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1. 发明专利

TWI698988B 顯示裝置有权
简体标题：显示设备
公开(公告)号：TWI698988B
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW109103572
申请日：2014-11-28
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 岡崎健一 , OKAZAKI, KENICHI , 片山雅博 , KATAYAMA, MASAHIRO
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/772 , G02F1/1362

2. 发明专利

TWI686870B 半導體裝置、顯示裝置及使用該顯示裝置之電子裝置有权
简体标题：半导体设备、显示设备及使用该显示设备之电子设备
公开(公告)号：TWI686870B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW105105903
申请日：2016-02-26
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：岡崎健一 , OKAZAKI, KENICHI , 神長正美 , JINTYOU, MASAMI , 井口貴弘 , IGUCHI, TAKAHIRO , 保坂泰靖 , HOSAKA, YASUHARU , 肥塚純一 , KOEZUKA, JUNICHI , 三宅博之 , MIYAKE, HIROYUKI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/28 , G02F1/1368

3. 发明专利

TW202005099A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW202005099A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108113891
申请日：2019-04-19
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 岡崎健一 , OKAZAKI, KENICHI , 神長正美 , JINTYOU, MASAMI , 島行德 , SHIMA, YUKINORI
IPC分类号： H01L29/786 , H01L51/50
摘要：提供一種電特性良好的半導體裝置。提供一種電特性穩定的半導體裝置。半導體裝置包括絕緣表面上的第一電晶體及第二電晶體。第一電晶體及第二電晶體分別包括第一絕緣層、第一絕緣層上的半導體層、半導體層上的第二絕緣層以及隔著第二絕緣層與半導體層重疊的第一導電層。第一絕緣層具有與半導體層重疊的凸狀的第一區域及不與半導體層重疊且厚度比第一區域薄的第二區域。第一導電層具有第二區域上的第一導電層的底面位於比半導體層的底面更低處的部分。此外，第二電晶體還具有第三導電層，該第三導電層隔著第一絕緣層與半導體層重疊。
简体摘要：提供一种电特性良好的半导体设备。提供一种电特性稳定的半导体设备。半导体设备包括绝缘表面上的第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管及第二晶体管分别包括第一绝缘层、第一绝缘层上的半导体层、半导体层上的第二绝缘层以及隔着第二绝缘层与半导体层重叠的第一导电层。第一绝缘层具有与半导体层重叠的凸状的第一区域及不与半导体层重叠且厚度比第一区域薄的第二区域。第一导电层具有第二区域上的第一导电层的底面位于比半导体层的底面更低处的部分。此外，第二晶体管还具有第三导电层，该第三导电层隔着第一绝缘层与半导体层重叠。

4. 发明专利

TW202004922A 發光裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：发光设备及其制造方法
公开(公告)号：TW202004922A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108120329
申请日：2010-09-01
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 坂倉真之 , SAKAKURA, MASAYUKI , 及川欣聰 , OIKAWA, YOSHIAKI , 岡崎健一 , OKAZAKI, KENICHI , 丸山穗高 , MARUYAMA, HOTAKA
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786 , G02F1/136 , H01L27/32
摘要：目的係為了提高發光裝置的可靠性。發光裝置在一基板上具有：驅動器電路部，其包括用於驅動器電路之電晶體；及像素部，其包括用於像素之電晶體。用於該驅動器電路之該電晶體和用於該像素之該電晶體為反向交錯式電晶體，其各個包括與氧化物絕緣層的一部分接觸之氧化物半導體層。在該像素部中，濾色器層和發光元件係設置在該氧化物絕緣層上。在用於該驅動器電路的該電晶體中，與閘極電極層和該氧化物半導體層重疊之導電層係設置在該氧化物絕緣層上。該閘極電極層、源極電極層、和汲極電極層係使用金屬導電膜所形成。
简体摘要：目的系为了提高发光设备的可靠性。发光设备在一基板上具有：驱动器电路部，其包括用于驱动器电路之晶体管；及像素部，其包括用于像素之晶体管。用于该驱动器电路之该晶体管和用于该像素之该晶体管为反向交错式晶体管，其各个包括与氧化物绝缘层的一部分接触之氧化物半导体层。在该像素部中，滤色器层和发光组件系设置在该氧化物绝缘层上。在用于该驱动器电路的该晶体管中，与闸极电极层和该氧化物半导体层重叠之导电层系设置在该氧化物绝缘层上。该闸极电极层、源极电极层、和汲极电极层系使用金属导电膜所形成。

5. 发明专利

TWI675004B 半導體膜、電晶體、半導體裝置、顯示裝置以及電子裝置有权
简体标题：半导体膜、晶体管、半导体设备、显示设备以及电子设备
公开(公告)号：TWI675004B
公开(公告)日：2019-10-21
申请号：TW104105678
申请日：2015-02-17
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：下村明久 , SHIMOMURA, AKIHISA , 山根靖正 , YAMANE, YASUMASA , 佐藤裕平 , SATO, YUHEI , 石山貴久 , ISHIYAMA, TAKAHISA , 岡崎健一 , OKAZAKI, KENICHI , 川鍋千穂 , KAWANABE, CHIHO , 太田将志 , OOTA, MASASHI , 石原典隆 , ISHIHARA, NORITAKA
IPC分类号： C01G15/00 , H01L27/12 , H01L29/24

6. 发明专利

TWI669824B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI669824B
公开(公告)日：2019-08-21
申请号：TW107111955
申请日：2014-05-06
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 三宅博之 , MIYAKE, HIROYUKI , 岡崎健一 , OKAZAKI, KENICHI , 早川昌彥 , HAYAKAWA, MASAHIKO , 松田慎平 , MATSUDA, SHINPEI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28

7. 发明专利

TWI666497B 顯示裝置及具有該顯示裝置的電子裝置有权
简体标题：显示设备及具有该显示设备的电子设备
公开(公告)号：TWI666497B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW102125561
申请日：2013-07-17
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：保坂泰靖 , HOSAKA, YASUHARU , 島行徳 , SHIMA, YUKINORI , 岡崎健一 , OKAZAKI, KENICHI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1333 , H01L27/32 , H01L21/77

8. 发明专利

TWI665778B 半導體裝置、模組及電子裝置有权
简体标题：半导体设备、模块及电子设备
公开(公告)号：TWI665778B
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：TW104102694
申请日：2015-01-27
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 岡崎健一 , OKAZAKI, KENICHI , 中田昌孝 , NAKADA, MASATAKA , 片山雅博 , KATAYAMA, MASAHIRO
IPC分类号： H01L25/065 , H01L29/66 , H01L29/10

9. 发明专利

TWI645471B 絕緣膜，用於製造半導體的方法，及半導體裝置有权
简体标题：绝缘膜，用于制造半导体的方法，及半导体设备
公开(公告)号：TWI645471B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：TW106111569
申请日：2013-03-20
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：岡崎健一 , OKAZAKI, KENICHI , 佐佐木俊成 , SASAKI, TOSHINARI , 橫山周平 , YOKOYAMA, SHUHEI , 羽持貴士 , HAMOCHI, TAKASHI
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/318

10. 发明专利

TW201843839A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201843839A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW107128644
申请日：2013-06-20
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：佐佐木俊成 , SASAKI, TOSHINARI , 羽持貴士 , HAMOCHI, TAKASHI , 宮本敏行 , MIYAMOTO, TOSHIYUKI , 野村昌史 , NOMURA, MASAFUMI , 肥塚純一 , KOEZUKA, JUNICHI , 岡崎健一 , OKAZAKI, KENICHI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40
摘要：在具有氧化物半導體膜的電晶體中，抑制氫及氮移動到氧化物半導體膜。此外，在使用具有氧化物半導體的電晶體形成的半導體裝置中，抑制電特性的變動而提高可靠性。本發明的一個方式包括具有氧化物半導體膜的電晶體及設置在該電晶體上的氮化絕緣膜，藉由熱脫附譜分析法，從該氮化絕緣膜釋放出的氫分子量小於5×1021分子/cm3，較佳為3×1021分子/cm3以下，更佳為1×1021分子/cm3以下，且從該氮化絕緣膜釋放出的氨分子量小於1×1022分子/cm3，較佳為5×1021分子/cm3以下，更佳為1×1021分子/cm3以下。
简体摘要：在具有氧化物半导体膜的晶体管中，抑制氢及氮移动到氧化物半导体膜。此外，在使用具有氧化物半导体的晶体管形成的半导体设备中，抑制电特性的变动而提高可靠性。本发明的一个方式包括具有氧化物半导体膜的晶体管及设置在该晶体管上的氮化绝缘膜，借由热脱附谱分析法，从该氮化绝缘膜释放出的氢分子量小于5×1021分子/cm3，较佳为3×1021分子/cm3以下，更佳为1×1021分子/cm3以下，且从该氮化绝缘膜释放出的氨分子量小于1×1022分子/cm3，较佳为5×1021分子/cm3以下，更佳为1×1021分子/cm3以下。

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