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1. 发明专利

TW201724373A 積體電路审中-公开
简体标题：集成电路
公开(公告)号：TW201724373A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105138164
申请日：2016-11-22
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：吳偉成 , WU, WEI-CHENG , 陳姿妤 , CHEN, TZU-YU
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/1157 , H01L21/28282 , H01L27/11573 , H01L29/4234 , H01L29/4916 , H01L29/51
摘要：本發明實施例提供一種積體電路，其包括高介電常數金屬閘極非揮發性記憶體裝置並提供小尺寸及高效能。在一些實施例中，積體電路包括邏輯區及鄰近邏輯區安置的嵌式記憶體區，邏輯區具有邏輯裝置，所述邏輯裝置安置於基底之上且包括安置於第一高介電常數閘極介電層之上的第一金屬閘極電極。嵌式記憶體區具有非揮發性記憶體裝置，所述非揮發性記憶體裝置包括安置於高介電常數閘極介電層之上的第二金屬閘極電極。藉由在邏輯區及記憶體區二者中具有高介電常數金屬閘極結構，在新興技術節點中積體電路效能被提高且進一步按比例縮小成為可能。
简体摘要：本发明实施例提供一种集成电路，其包括高介电常数金属闸极非挥发性内存设备并提供小尺寸及高性能。在一些实施例中，集成电路包括逻辑区及邻近逻辑区安置的嵌式内存区，逻辑区具有逻辑设备，所述逻辑设备安置于基底之上且包括安置于第一高介电常数闸极介电层之上的第一金属闸极电极。嵌式内存区具有非挥发性内存设备，所述非挥发性内存设备包括安置于高介电常数闸极介电层之上的第二金属闸极电极。借由在逻辑区及内存区二者中具有高介电常数金属闸极结构，在新兴技术节点中集成电路性能被提高且进一步按比例缩小成为可能。

2. 发明专利

TWI701809B 積體晶片、記憶體結構及其形成方法有权
简体标题：积体芯片、内存结构及其形成方法
公开(公告)号：TWI701809B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW108116019
申请日：2019-05-09
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳姿妤 , CHEN, TZU-YU , 涂國基 , TU, KUO-CHI , 朱文定 , CHU, WEN-TING , 才永軒 , TSAIR, YONG-SHIUAN
IPC分类号： H01L27/115 , G11C8/16

3. 发明专利

TW201724374A 積體電路审中-公开
简体标题：集成电路
公开(公告)号：TW201724374A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105138169
申请日：2016-11-22
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：吳偉成 , WU, WEI-CHENG , 陳姿妤 , CHEN, TZU-YU
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L21/28 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/11582 , H01L21/28282 , H01L27/1157 , H01L29/42344 , H01L29/6656 , H01L29/66833 , H01L29/792
摘要：本發明是有關於一種積體電路（IC）及其形成方法，所述積體電路包括高介電值（high-k）金屬閘極（HKMG）非揮發性記憶體（NVM）裝置並提供小尺寸及高效能。在一些實施例中，積體電路包括具有在基底之上橫向地間隔開的選擇電晶體與控制電晶體的記憶體區。選擇閘極及控制閘極安置於高介電值閘介電層及記憶體閘氧化物之上。邏輯區鄰近所述記憶體區安置且具有邏輯裝置，所述邏輯裝置包括安置於高介電值閘介電層及邏輯閘氧化物之上的金屬閘極。選擇閘極及控制閘極可為多晶矽電極。
简体摘要：本发明是有关于一种集成电路（IC）及其形成方法，所述集成电路包括高介电值（high-k）金属闸极（HKMG）非挥发性内存（NVM）设备并提供小尺寸及高性能。在一些实施例中，集成电路包括具有在基底之上横向地间隔开的选择晶体管与控制晶体管的内存区。选择闸极及控制闸极安置于高介电值闸介电层及内存闸氧化物之上。逻辑区邻近所述内存区安置且具有逻辑设备，所述逻辑设备包括安置于高介电值闸介电层及逻辑门氧化物之上的金属闸极。选择闸极及控制闸极可为多晶硅电极。

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