黃琮靖 , HUANG, TSUNG CHING , 林志昌 , LIN, CHIH CHANG , 黃明杰 , HUANG, MING-CHIEH , 薛福隆 , HSUEH, FU LUNG
IPC分类号： H03K19/0185
CPC分类号： H03K5/1534 , H03K5/131 , H03K17/167 , H03K17/6872 , H03K19/00315 , H03K2005/00019 , H03K2005/00058
摘要：一電路包括一第一電源節點，一輸出節點，一耦接該第一電源節點及該輸出節點之驅動電晶體，以及一競爭電路。該驅動電晶體經配置以因應於一輸入信號之一第一類型邊緣而被開啟，並因應於該輸入信號之一第二類型邊緣而被關閉。該驅動電晶體具有一源極、一汲極、及一閘極，該驅動電晶體之該源極係耦接於該第一電源節點。一競爭電路包括一控制電路，其經配置以根據該驅動電晶體之該閘極之一信號而產生一控制信號，以及一位於該驅動電晶體之該汲極及一第二電壓之間之競爭電晶體。該競爭電晶體具有一經配置以接收該控制信號之閘極。
简体摘要：一电路包括一第一电源节点，一输出节点，一耦接该第一电源节点及该输出节点之驱动晶体管，以及一竞争电路。该驱动晶体管经配置以因应于一输入信号之一第一类型边缘而被打开，并因应于该输入信号之一第二类型边缘而被关闭。该驱动晶体管具有一源极、一汲极、及一闸极，该驱动晶体管之该源极系耦接于该第一电源节点。一竞争电路包括一控制电路，其经配置以根据该驱动晶体管之该闸极之一信号而产生一控制信号，以及一位于该驱动晶体管之该汲极及一第二电压之间之竞争晶体管。该竞争晶体管具有一经配置以接收该控制信号之闸极。

6. 发明专利

TW201728096A 具有前置信號的數位碼回復审中-公开
简体标题：具有前置信号的数码码回复
公开(公告)号：TW201728096A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105134640
申请日：2016-10-26
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：薛福隆 , HSUEH, FU-LUNG , 沈武 , SHEN, WILLIAM WU , 卓聯洲 , CHO, LAN-CHOU
IPC分类号： H04B1/04 , H04B1/10 , H04L27/34 , H04L27/36
CPC分类号： H04L27/3405 , H04B1/0475 , H04B1/10 , H04L1/0001 , H04L27/0002 , H04L27/34 , H04L27/362 , H04L27/367
摘要：一種數位碼回復電路包含資料傳輸器，該資料傳輸器輸出輸入資料或前置碼作為傳輸器資料。射頻互連件(RFI)傳輸器基於該傳輸器資料而調變載波信號並在頻道上將該等經調變載波信號傳輸至RFI接收器，該RFI接收器解調變該等載波信號以獲得經回復傳輸器資料。校準儲存裝置儲存前置資料，且校準電路接收該經回復傳輸器資料。若該經回復傳輸器資料源自該前置碼，則該校準電路根據該經回復傳輸器資料及該前置資料而判定一組數位校準調整。若該經回復傳輸器資料源自該輸入資料，則該校準電路對該經回復傳輸器資料應用該組數位校準調整以獲得經調整數位碼並輸出該經調整數位碼。
简体摘要：一种数码码回复电路包含数据传输器，该数据传输器输出输入数据或前置码作为传输器数据。射频互连件(RFI)传输器基于该传输器数据而调制载波信号并在频道上将该等经调制载波信号传输至RFI接收器，该RFI接收器解调制该等载波信号以获得经回复传输器数据。校准存储设备存储前置数据，且校准电路接收该经回复传输器数据。若该经回复传输器数据源自该前置码，则该校准电路根据该经回复传输器数据及该前置数据而判定一组数码校准调整。若该经回复传输器数据源自该输入数据，则该校准电路对该经回复传输器数据应用该组数码校准调整以获得经调整数码码并输出该经调整数码码。

7. 发明专利

TW201618312A 具有石墨烯結構之電容器、包括電容器之半導體裝置及其形成方法审中-公开
简体标题：具有石墨烯结构之电容器、包括电容器之半导体设备及其形成方法
公开(公告)号：TW201618312A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104122868
申请日：2015-07-15
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：周淳朴 , JOU, CHEWN PU , 柯誌欣 , KO, CHIH HSIN , 邱博文 , CHIU, PO WEN , 鄭兆欽 , CHENG, CHAO CHING , 呂俊頡 , LU, CHUN CHIEH , 黃崎峰 , HUANG, CHI FENG , 陳煥能 , CHEN, HUAN NENG , 薛福隆 , HSUEH, FU LUNG
IPC分类号： H01L29/92 , H01L23/485 , H01L21/50
CPC分类号： H01L28/75 , C01B2204/04 , C01B2204/32 , H01G4/005 , H01G4/008 , H01L21/76852 , H01L23/5223 , H01L23/5226 , H01L23/5283 , H01L23/53214 , H01L23/53228 , H01L23/53257 , H01L23/53266 , H01L23/53276 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種電容器包括一第一石墨烯結構，具有複數個第一石墨烯層。該電容器更包括一介電層，在該第一石墨烯結構上方。該電容器更包括一第二石墨烯結構，在該介電層上方，其中該第二石墨烯結構具有複數個第二石墨烯層。
简体摘要：一种电容器包括一第一石墨烯结构，具有复数个第一石墨烯层。该电容器更包括一介电层，在该第一石墨烯结构上方。该电容器更包括一第二石墨烯结构，在该介电层上方，其中该第二石墨烯结构具有复数个第二石墨烯层。

8. 发明专利

TW201022690A 被測試裝置電路、積體電路以及半導體晶圓製程監視電路 DEVICE UNDER TEST CIRCUIT, INTEGRATED CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR WAFER PROCESS MONITOR CIRCUIT 审中-公开
简体标题：被测试设备电路、集成电路以及半导体晶圆制程监视电路 DEVICE UNDER TEST CIRCUIT, INTEGRATED CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR WAFER PROCESS MONITOR CIRCUIT
公开(公告)号：TW201022690A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：TW098138967
申请日：2009-11-17
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：莊建祥 , 薛福隆
IPC分类号： G01R
CPC分类号： G01R31/3004 , G01R31/31703
摘要：發明揭露一種數位製程監視的電路及方法。揭露對應具有製程相關特性的裝置比較電流或電壓對電流或電壓的電路,轉換正比於製程相關電路特性的電流或電壓測量為數位信號以及輸出數位信號作為監控。製程相關電路特性可能選自電晶體臨界電壓、電晶體飽和電流以及溫度相關數量。使用數位技術例如數位濾波以及數位信號處理實施校正。數位製程監視電路可能成為用於晶圓特性描述的切割道電路或放置於積體電路晶片中作為巨集。製程監控電路可能使用探測墊或掃描測試電路存取。揭露使用數位輸出監控製程特性的方法。
简体摘要：发明揭露一种数码制程监视的电路及方法。揭露对应具有制程相关特性的设备比较电流或电压对电流或电压的电路,转换正比于制程相关电路特性的电流或电压测量为数码信号以及输出数码信号作为监控。制程相关电路特性可能选自晶体管临界电压、晶体管饱和电流以及温度相关数量。使用数码技术例如数码滤波以及数码信号处理实施校正。数码制程监视电路可能成为用于晶圆特性描述的切割道电路或放置于集成电路芯片中作为宏。制程监控电路可能使用探测垫或扫描测试电路存取。揭露使用数码输出监控制程特性的方法。

9. 发明专利

TWI324384B 感測放大器與積體電路 SENSE AMPLIFIER AND INTEGRATED CIRCUIT 有权
简体标题：传感放大器与集成电路 SENSE AMPLIFIER AND INTEGRATED CIRCUIT
公开(公告)号：TWI324384B
公开(公告)日：2010-05-01
申请号：TW095147049
申请日：2006-12-15
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：林松傑 , 廖宏仁 , 薛福隆 , 黃建程
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G11C17/18
摘要：一種感測放大器，用以偵測選取之電子熔絲單元之邏輯狀態。根據本發明一實施例，偏壓模組係耦接至電壓源，用以產生第一電流；以及追蹤模組係耦接至偏壓模組，用以產生第二電流。電流供應器係耦接至偏壓模組與追蹤模組，用以產生相當於第一電流與第二電流之和再縮放既定係數之第三電流，第三電流係轉移為第一子電流以及第二子電流。第一子電流係流經選取電子熔絲單元，第二子電流係流經複數未選取電子熔絲單元而漏電。設定追蹤模組可使第二電流縮放既定係數後等於第二子電流。 A sense amplifier for detecting a logic state of a selected electrical fuse cell among a number of unselected electrical fuse cells includes a bias module coupled to a power supply for generating a first current, and a tracking module coupled to the bias module for generating a second current. A current supplier is coupled to the bias module and the tracking module for generating a third current substantially equal to a sum of the first and second currents scaled by a predetermined factor, the third current being diverted into a first sub－current flowing through the unselected electrical fuse cells. The tracking module is so configured that the second current scaled by the predetermined factor is substantially equal to the second sub－current, thereby avoiding the first sub－current to be reduced by the second sub－current. 【創作特點】本發明提供一種感測放大器，用以偵測選取電子熔絲單元之邏輯狀態。根據本發明一實施例，偏壓模組係耦接至電壓源，用以產生第一電流；以及追蹤模組係耦接至偏壓模組，用以產生第二電流。電流供應器係耦接至偏壓模組與追蹤模組，用以產生第三電流，第三電流係等於第一電流與第二電流之和再縮放既定係數，第三電流係轉移為第一子電流以及第二子電流，其中第一子電流係流經選取電子熔絲單元，第二子電流係流經複數未選取電子熔絲單元而漏電。其中設定追蹤模組可使第二電流縮放既定係數後等於第二子電流。
简体摘要：一种传感放大器，用以侦测选取之电子熔丝单元之逻辑状态。根据本发明一实施例，偏压模块系耦接至电压源，用以产生第一电流；以及追踪模块系耦接至偏压模块，用以产生第二电流。电流供应器系耦接至偏压模块与追踪模块，用以产生相当于第一电流与第二电流之和再缩放既定系数之第三电流，第三电流系转移为第一子电流以及第二子电流。第一子电流系流经选取电子熔丝单元，第二子电流系流经复数未选取电子熔丝单元而漏电。设置追踪模块可使第二电流缩放既定系数后等于第二子电流。 A sense amplifier for detecting a logic state of a selected electrical fuse cell among a number of unselected electrical fuse cells includes a bias module coupled to a power supply for generating a first current, and a tracking module coupled to the bias module for generating a second current. A current supplier is coupled to the bias module and the tracking module for generating a third current substantially equal to a sum of the first and second currents scaled by a predetermined factor, the third current being diverted into a first sub－current flowing through the unselected electrical fuse cells. The tracking module is so configured that the second current scaled by the predetermined factor is substantially equal to the second sub－current, thereby avoiding the first sub－current to be reduced by the second sub－current. 【创作特点】本发明提供一种传感放大器，用以侦测选取电子熔丝单元之逻辑状态。根据本发明一实施例，偏压模块系耦接至电压源，用以产生第一电流；以及追踪模块系耦接至偏压模块，用以产生第二电流。电流供应器系耦接至偏压模块与追踪模块，用以产生第三电流，第三电流系等于第一电流与第二电流之和再缩放既定系数，第三电流系转移为第一子电流以及第二子电流，其中第一子电流系流经选取电子熔丝单元，第二子电流系流经复数未选取电子熔丝单元而漏电。其中设置追踪模块可使第二电流缩放既定系数后等于第二子电流。

10. 发明专利

TWI536740B 輸入／輸出電路與控制方法有权
简体标题：输入／输出电路与控制方法
公开(公告)号：TWI536740B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW103134586
申请日：2014-10-03
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳建宏 , CHERN, CHANHONG , 黃琮靖 , HUANG, TSUNGCHING , 林志昌 , LIN, CHIHCHANG , 黃明杰 , HUANG, MINGCHIEH , 薛福隆 , HSUEH, FULUNG
IPC分类号： H03K5/003
CPC分类号： H03K19/018507 , H03K5/13 , H03K17/687 , H03K19/018521 , H03K2005/00013 , H03K2005/00019

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