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1. 发明专利

TWI483396B 具有垂直閘極之半導體元件及其製造方法有权
简体标题：具有垂直闸极之半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI483396B
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW101145388
申请日：2012-12-04
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION.
发明人：梁雯萍 , LIANG, WEN PING , 林江宏 , LIN, CHIANG HUNG , 蘇國輝 , SU, KUO HUI
IPC分类号： H01L29/772 , H01L27/088 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/4236 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66621 , H01L29/78

2. 发明专利

TW201405808A 具有垂直閘極之半導體元件及其製造方法审中-公开
简体标题：具有垂直闸极之半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201405808A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW101145388
申请日：2012-12-04
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION.
发明人：梁雯萍 , LIANG, WEN PING , 林江宏 , LIN, CHIANG HUNG , 蘇國輝 , SU, KUO HUI
IPC分类号： H01L29/772 , H01L27/088 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/4236 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66621 , H01L29/78
摘要：一種具有垂直閘極之半導體元件之製造方法，包括：提供一基底；於基底中形成一凹槽；於凹槽之底部和側壁形成一閘極介電層；形成一黏著層於凹槽中之閘極介電層上，其中黏著層是一金屬氮矽化物層；及形成一閘極層於凹槽中之黏著層上。
简体摘要：一种具有垂直闸极之半导体组件之制造方法，包括：提供一基底；于基底中形成一凹槽；于凹槽之底部和侧壁形成一闸极介电层；形成一黏着层于凹槽中之闸极介电层上，其中黏着层是一金属氮硅化物层；及形成一闸极层于凹槽中之黏着层上。

3. 发明专利

TWI505429B 半導體裝置及其製備方法有权
简体标题：半导体设备及其制备方法
公开(公告)号：TWI505429B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW102114122
申请日：2013-04-22
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：陳怡榮 , CHEN, YI JUNG , 蘇國輝 , SU, KUO HUI , 林江宏 , LIN, CHIANG HUNG
IPC分类号： H01L23/52 , H01L27/105
CPC分类号： H01L27/10855 , H01L27/10814 , H01L27/10876 , H01L27/10885 , H01L27/10894

4. 发明专利

TW201347131A 半導體裝置及其製備方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制备方法
公开(公告)号：TW201347131A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW102114122
申请日：2013-04-22
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：陳怡榮 , CHEN, YI JUNG , 蘇國輝 , SU, KUO HUI , 林江宏 , LIN, CHIANG HUNG
IPC分类号： H01L23/52 , H01L27/105
CPC分类号： H01L27/10855 , H01L27/10814 , H01L27/10876 , H01L27/10885 , H01L27/10894
摘要：一種半導體裝置包含一基材、一絕緣層、一非摻雜矽層，以及一矽材料。基材包含一摻雜區。絕緣層形成於基材上。絕緣層可包含與摻雜區對應之一接點孔。非摻雜矽層形成於摻雜區上。矽材料從非摻雜矽層開始填充接點孔。
简体摘要：一种半导体设备包含一基材、一绝缘层、一非掺杂硅层，以及一硅材料。基材包含一掺杂区。绝缘层形成于基材上。绝缘层可包含与掺杂区对应之一接点孔。非掺杂硅层形成于掺杂区上。硅材料从非掺杂硅层开始填充接点孔。

5. 发明专利

TWI389255B 積體電路結構之製備方法有权
简体标题：集成电路结构之制备方法
公开(公告)号：TWI389255B
公开(公告)日：2013-03-11
申请号：TW098127802
申请日：2009-08-19
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：林江宏 , LIN, CHIANG HUNG
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/76846 , H01L21/76856 , H01L21/76867

6. 发明专利

TWI471938B 製作半導體結構的方法有权
简体标题：制作半导体结构的方法
公开(公告)号：TWI471938B
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW098120620
申请日：2009-06-19
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORP.
发明人：羅翊仁 , LO, YI JEN , 邱鈺珊 , CHIU, YU SHAN , 蘇國輝 , SU, KUO HUI , 林江宏 , LIN, CHIANG HUNG
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/4983 , H01L21/28079 , H01L21/28088 , H01L21/28105 , H01L21/28562 , H01L21/76852 , H01L23/53266 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

7. 发明专利

TW201103103A 積體電路結構之製備方法 METHOD FOR FABRICATING INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES 审中-公开
简体标题：集成电路结构之制备方法 METHOD FOR FABRICATING INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES
公开(公告)号：TW201103103A
公开(公告)日：2011-01-16
申请号：TW098127802
申请日：2009-08-19
申请人：南亞科技股份有限公司
发明人：林江宏
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76846 , H01L21/76856 , H01L21/76867
摘要：本發明之一實施例提供一種積體電路結構的製備方法，其包含形成一第一介電層於包含一第一導電層之一基板上，形成一第二介電層於於該第一介電層上，形成一孔洞於該第二介電層中且該孔洞曝露該第一導電層，形成一阻障層於該孔洞內，以及形成一第二金屬層於該阻障層上。形成該阻障層之一實施例包含形成一金屬層於該孔洞內，以及在包含電漿之環境中進行一處理製程以形成一氧化金屬層於該金屬層上，其中該電漿係由包含氧化劑之氣體形成。形成該阻障層之另一實施例包含形成一金屬層及一氮化金屬層於該孔洞內，以及在包含電漿之環境中進行一處理製程以形成一氧化金屬層於該金屬層及該氮化金屬層上，其中該電漿係由包含氧化劑之氣體形成。
简体摘要：本发明之一实施例提供一种集成电路结构的制备方法，其包含形成一第一介电层于包含一第一导电层之一基板上，形成一第二介电层于于该第一介电层上，形成一孔洞于该第二介电层中且该孔洞曝露该第一导电层，形成一阻障层于该孔洞内，以及形成一第二金属层于该阻障层上。形成该阻障层之一实施例包含形成一金属层于该孔洞内，以及在包含等离子之环境中进行一处理制程以形成一氧化金属层于该金属层上，其中该等离子系由包含氧化剂之气体形成。形成该阻障层之另一实施例包含形成一金属层及一氮化金属层于该孔洞内，以及在包含等离子之环境中进行一处理制程以形成一氧化金属层于该金属层及该氮化金属层上，其中该等离子系由包含氧化剂之气体形成。

8. 发明专利

TW201041041A 半導體結構及其製造方法 SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR MAKING THE SAME 审中-公开
简体标题：半导体结构及其制造方法 SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR MAKING THE SAME
公开(公告)号：TW201041041A
公开(公告)日：2010-11-16
申请号：TW098120620
申请日：2009-06-19
申请人：南亞科技股份有限公司
发明人：羅翊仁 , 邱鈺珊 , 蘇國輝 , 林江宏
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/4983 , H01L21/28079 , H01L21/28088 , H01L21/28105 , H01L21/28562 , H01L21/76852 , H01L23/53266 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一半導體結構,包括一基材;一介電層,設於該基材上;一導電圖案,設於該介電層上,且該導電圖案包括一上表面及側壁;以及一金屬薄膜,僅選擇性的沈積在該導電圖案的上表面及側壁上,而不沈積在該介電層上。
简体摘要：本发明提供一半导体结构,包括一基材;一介电层,设于该基材上;一导电图案,设于该介电层上,且该导电图案包括一上表面及侧壁;以及一金属薄膜,仅选择性的沉积在该导电图案的上表面及侧壁上,而不沉积在该介电层上。

9. 发明专利

TWI456667B 單邊存取元件及其製造方法有权
简体标题：单边存取组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI456667B
公开(公告)日：2014-10-11
申请号：TW101111370
申请日：2012-03-30
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORP.
发明人：何欣戎 , HO, HSIN JUNG , 林正平 , LIN, JENG PING , 施能泰 , SHIH, NENG TAI , 吳昌榮 , WU, CHANG RONG , 林江宏 , LIN, CHIANG HUNG , 吳奇煌 , WU, CHIH HUANG
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L21/823431 , H01L21/845 , H01L27/10826 , H01L27/10879 , H01L29/66795 , H01L29/785

10. 发明专利

TW201220431A 積體電路結構及其製備方法 INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE AND METHOD OF FORMING THE SAME 审中-公开
简体标题：集成电路结构及其制备方法 INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE AND METHOD OF FORMING THE SAME
公开(公告)号：TW201220431A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：TW100101372
申请日：2011-01-14
申请人：南亞科技股份有限公司
发明人：鍾基偉 , 林江宏 , 施能泰
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76898
摘要：一種積體電路結構之製備方法,包含下列步驟:提供一半導體基板,具有一第一側及一第二側,該第二側與第一側相對;形成一孔洞,其從該第一側延伸進入該半導體基板;在該孔洞填入導電材料;進行一薄化製程以局部去除該半導體基板之第二側至一第一預定厚度,且該孔洞之底部並未貫穿該半導體基板之第二側;以及進行一蝕刻製程以局部去除該半導體基板之第二側至一第二預定厚度,使得該孔洞之底部暴露。
简体摘要：一种集成电路结构之制备方法,包含下列步骤:提供一半导体基板,具有一第一侧及一第二侧,该第二侧与第一侧相对;形成一孔洞,其从该第一侧延伸进入该半导体基板;在该孔洞填入导电材料;进行一薄化制程以局部去除该半导体基板之第二侧至一第一预定厚度,且该孔洞之底部并未贯穿该半导体基板之第二侧;以及进行一蚀刻制程以局部去除该半导体基板之第二侧至一第二预定厚度,使得该孔洞之底部暴露。

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