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1. 发明专利

TWI671419B 磁性薄膜沉積腔室及薄膜沉積裝置有权
简体标题：磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备
公开(公告)号：TWI671419B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW107123054
申请日：2018-07-04
申请人：大陸商北京北方華創微電子裝備有限公司
发明人：楊玉傑 , 張同文 , 馬新豔 , 鄭金果 , 王寬冒 , 郭浩 , 賈強
IPC分类号： C23C14/35

2. 发明专利

TW201831056A 磁控管、磁控濺鍍腔室及磁控濺鍍裝置审中-公开
简体标题：磁控管、磁控溅镀腔室及磁控溅镀设备
公开(公告)号：TW201831056A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106136699
申请日：2017-10-25
申请人：北京北方華創微電子裝備有限公司
发明人：楊玉傑 , 張同文
IPC分类号： H05H1/34 , C23C14/36
摘要：本發明提供一種磁控管、磁控濺鍍腔室及磁控濺鍍裝置，該磁控管包括極性相反的第一外磁極和第一內磁極；其中，第一外磁極為環繞旋轉中心的環形結構；第一內磁極位於第一外磁極的內側，且在第一內磁極與第一外磁極之間形成第一磁場軌道；自旋轉中心且沿其中一條半徑方向發射出的直線至少連續兩次穿過第一磁場軌道，且直線連續兩次穿過的第一磁場軌道的磁場方向相反。本發明提供的磁控管，能夠解決先前技術中存在的濺鍍形成的薄膜均勻性較差的技術問題。
简体摘要：本发明提供一种磁控管、磁控溅镀腔室及磁控溅镀设备，该磁控管包括极性相反的第一外磁极和第一内磁极；其中，第一外磁极为环绕旋转中心的环形结构；第一内磁极位于第一外磁极的内侧，且在第一内磁极与第一外磁极之间形成第一磁场轨道；自旋转中心且沿其中一条半径方向发射出的直线至少连续两次穿过第一磁场轨道，且直线连续两次穿过的第一磁场轨道的磁场方向相反。本发明提供的磁控管，能够解决先前技术中存在的溅镀形成的薄膜均匀性较差的技术问题。

3. 发明专利

TW201820371A 一種磁控元件和磁控濺鍍裝置审中-公开
简体标题：一种磁控组件和磁控溅镀设备
公开(公告)号：TW201820371A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106112524
申请日：2017-04-14
申请人：北京北方華創微電子裝備有限公司
发明人：楊玉傑
IPC分类号： H01J25/20 , H01J37/34 , C23C14/35
摘要：本發明提供一種磁控元件和磁控濺鍍裝置。該磁控元件包括閉合磁控管和非閉合磁控管，閉合磁控管的內磁極和外磁極之間組成閉合的電漿路徑，非閉合磁控管的第一磁極和第二磁極之間組成非閉合的電漿路徑，閉合的電漿路徑和非閉合的電漿路徑至少對應位於靶材的中心到靶材的邊緣的半徑區域，且閉合的電漿路徑在靶材徑向上的有效延伸長度和非閉合的電漿路徑在靶材徑向上的有效延伸長度之和大於等於靶材的半徑。該磁控元件能夠實現靶材的全靶腐蝕，避免靶材的中心區域出現顆粒，提高靶材的利用率；還能提高濺鍍過程中金屬靶材的離化率；同時提高晶片上通孔的填充效果。
简体摘要：本发明提供一种磁控组件和磁控溅镀设备。该磁控组件包括闭合磁控管和非闭合磁控管，闭合磁控管的内磁极和外磁极之间组成闭合的等离子路径，非闭合磁控管的第一磁极和第二磁极之间组成非闭合的等离子路径，闭合的等离子路径和非闭合的等离子路径至少对应位于靶材的中心到靶材的边缘的半径区域，且闭合的等离子路径在靶材径向上的有效延伸长度和非闭合的等离子路径在靶材径向上的有效延伸长度之和大于等于靶材的半径。该磁控组件能够实现靶材的全靶腐蚀，避免靶材的中心区域出现颗粒，提高靶材的利用率；还能提高溅镀过程中金属靶材的离化率；同时提高芯片上通孔的填充效果。

4. 发明专利

TW201818435A 磁性薄膜疊層結構的沉積方法、磁性薄膜疊層結構及微電感器件审中-公开
简体标题：磁性薄膜叠层结构的沉积方法、磁性薄膜叠层结构及微电感器件
公开(公告)号：TW201818435A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW106136359
申请日：2017-10-23
申请人：北京北方華創微電子裝備有限公司
发明人：楊玉傑 , 丁培軍 , 張同文 , 夏威 , 王厚工
IPC分类号： H01F41/18 , H01F41/32 , H01F17/00
摘要：本發明提供一種磁性薄膜疊層結構的沉積方法、磁性薄膜疊層結構及微電感器件，該沉積方法包括以下步驟：S1，在待加工工件上沉積黏附層；S2，沉積磁性/隔離單元；磁性/隔離單元包括至少一對交替設置的磁性膜層和隔離層。本發明提供的磁性薄膜疊層結構的沉積方法磁性薄膜疊層結構及微電感器件，可以增大磁性薄膜疊層結構的總厚度，從而可拓寬由其製備所得的電感器件的應用頻率範圍。
简体摘要：本发明提供一种磁性薄膜叠层结构的沉积方法、磁性薄膜叠层结构及微电感器件，该沉积方法包括以下步骤：S1，在待加工工件上沉积黏附层；S2，沉积磁性/隔离单元；磁性/隔离单元包括至少一对交替设置的磁性膜层和隔离层。本发明提供的磁性薄膜叠层结构的沉积方法磁性薄膜叠层结构及微电感器件，可以增大磁性薄膜叠层结构的总厚度，从而可拓宽由其制备所得的电感器件的应用频率范围。

5. 发明专利

TWI639176B 一種磁控元件和磁控濺鍍裝置有权
简体标题：一种磁控组件和磁控溅镀设备
公开(公告)号：TWI639176B
公开(公告)日：2018-10-21
申请号：TW106112524
申请日：2017-04-14
申请人：北京北方華創微電子裝備有限公司
发明人：楊玉傑
IPC分类号： H01J25/20 , H01J37/34 , C23C14/35

6. 发明专利

TW201818434A 磁性薄膜沉積腔室及薄膜沉積裝置审中-公开
简体标题：磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备
公开(公告)号：TW201818434A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW106135637
申请日：2017-10-18
申请人：北京北方華創微電子裝備有限公司
发明人：楊玉傑 , 張同文 , 夏威 , 丁培軍 , 王厚工
IPC分类号： H01F41/18 , C23C14/35
摘要：本發明提供一種磁性薄膜沉積腔室及薄膜沉積裝置，包括腔室主體和偏置磁場裝置，在腔室主體內設置有基座，用以承載待加工工件。偏置磁場裝置用於在基座上方形成水平磁場，該水平磁場用於使沉積在待加工工件上的磁性膜層具有面內各向異性。本發明提供的薄膜沉積腔室，其能夠在基座上方形成足以誘發磁性薄膜的面內各向異性的水平磁場。
简体摘要：本发明提供一种磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备，包括腔室主体和偏置磁场设备，在腔室主体内设置有基座，用以承载待加工工件。偏置磁场设备用于在基座上方形成水平磁场，该水平磁场用于使沉积在待加工工件上的磁性膜层具有面内各向异性。本发明提供的薄膜沉积腔室，其能够在基座上方形成足以诱发磁性薄膜的面内各向异性的水平磁场。

7. 发明专利

TWI668717B 磁性薄膜沉積腔室及薄膜沉積裝置有权
简体标题：磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备
公开(公告)号：TWI668717B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW106135637
申请日：2017-10-18
申请人：北京北方華創微電子裝備有限公司
发明人：楊玉傑 , 張同文 , 夏威 , 丁培軍 , 王厚工
IPC分类号： H01F41/18 , C23C14/35

8. 发明专利

TW201807233A 一種磁控元件和磁控濺射裝置审中-公开
简体标题：一种磁控组件和磁控溅射设备
公开(公告)号：TW201807233A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW105142920
申请日：2016-12-23
申请人：北京北方華創微電子裝備有限公司
发明人：楊玉傑 , 郭萬國 , 王厚工
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： H01J25/50
摘要：本發明提供一種磁控元件和磁控濺射裝置。該磁控元件包括閉合磁極和開路磁極，閉合磁極包圍開路磁極，閉合磁極和開路磁極之間形成的磁場能使濺射沉積薄膜的均勻性小於5%。該磁控元件通過設置閉合磁極和開路磁極，能適用於RF/DC PVD技術，通過調節閉合磁極和開路磁極之間形成的電漿路徑的形狀與分佈，能在全製程壓力範圍下使濺射沉積薄膜滿足設定的均勻性要求，從而大大提高了沉積薄膜的均勻性；該磁控元件適用的磁控濺射系統以及適用的薄膜沉積材料都比較廣泛，並且，該磁控元件還能提高靶材的利用率。
简体摘要：本发明提供一种磁控组件和磁控溅射设备。该磁控组件包括闭合磁极和开路磁极，闭合磁极包围开路磁极，闭合磁极和开路磁极之间形成的磁场能使溅射沉积薄膜的均匀性小于5%。该磁控组件通过设置闭合磁极和开路磁极，能适用于RF/DC PVD技术，通过调节闭合磁极和开路磁极之间形成的等离子路径的形状与分布，能在全制程压力范围下使溅射沉积薄膜满足设置的均匀性要求，从而大大提高了沉积薄膜的均匀性；该磁控组件适用的磁控溅射系统以及适用的薄膜沉积材料都比较广泛，并且，该磁控组件还能提高靶材的利用率。

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