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2. 发明专利

TW201840993A 相鄰半導體裝置中的橋接測試方法、控制非揮發性記憶體半導體裝置製造製程的方法及半導體測試結構审中-公开
简体标题：相邻半导体设备中的桥接测试方法、控制非挥发性内存半导体设备制造制程的方法及半导体测试结构
公开(公告)号：TW201840993A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW106141237
申请日：2017-11-27
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：林孟漢 , LIN, MENG-HAN , 謝智仁 , HSIEH, CHIH-REN , 梁佳琳 , LIANG, CHIA-LIN
IPC分类号： G01R31/28 , H01L21/66 , H01L27/112
摘要：相鄰半導體裝置之間的橋接測試方法包括：在半導體基底上形成經圖案化的擴散區；以及在擴散區之上形成第一導電層。第一導電層被圖案化成與經圖案化的擴散區相同的圖案。在第一導電層之上形成在第一方向上延伸的第二導電層。將第二導電層圖案化，以在第二導電層的中心區中形成在第一方向上延伸的開口，進而暴露出第一導電層的一部分。移除第一導電層的被暴露出的一部分，以暴露出擴散區的一部分。在擴散區的被暴露出的一部分之上形成源極/汲極區，且在源極/汲極區之上形成介電層。在介電層之上形成第三導電層。移除第二導電層的沿第一方向的端部部分，以暴露出第一導電層的第一端部部分及第二端部部分。在第一導電層的第一端部部分與第二端部部分之間量測第一導電層兩端的電阻。
简体摘要：相邻半导体设备之间的桥接测试方法包括：在半导体基底上形成经图案化的扩散区；以及在扩散区之上形成第一导电层。第一导电层被图案化成与经图案化的扩散区相同的图案。在第一导电层之上形成在第一方向上延伸的第二导电层。将第二导电层图案化，以在第二导电层的中心区中形成在第一方向上延伸的开口，进而暴露出第一导电层的一部分。移除第一导电层的被暴露出的一部分，以暴露出扩散区的一部分。在扩散区的被暴露出的一部分之上形成源极/汲极区，且在源极/汲极区之上形成介电层。在介电层之上形成第三导电层。移除第二导电层的沿第一方向的端部部分，以暴露出第一导电层的第一端部部分及第二端部部分。在第一导电层的第一端部部分与第二端部部分之间量测第一导电层两端的电阻。

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