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1. 发明专利

TWI334052B 顯示裝置之畫素結構及其製造方法 PIXEL STRUCTURE INCORPORATING DISPLAY AND METHOD FOR MAKING THE SAME 有权
简体标题：显示设备之像素结构及其制造方法 PIXEL STRUCTURE INCORPORATING DISPLAY AND METHOD FOR MAKING THE SAME
公开(公告)号：TWI334052B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：TW095135846
申请日：2006-09-27
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：田名峰 , 林堃裕 , 陳伯綸
IPC分类号： G02F
CPC分类号： G02F1/133753 , G02F1/133512
摘要：一種畫素結構，係適用於一顯示裝置係由一液晶層夾設於一第一基板及一第二基板中所構成，畫素結構包括：複數個第一次畫素、複數個第二次畫素和複數個第三次畫素；複數個配向控制圖案(alignment controlling pattern)，係分別形成於該些第一、第二和第三次畫素中，以控制液晶層的液晶分子之配向方向；複數個不透光區(opaque regions)，係分別形成於該些第一、第二和第三次畫素中並實質上對應於該些配向控制圖案，且於該些第一、第二和第三次畫素中至少兩種次畫素之該些配向控制圖案係被不同面積之該些不透光區所遮蔽。
简体摘要：一种像素结构，系适用于一显示设备系由一液晶层夹设于一第一基板及一第二基板中所构成，像素结构包括：复数个第一次像素、复数个第二次像素和复数个第三次像素；复数个配向控制图案(alignment controlling pattern)，系分别形成于该些第一、第二和第三次像素中，以控制液晶层的液晶分子之配向方向；复数个不透光区(opaque regions)，系分别形成于该些第一、第二和第三次像素中并实质上对应于该些配向控制图案，且于该些第一、第二和第三次像素中至少两种次像素之该些配向控制图案系被不同面积之该些不透光区所屏蔽。

2. 发明专利

TWI336412B 半穿透半反射式畫素結構及其製造方法 TRANSFLECTIVE PIXEL STRUCTURE AND FABRICATING METHOD THEREOF 有权
简体标题：半穿透半反射式像素结构及其制造方法 TRANSFLECTIVE PIXEL STRUCTURE AND FABRICATING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI336412B
公开(公告)日：2011-01-21
申请号：TW094139395
申请日：2005-11-10
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：王薇雅 , 林惠芬 , 黃國有 , 林堃裕
IPC分类号： G02F
摘要：一種半穿透半反射式畫素結構的製造方法，其係包括下列步驟：於一基板上形成一主動元件。於基板上形成一保護層以覆蓋住主動元件。於保護層上形成一圖案化介電層以覆蓋住保護層之部分區域。於圖案化介電層的部分區域上形成一圖案化反射層。圖案化介電層完全遮蔽保護層。至少以圖案化介電層為罩幕，並移除未被圖案化介電層所覆蓋住之保護層，以暴露出主動元件。保護層與圖案化介電層具有一第一接觸窗，且第一接觸窗之側壁的保護層與圖案化介電層實質上與圖案化反射層切齊。於圖案化反射層以及圖案化介電層上形成一與主動元件電性連接之畫素電極。
简体摘要：一种半穿透半反射式像素结构的制造方法，其系包括下列步骤：于一基板上形成一主动组件。于基板上形成一保护层以覆盖住主动组件。于保护层上形成一图案化介电层以覆盖住保护层之部分区域。于图案化介电层的部分区域上形成一图案化反射层。图案化介电层完全屏蔽保护层。至少以图案化介电层为罩幕，并移除未被图案化介电层所覆盖住之保护层，以暴露出主动组件。保护层与图案化介电层具有一第一接触窗，且第一接触窗之侧壁的保护层与图案化介电层实质上与图案化反射层切齐。于图案化反射层以及图案化介电层上形成一与主动组件电性连接之像素电极。

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