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1. 发明专利

TW201840993A 相鄰半導體裝置中的橋接測試方法、控制非揮發性記憶體半導體裝置製造製程的方法及半導體測試結構审中-公开
简体标题：相邻半导体设备中的桥接测试方法、控制非挥发性内存半导体设备制造制程的方法及半导体测试结构
公开(公告)号：TW201840993A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW106141237
申请日：2017-11-27
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：林孟漢 , LIN, MENG-HAN , 謝智仁 , HSIEH, CHIH-REN , 梁佳琳 , LIANG, CHIA-LIN
IPC分类号： G01R31/28 , H01L21/66 , H01L27/112
摘要：相鄰半導體裝置之間的橋接測試方法包括：在半導體基底上形成經圖案化的擴散區；以及在擴散區之上形成第一導電層。第一導電層被圖案化成與經圖案化的擴散區相同的圖案。在第一導電層之上形成在第一方向上延伸的第二導電層。將第二導電層圖案化，以在第二導電層的中心區中形成在第一方向上延伸的開口，進而暴露出第一導電層的一部分。移除第一導電層的被暴露出的一部分，以暴露出擴散區的一部分。在擴散區的被暴露出的一部分之上形成源極/汲極區，且在源極/汲極區之上形成介電層。在介電層之上形成第三導電層。移除第二導電層的沿第一方向的端部部分，以暴露出第一導電層的第一端部部分及第二端部部分。在第一導電層的第一端部部分與第二端部部分之間量測第一導電層兩端的電阻。
简体摘要：相邻半导体设备之间的桥接测试方法包括：在半导体基底上形成经图案化的扩散区；以及在扩散区之上形成第一导电层。第一导电层被图案化成与经图案化的扩散区相同的图案。在第一导电层之上形成在第一方向上延伸的第二导电层。将第二导电层图案化，以在第二导电层的中心区中形成在第一方向上延伸的开口，进而暴露出第一导电层的一部分。移除第一导电层的被暴露出的一部分，以暴露出扩散区的一部分。在扩散区的被暴露出的一部分之上形成源极/汲极区，且在源极/汲极区之上形成介电层。在介电层之上形成第三导电层。移除第二导电层的沿第一方向的端部部分，以暴露出第一导电层的第一端部部分及第二端部部分。在第一导电层的第一端部部分与第二端部部分之间量测第一导电层两端的电阻。

2. 发明专利

TWI676270B 積體電路及其形成方法有权
简体标题：集成电路及其形成方法
公开(公告)号：TWI676270B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：TW108107033
申请日：2019-03-04
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：林孟漢 , LIN, MENG-HAN , 謝智仁 , HSIEH, CHIH-REN , 劉振欽 , LIU, CHEN-CHIN , 黃志斌 , HUANG, CHIH-PIN
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8239 , H01L27/11578

3. 发明专利

TWI605498B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI605498B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW105138512
申请日：2016-11-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：林孟漢 , LIN, MENG-HAN , 謝智仁 , HSIEH, CHIH-REN , 劉振欽 , LIU, CHEN-CHIN
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/425
CPC分类号： H01L21/823892 , H01L21/266 , H01L21/761 , H01L21/76224 , H01L21/823481 , H01L21/823493 , H01L21/823878 , H01L27/0922 , H01L27/0928

4. 发明专利

TWI686928B 積體電路與其形成方法有权
简体标题：集成电路与其形成方法
公开(公告)号：TWI686928B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW107144942
申请日：2018-12-13
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：林孟漢 , LIN, MENG-HAN , 謝智仁 , HSIEH, CHIH-REN , 吳偉成 , WU, WEI-CHENG , 黃志斌 , HUANG, CHIH-PIN
IPC分类号： H01L27/108

5. 发明专利

TWI683421B 積體電路及其形成方法有权
简体标题：集成电路及其形成方法
公开(公告)号：TWI683421B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：TW107131347
申请日：2018-09-06
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：林孟漢 , LIN, MENG-HAN , 謝智仁 , HSIEH, CHIH-REN , 高雅真 , KAO, YA-CHEN , 劉振欽 , LIU, CHEN-CHIN , 黃志斌 , HUANG, CHIH-PIN
IPC分类号： H01L27/11517 , H01L21/66

6. 发明专利

TWI667483B 相鄰半導體裝置中的橋接測試方法、控制非揮發性記憶體半導體裝置製造製程的方法及半導體測試結構有权
简体标题：相邻半导体设备中的桥接测试方法、控制非挥发性内存半导体设备制造制程的方法及半导体测试结构
公开(公告)号：TWI667483B
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：TW106141237
申请日：2017-11-27
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：林孟漢 , LIN, MENG-HAN , 謝智仁 , HSIEH, CHIH-REN , 梁佳琳 , LIANG, CHIA-LIN
IPC分类号： G01R31/28 , H01L21/66 , H01L27/112

7. 发明专利

TW201841350A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201841350A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW106136008
申请日：2017-10-20
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：林孟漢 , LIN, MENG-HAN , 謝智仁 , HSIEH, CHIH-REN , 詹景文 , CHAN, CHIN-WEN
IPC分类号： H01L27/11548
摘要：本發明提供一種半導體裝置及其製造方法。半導體裝置具有形成於記憶胞區中的非揮發性記憶體及環繞記憶胞區的環狀結構區。在半導體裝置的製造方法中，在環狀結構區中形成基板的突起部。突起部從隔離絕緣層突出。接著，形成高k介電膜，藉以覆蓋突起部及隔離絕緣層。高k介電膜上形成有多晶矽膜。然後，圖案化多晶矽膜及高k介電膜。之後，於經圖案化的多晶矽膜及高k介電膜上形成絕緣層，藉以密封經圖案化的高k介電膜。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备及其制造方法。半导体设备具有形成于记忆胞区中的非挥发性内存及环绕记忆胞区的环状结构区。在半导体设备的制造方法中，在环状结构区中形成基板的突起部。突起部从隔离绝缘层突出。接着，形成高k介电膜，借以覆盖突起部及隔离绝缘层。高k介电膜上形成有多晶硅膜。然后，图案化多晶硅膜及高k介电膜。之后，于经图案化的多晶硅膜及高k介电膜上形成绝缘层，借以密封经图案化的高k介电膜。

8. 发明专利

TW201812864A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201812864A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW105138512
申请日：2016-11-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：林孟漢 , LIN, MENG-HAN , 謝智仁 , HSIEH, CHIH-REN , 劉振欽 , LIU, CHEN-CHIN
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/425
CPC分类号： H01L21/823892 , H01L21/266 , H01L21/761 , H01L21/76224 , H01L21/823481 , H01L21/823493 , H01L21/823878 , H01L27/0922 , H01L27/0928
摘要：一種半導體裝置及其製造方法。本發明實施例所提供製造半導體裝置的方法，包括使用第一光阻罩幕並進行第一離子植入，在基底的第一電壓裝置區域以及第二電壓裝置區域中形成第一深井。使用第二光阻罩幕並進行第二離子植入，在第一電壓裝置區域中形成第一井。使用第三光阻罩幕並進行第三離子植入，在第一電壓裝置區域中形成第二井。使用第四光阻罩幕並進行第四離子植入，在第二電壓裝置區域中形成第三井。使用第五光阻罩幕並進行第五離子植入，在第一深井中形成第二深井。藉由第六離子植入，在第二電壓裝置區域中形成第四井。
简体摘要：一种半导体设备及其制造方法。本发明实施例所提供制造半导体设备的方法，包括使用第一光阻罩幕并进行第一离子植入，在基底的第一电压设备区域以及第二电压设备区域中形成第一深井。使用第二光阻罩幕并进行第二离子植入，在第一电压设备区域中形成第一井。使用第三光阻罩幕并进行第三离子植入，在第一电压设备区域中形成第二井。使用第四光阻罩幕并进行第四离子植入，在第二电压设备区域中形成第三井。使用第五光阻罩幕并进行第五离子植入，在第一深井中形成第二深井。借由第六离子植入，在第二电压设备区域中形成第四井。

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