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3. 发明专利

TW201523819A 半導體結構及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201523819A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW102148605
申请日：2013-12-27
申请人：南茂科技股份有限公司 , CHIPMOS TECHNOLOGIES INC.
发明人：鄭世杰 , CHENG, SHIH JYE , 盧東寶 , LU, TUNG BAO
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/13 , H01L21/76898 , H01L23/3192 , H01L23/488 , H01L23/49541 , H01L23/49572 , H01L23/49816 , H01L23/525 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/742 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L2224/02311 , H01L2224/02313 , H01L2224/02331 , H01L2224/02379 , H01L2224/0239 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05005 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05541 , H01L2224/05548 , H01L2224/05572 , H01L2224/05639 , H01L2224/1132 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11825 , H01L2224/11848 , H01L2224/11849 , H01L2224/11901 , H01L2224/13005 , H01L2224/13025 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13562 , H01L2224/13564 , H01L2224/1357 , H01L2224/13644 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/16245 , H01L2224/17181 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48639 , H01L2224/48839 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/814 , H01L2224/8159 , H01L2224/8169 , H01L2224/81744 , H01L2224/81815 , H01L2224/8185 , H01L2224/81862 , H01L2224/81948 , H01L2224/83104 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/00011 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/381 , H01L2924/01079 , H01L2924/00012 , H01L2924/01046 , H01L2924/206 , H01L2924/00014 , H01L2924/01074 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/013 , H01L2924/01047 , H01L2924/00 , H01L2924/01033 , H01L2224/1146
摘要：一種半導體結構包括：一裝置；在該裝置上方之一導電襯墊；及安置在該導電襯墊上之一Ag1-xYx合金柱，其中該Ag1-xYx合金之Y包含以任意重量百分比與Ag形成完全固溶體之金屬，且其中該Ag1-xYx合金之X在約0.005至約0.25之範圍內。
简体摘要：一种半导体结构包括：一设备；在该设备上方之一导电衬垫；及安置在该导电衬垫上之一Ag1-xYx合金柱，其中该Ag1-xYx合金之Y包含以任意重量百分比与Ag形成完全固溶体之金属，且其中该Ag1-xYx合金之X在约0.005至约0.25之范围内。

5. 发明专利

TW201444004A 半導體結構及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201444004A
公开(公告)日：2014-11-16
申请号：TW102142573
申请日：2013-11-22
申请人：南茂科技股份有限公司 , CHIPMOS TECHNOLOGIES INC.
发明人：鄭世杰 , CHENG, SHIH JYE , 盧東寶 , LU, TUNG BAO
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/288
CPC分类号： H01L21/4853 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/742 , H01L24/81 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0361 , H01L2224/039 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05005 , H01L2224/05027 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05541 , H01L2224/05576 , H01L2224/05578 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11825 , H01L2224/11848 , H01L2224/119 , H01L2224/11901 , H01L2224/11906 , H01L2224/13005 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13562 , H01L2224/13564 , H01L2224/1357 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/814 , H01L2224/8159 , H01L2224/8169 , H01L2224/81744 , H01L2224/81801 , H01L2224/81815 , H01L2224/8185 , H01L2224/81862 , H01L2224/83104 , H01L2924/01322 , H01L2924/15788 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01046 , H01L2924/01082 , H01L2924/00012 , H01L2224/1182 , H01L2924/0665 , H01L2924/206 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/1146
摘要：本發明提供一種用於製造一半導體結構之方法。該方法包括：在一半導體晶粒上形成一導電襯墊；在該導電襯墊上方形成一晶種層；在該晶種層上方界定一第一遮罩層；及在該第一遮罩層中形成一銀合金凸塊本體。該在該第一遮罩層中形成一銀合金凸塊本體包括以下操作：製備一第一基於氰化物之電鍍浴；將該第一基於氰化物之電鍍浴之一pH值控制在約6至約8之一範圍內；將該半導體晶粒浸沒至該第一基於氰化物之電鍍浴中；及將約0.1 ASD至約0.5 ASD之一電鍍電流密度施加至該半導體晶粒。
简体摘要：本发明提供一种用于制造一半导体结构之方法。该方法包括：在一半导体晶粒上形成一导电衬垫；在该导电衬垫上方形成一晶种层；在该晶种层上方界定一第一遮罩层；及在该第一遮罩层中形成一银合金凸块本体。该在该第一遮罩层中形成一银合金凸块本体包括以下操作：制备一第一基于氰化物之电镀浴；将该第一基于氰化物之电镀浴之一pH值控制在约6至约8之一范围内；将该半导体晶粒浸没至该第一基于氰化物之电镀浴中；及将约0.1 ASD至约0.5 ASD之一电镀电流密度施加至该半导体晶粒。

6. 发明专利

TW201436136A 半導體結構及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201436136A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102141593
申请日：2013-11-15
申请人：南茂科技股份有限公司 , CHIPMOS TECHNOLOGIES INC.
发明人：鄭世杰 , CHENG, SHIH JYE , 盧東寶 , LU, TUNG BAO
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/60
CPC分类号： H01L21/4825 , H01L23/15 , H01L23/49816 , H01L23/4985 , H01L23/49866 , H01L23/49894 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05005 , H01L2224/05027 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05541 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11825 , H01L2224/11848 , H01L2224/11901 , H01L2224/13005 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13562 , H01L2224/13564 , H01L2224/1357 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/814 , H01L2224/8159 , H01L2224/8169 , H01L2224/81744 , H01L2224/81815 , H01L2224/8185 , H01L2224/81862 , H01L2224/83104 , H01L2924/01322 , H01L2924/15788 , H01L2924/351 , H01L2924/01079 , H01L2924/01046 , H01L2924/00014 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/00012 , H01L2924/0665 , H01L2924/0655 , H01L2924/206 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/1146
摘要：一半導體結構包括：一裝置；在該裝置上之一導電襯墊；及在該導電襯墊上方之一Ag1-xYx合金凸塊。該Ag1-xYx凸塊之Y包含以任意權重百分比與Ag形成完全固溶體之金屬，且該Ag1-xYx合金凸塊之X在約0.005至約0.25之一範圍內。一個標準差與該Ag1-xYx合金凸塊之一粒徑分佈之一均值之間的一差異在約0.2 μm至約0.4 μm之一範圍內。該Ag1-xYx合金凸塊在一縱向橫截面平面上之一平均粒徑在約0.5 μm至約1.5 μm之一範圍內。
简体摘要：一半导体结构包括：一设备；在该设备上之一导电衬垫；及在该导电衬垫上方之一Ag1-xYx合金凸块。该Ag1-xYx凸块之Y包含以任意权重百分比与Ag形成完全固溶体之金属，且该Ag1-xYx合金凸块之X在约0.005至约0.25之一范围内。一个标准差与该Ag1-xYx合金凸块之一粒径分布之一均值之间的一差异在约0.2 μm至约0.4 μm之一范围内。该Ag1-xYx合金凸块在一纵向横截面平面上之一平均粒径在约0.5 μm至约1.5 μm之一范围内。

7. 发明专利

TW567318B 探測卡之壓觸式電性連接裝置有权
简体标题：探测卡之压触式电性连接设备
公开(公告)号：TW567318B
公开(公告)日：2003-12-21
申请号：TW091116680
申请日：2002-07-23
申请人：百慕達南茂科技股份有限公司 , 南茂科技股份有限公司
发明人：鄭世杰 , 劉安鴻 , 王永和 , 曾元平 , 李耀榮
IPC分类号： G01R
摘要：一種探測卡之壓觸式電性連接裝置，其包含有一絕緣層，複數個線路係形成於該絕緣層之一表面，每一線路分別連接有第一導接墊與第二導接墊，並結合有彈性接觸元件，每一彈性接觸元件具有一支撐條，該支撐條係結合有一導電層，以供壓觸式電性連接，當探測卡之矽基板係模組式裝設於一多層電路板時，該壓觸式電性連接裝置係彈性壓觸矽基板與多層電路板，以達到測試成本之降低。
简体摘要：一种探测卡之压触式电性连接设备，其包含有一绝缘层，复数个线路系形成于该绝缘层之一表面，每一线路分别连接有第一导接垫与第二导接垫，并结合有弹性接触组件，每一弹性接触组件具有一支撑条，该支撑条系结合有一导电层，以供压触式电性连接，当探测卡之硅基板系模块式装设于一多层电路板时，该压触式电性连接设备系弹性压触硅基板与多层电路板，以达到测试成本之降低。

8. 实用新型

TW558062U 微機電探測頭失效
简体标题：微机电探测头
公开(公告)号：TW558062U
公开(公告)日：2003-10-11
申请号：TW092202134
申请日：2003-01-30
申请人：百慕達南茂科技股份有限公司 , 南茂科技股份有限公司
发明人：鄭世杰 , 劉安鴻 , 王永和 , 曾元平 , 李耀榮
IPC分类号： H01L
摘要：一種微機電探測頭，其微機電探針係形成於一晶片模組，該晶片模組係接合於一固定底座之銲球，以形成一緩衝間隙，該固定底座之周邊貼附有軟性電路板，其係電性導接該些微機電探針，以達到模組化裝配微機電探測頭之功效。五、(一)、本案代表圖為：第ˍˍ1ˍˍ圖
(二)、本案代表圖之元件代表符號簡單說明：10 固定底座 11 表面 12 銲球13 介電層 14 緩衝間隙20 晶片模組21 微機電晶片 211 正面 212 背面213 探針 214 銲墊22 虛晶片 221 正面 222 背面223 墊片30 軟性電路板 31 電路層 32 外接墊33 內接墊 40 銲線
简体摘要：一种微机电探测头，其微机电探针系形成于一芯片模块，该芯片模块系接合于一固定底座之焊球，以形成一缓冲间隙，该固定底座之周边贴附有软性电路板，其系电性导接该些微机电探针，以达到模块化装配微机电探测头之功效。五、(一)、本案代表图为：第ˍˍ1ˍˍ图 (二)、本案代表图之组件代表符号简单说明：10 固定底座 11 表面 12 焊球13 介电层 14 缓冲间隙20 芯片模块21 微机电芯片 211 正面 212 背面213 探针 214 焊垫22 虚芯片 221 正面 222 背面223 垫片30 软性电路板 31 电路层 32 外置垫33 内接垫 40 焊线

9. 实用新型

TW547643U 可更換探測頭之探測卡組合構造失效
简体标题：可更换探测头之探测卡组合构造
公开(公告)号：TW547643U
公开(公告)日：2003-08-11
申请号：TW091209907
申请日：2002-06-27
申请人：百慕達南茂科技股份有限公司 , 南茂科技股份有限公司
发明人：鄭世杰 , 劉安鴻 , 王永和 , 曾元平 , 李耀榮
IPC分类号： G01R
摘要：一種可更換探測頭之探測卡組合構造，其係將一探測頭模組式裝設於一電路板上，該探測頭係包含有一矽基板及一容置該矽基板之承座，在矽基板之一表面係形成複數個電極及在周邊之連接墊，該些電極係以導接線路電性連接該連接墊，並以一壓板壓合一軟性印刷電路板，使其電性接觸矽基板之連接墊，且該壓板係形成有至少一開孔，對應於該些電極，以供探觸半導體晶圓。
简体摘要：一种可更换探测头之探测卡组合构造，其系将一探测头模块式装设于一电路板上，该探测头系包含有一硅基板及一容置该硅基板之承座，在硅基板之一表面系形成复数个电极及在周边之连接垫，该些电极系以导接线路电性连接该连接垫，并以一压板压合一软性印刷电路板，使其电性接触硅基板之连接垫，且该压板系形成有至少一开孔，对应于该些电极，以供探触半导体晶圆。

10. 发明专利

TW557557B 晶圓級預燒板及其形成方法有权
简体标题：晶圆级预烧板及其形成方法
公开(公告)号：TW557557B
公开(公告)日：2003-10-11
申请号：TW091114480
申请日：2002-06-27
申请人：百慕達南茂科技股份有限公司 , 南茂科技股份有限公司
发明人：鄭世杰 , 劉安鴻 , 王永和 , 曾元平 , 李耀榮
IPC分类号： H01L
摘要：一種晶圓級預燒板係供與一待測晶圓電性接觸，其包含有一基板及複數個針狀電極，該些針狀電極係形成於基板之一表面，該基板之表面係具有連接墊，每一針狀電極係具有一條狀金屬層及一條狀支撐層，其中條狀金屬層係結合於對應之連接墊，並延伸至條狀支撐層，而條狀支撐層係形成於對應之條狀金屬層之一側表面，以對條狀金屬層提供一良好之彈性支撐，當該些針狀電極接觸待測晶圓之測試電極時，其係可彈性吸收熱應力，以確保晶圓預燒板能完全接觸待測晶圓。
简体摘要：一种晶圆级预烧板系供与一待测晶圆电性接触，其包含有一基板及复数个针状电极，该些针状电极系形成于基板之一表面，该基板之表面系具有连接垫，每一针状电极系具有一条状金属层及一条状支撑层，其中条状金属层系结合于对应之连接垫，并延伸至条状支撑层，而条状支撑层系形成于对应之条状金属层之一侧表面，以对条状金属层提供一良好之弹性支撑，当该些针状电极接触待测晶圆之测试电极时，其系可弹性吸收热应力，以确保晶圆预烧板能完全接触待测晶圆。

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