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1. 发明专利

TW201816592A 動態隨機存取記憶體處理單元架構审中-公开
简体标题：动态随机存取内存处理单元架构
公开(公告)号：TW201816592A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106131867
申请日：2017-09-18
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：李双辰 , LI, SHUANGCHEN , 牛迪民 , NIU, DIMIN , 馬拉迪克里希納 , MALLADI, KRISHNA , 郑宏忠 , ZHENG, HONGZHONG
IPC分类号： G06F7/22 , G06F9/00
摘要：一種動態隨機存取記憶體（DRAM）處理單元（DPU）可包括：至少一個計算胞元陣列，具有排列成陣列的多個DRAM式計算胞元，所述陣列具有至少一個行，其中所述至少一個行可包括至少三個列的DRAM式計算胞元，所述至少三個列的DRAM式計算胞元被配置成提供對所述至少三個列中的第一列及第二列進行運算的邏輯功能且被配置成將所述邏輯功能的結果儲存於所述至少三個列中的第三列中；以及控制器，可耦接至所述至少一計算胞元陣列以將所述至少一計算胞元陣列配置成執行動態隨機存取記憶體處理單元運算。
简体摘要：一种动态随机存取内存（DRAM）处理单元（DPU）可包括：至少一个计算胞元数组，具有排列成数组的多个DRAM式计算胞元，所述数组具有至少一个行，其中所述至少一个行可包括至少三个列的DRAM式计算胞元，所述至少三个列的DRAM式计算胞元被配置成提供对所述至少三个列中的第一列及第二列进行运算的逻辑功能且被配置成将所述逻辑功能的结果存储于所述至少三个列中的第三列中；以及控制器，可耦接至所述至少一计算胞元数组以将所述至少一计算胞元数组配置成运行动态随机存取内存处理单元运算。

2. 发明专利

TWI699763B 記憶體系統及其控制方法有权
简体标题：内存系统及其控制方法
公开(公告)号：TWI699763B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：TW105142578
申请日：2016-12-22
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：牛迪民 , NIU, DIMIN , 張牧天 , CHANG, MU-TIEN , 鄭宏忠 , ZHENG, HONGZHONG , 韓森克雷格 , HANSON, CRAIG , 林璇渶 , LIM, SUN YOUNG , 金寅東 , KIM, INDONG
IPC分类号： G11C11/413 , G11C7/22

3. 发明专利

TWI691838B 電腦系統以及非揮發性記憶體的操作方法有权
简体标题：电脑系统以及非挥发性内存的操作方法
公开(公告)号：TWI691838B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW105111217
申请日：2016-04-11
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：鄭宏忠 , ZHENG, HONGZHONG , 牛迪民 , NIU, DIMIN
IPC分类号： G06F12/02

4. 发明专利

TW201818410A 資料晶片、記憶體控制器及記憶體錯誤更正之方法审中-公开
简体标题：数据芯片、内存控制器及内存错误更正之方法
公开(公告)号：TW201818410A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW106135225
申请日：2017-10-16
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：牛迪民 , NIU, DIMIN , 張牧天 , CHANG, MU-TIEN , 郑宏忠 , ZHENG, HONGZHONG , 金炫中 , KIM, HYUN-JOONG , 宋元亨 , SONG, WON-HYUNG , 崔璋石 , CHOI, JANGSEOK
IPC分类号： G11C11/409 , G11C29/42
摘要：揭露一種可污染資料的資料晶片。所述資料晶片可包括：資料陣列；讀取電路系統，自所述資料陣列讀取原始資料；以及緩衝器，儲存所述原始資料。資料污染引擎可使用儲存於遮罩碼暫存器中的污染圖案來污染所述原始資料。傳輸電路系統可接著傳輸所述經污染資料。
简体摘要：揭露一种可污染数据的数据芯片。所述数据芯片可包括：数据数组；读取电路系统，自所述数据数组读取原始数据；以及缓冲器，存储所述原始数据。数据污染发动机可使用存储于遮罩码寄存器中的污染图案来污染所述原始数据。传输电路系统可接着传输所述经污染数据。

5. 发明专利

TW201911300A 記憶體裝置及記憶體模組审中-公开
简体标题：内存设备及内存模块
公开(公告)号：TW201911300A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107114827
申请日：2018-05-02
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：張牧天 , CHANG, MU-TIEN , 牛迪民 , NIU, DIMIN , 鄭宏忠 , ZHENG, HONGZHONG
IPC分类号： G11C7/12
摘要：記憶體裝置包括雙電晶體單電容器動態隨機存取記憶體的陣列以及記憶體控制器。動態隨機存取記憶體單元被排列成多列動態隨機存取記憶體單元及多行動態隨機存取記憶體單元。記憶體控制器處於記憶體裝置的內部且耦合到動態隨機存取記憶體單元的陣列。記憶體控制器能夠接收被輸入到記憶體裝置的命令且能夠回應於所接收的命令來控制對動態隨機存取記憶體單元的陣列的列主序存取及行主序存取。
简体摘要：内存设备包括双晶体管单电容器动态随机存取内存的数组以及内存控制器。动态随机存取内存单元被排列成多列动态随机存取内存单元及多行动态随机存取内存单元。内存控制器处于内存设备的内部且耦合到动态随机存取内存单元的数组。内存控制器能够接收被输入到内存设备的命令且能够回应于所接收的命令来控制对动态随机存取内存单元的数组的列主序存取及行主序存取。

6. 发明专利

TW201903612A 記憶體模組及操作記憶體模組的方法审中-公开
简体标题：内存模块及操作内存模块的方法
公开(公告)号：TW201903612A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107108186
申请日：2018-03-12
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：張牧天 , CHANG, MU-TIEN , 牛迪民 , NIU, DIMIN , 鄭宏忠 , ZHENG, HONGZHONG , 南喜鉉 , NAM, HEEHYUN , 趙永進 , CHO, YOUNGJIN , 林璇渶 , LIM, SUN-YOUNG
IPC分类号： G06F12/0802 , G06F12/0844
摘要：一種記憶體模組包括記憶體控制器，其包括：主機層；媒體層，耦合至非揮發性記憶體；及邏輯核心，耦合至主機層、媒體層及揮發性記憶體，邏輯核心儲存包括多個列的第一寫入群組表，且邏輯核心被配置成：接收包括快取行位址及寫入群組辨識符的持久性寫入命令；接收與持久性寫入命令相關聯的資料；將資料在快取行位址處寫入揮發性記憶體；將快取行位址儲存於第二寫入群組表的多個緩衝器的所選擇緩衝器中，所選擇緩衝器對應於寫入群組辨識符；及更新第一寫入群組表的列以辨識所選擇緩衝器中包含有效表項的位置，所述列對應於寫入群組辨識符。
简体摘要：一种内存模块包括内存控制器，其包括：主机层；媒体层，耦合至非挥发性内存；及逻辑内核，耦合至主机层、媒体层及挥发性内存，逻辑内核存储包括多个列的第一写入群组表，且逻辑内核被配置成：接收包括缓存行位址及写入群组辨识符的持久性写入命令；接收与持久性写入命令相关联的数据；将数据在缓存行位址处写入挥发性内存；将缓存行位址存储于第二写入群组表的多个缓冲器的所选择缓冲器中，所选择缓冲器对应于写入群组辨识符；及更新第一写入群组表的列以辨识所选择缓冲器中包含有效表项的位置，所述列对应于写入群组辨识符。

7. 发明专利

TW201837919A 選擇逐出的快取列的方法、記憶體快取控制器及執行讀修改寫操作的方法审中-公开
简体标题：选择逐出的缓存列的方法、内存缓存控制器及运行读修改写操作的方法
公开(公告)号：TW201837919A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW107103665
申请日：2018-02-01
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：張牧天 , CHANG, MU-TIEN , 南喜鉉 , NAM, HEEHYUN , 金暎植 , KIM, YOUNGSIK , 趙永進 , CHO, YOUNGJIN , 牛迪民 , NIU, DIMIN , 鄭宏忠 , ZHENG, HONGZHONG
IPC分类号： G11C16/26
摘要：一種選擇資料的多個快取列中自前端記憶體逐出的快取列的方法，所述方法包括：對快取的多個通路中的每一通路指派基線替換分數，所述通路分別儲存快取列；基於儲存於每一通路中的快取列的有效性程度對每一通路指派有效性分數；基於通路的基線替換分數及通路的有效性分數的函數對每一通路指派逐出決定分數；以及選擇具有最高逐出決定分數的所述通路的快取列作為逐出的快取列。
简体摘要：一种选择数据的多个缓存列中自前端内存逐出的缓存列的方法，所述方法包括：对缓存的多个通路中的每一通路指派基线替换分数，所述通路分别存储缓存列；基于存储于每一通路中的缓存列的有效性程度对每一通路指派有效性分数；基于通路的基线替换分数及通路的有效性分数的函数对每一通路指派逐出决定分数；以及选择具有最高逐出决定分数的所述通路的缓存列作为逐出的缓存列。

8. 发明专利

TW201816619A DPU操作用的系統审中-公开
简体标题： DPU操作用的系统
公开(公告)号：TW201816619A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106130354
申请日：2017-09-06
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：李双辰 , LI, SHUANGCHEN , 牛迪民 , NIU, DIMIN , 馬拉迪克里希納 , MALLADI, KRISHNA , 郑宏忠 , ZHENG, HONGZHONG
IPC分类号： G06F13/16 , G06F9/30
摘要：一種系統，包含程式庫、編譯器、驅動器以及至少一個動態隨機存取記憶體（DRAM）處理單元（DPU）。程式庫可判定對應於所接收命令的至少一個DPU操作。編譯器可形成用於DPU操作的至少一個DPU指令。驅動器可發送至少一個DPU指令至至少一個DPU。DPU可包含至少一個計算胞元陣列，其包含以具有至少一個行的陣列配置的多個基於DRAM的計算胞元，其中至少一行可包含至少三個列的基於DRAM的計算胞元，至少三個列的基於DRAM的計算胞元經組態以提供在至少三個列的第一列及第二列上操作的邏輯功能且經組態以在至少三個列中的第三列中儲存邏輯功能的結果。
简体摘要：一种系统，包含程序库、编译器、驱动器以及至少一个动态随机存取内存（DRAM）处理单元（DPU）。程序库可判定对应于所接收命令的至少一个DPU操作。编译器可形成用于DPU操作的至少一个DPU指令。驱动器可发送至少一个DPU指令至至少一个DPU。DPU可包含至少一个计算胞元数组，其包含以具有至少一个行的数组配置的多个基于DRAM的计算胞元，其中至少一行可包含至少三个列的基于DRAM的计算胞元，至少三个列的基于DRAM的计算胞元经组态以提供在至少三个列的第一列及第二列上操作的逻辑功能且经组态以在至少三个列中的第三列中存储逻辑功能的结果。

9. 发明专利

TW201816595A 處理器及控制工作流的方法审中-公开
简体标题：处理器及控制工作流的方法
公开(公告)号：TW201816595A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106130360
申请日：2017-09-06
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：牛迪民 , NIU, DIMIN , 李双辰 , LI, SHUANGCHEN , 布瑞南巴布 , BRENNAN, BOB , 馬拉迪克里希納 T. , MALLADI, KRISHNA T. , 郑宏忠 , ZHENG, HONGZHONG
IPC分类号： G06F9/06
摘要：本發明提供一種處理器，其包含多個記憶體單元，記憶體單元中的每一者包含多個記憶體胞元，其中記憶體單元中的每一者可組態以作為記憶體、作為計算單元或作為混合型記憶體-計算單元操作。
简体摘要：本发明提供一种处理器，其包含多个内存单元，内存单元中的每一者包含多个内存胞元，其中内存单元中的每一者可组态以作为内存、作为计算单元或作为混合型内存-计算单元操作。

10. 发明专利

TWI688857B 不增加接腳成本之對高容量類SDRAM記憶體進行定址的方法、使用其之記憶體裝置及其記憶體模組有权
简体标题：不增加接脚成本之对高容量类SDRAM内存进行寻址的方法、使用其之内存设备及其内存模块
公开(公告)号：TWI688857B
公开(公告)日：2020-03-21
申请号：TW106104984
申请日：2017-02-16
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：張牧天 , CHANG, MU-TIEN , 牛迪民 , NIU, DIMIN , 鄭宏忠 , ZHENG, HONGZHONG , 林璇渶 , LIM, SUN YOUNG , 金寅東 , KIM, INDONG , 崔璋石 , CHOI, JANGSEOK
IPC分类号： G06F12/02

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