专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW544919B 半導體裝置之製造方法失效
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW544919B
公开(公告)日：2003-08-01
申请号：TW091112568
申请日：2002-06-10
申请人：佳能販賣股份有限公司 , 半導體工程研究所股份有限公司
发明人：鹽谷喜美 , 西本裕子 , 鈴木智美 , 豬鹿倉博志 , 前田和夫
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76834 , C23C16/0272 , C23C16/401 , C23C16/5096 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/31612 , H01L21/76801 , H01L21/76807 , H01L2221/1036
摘要：本發明係有關於一種半導體裝置之製造方法，其中一阻障絕緣層與一具有低相對介電常數的主絕緣層係於已鍍上一主要由銅薄膜組成的線路之時依序形成。其方法包括下列步驟：以一具有第一頻率(f1)的電源，施加在一至少含有一含矽氣體與一含氧氣體的第一成膜氣體，使其電漿化並發生反應，而在沉積用基板21上形成一阻障絕緣膜35a；以一具有高於第一頻率(f1)的第二頻率(f2)的電源，施加在一至少含有含矽氣體與含氧氣體的第二成膜氣體，使其電漿化並發生反應，而在阻障絕緣膜35a上形成一具有低相對介電常數的主絕緣膜35b。
简体摘要：本发明系有关于一种半导体设备之制造方法，其中一阻障绝缘层与一具有低相对介电常数的主绝缘层系于已镀上一主要由铜薄膜组成的线路之时依序形成。其方法包括下列步骤：以一具有第一频率(f1)的电源，施加在一至少含有一含硅气体与一含氧气体的第一成膜气体，使其等离子化并发生反应，而在沉积用基板21上形成一阻障绝缘膜35a；以一具有高于第一频率(f1)的第二频率(f2)的电源，施加在一至少含有含硅气体与含氧气体的第二成膜气体，使其等离子化并发生反应，而在阻障绝缘膜35a上形成一具有低相对介电常数的主绝缘膜35b。

2. 发明专利

TW546694B 半導體裝置及其製造方法失效
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW546694B
公开(公告)日：2003-08-11
申请号：TW091113931
申请日：2002-06-25
申请人：佳能販賣股份有限公司 , 半導體工程研究所股份有限公司
发明人：鹽谷喜美 , 西本裕子 , 前田和夫 , 鈴木智美 , 鹿倉博志
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： H01L21/76832 , C23C16/401 , H01L21/02126 , H01L21/0214 , H01L21/022 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/3122 , H01L21/3145 , H01L21/31612 , H01L21/31633 , H01L21/3185 , H01L21/76834
摘要：本發明係有關於一種半導體裝置，其阻障絕緣層係用於覆蓋在銅層上或銅導線上，此構造中，阻障絕緣層34a具有雙層或多層之構造，其中至少一第一阻障絕緣層34aa包含矽、氧、氮及氫或矽、氧、氮、氫及碳，以及一第二阻障絕緣層34ab包含矽、氧、及氫或矽、氧、氫及碳。
简体摘要：本发明系有关于一种半导体设备，其阻障绝缘层系用于覆盖在铜层上或铜导在线，此构造中，阻障绝缘层34a具有双层或多层之构造，其中至少一第一阻障绝缘层34aa包含硅、氧、氮及氢或硅、氧、氮、氢及碳，以及一第二阻障绝缘层34ab包含硅、氧、及氢或硅、氧、氢及碳。

3. 发明专利

TW356571B 可調整應力之絕緣膜之形成方法,半導體裝置及其製造方法失效
简体标题：可调整应力之绝缘膜之形成方法,半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW356571B
公开(公告)日：1999-04-21
申请号：TW086110442
申请日：1997-07-22
申请人：半導體工程研究所股份有限公司 , 佳能販賣股份有限公司
发明人：西本裕子 , 前田和夫
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/53295 , H01L21/02129 , H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/3121 , H01L21/31608 , H01L21/76801 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明揭露一種可調整應力之絕緣膜的形成方法，此可調整應力之絕緣膜是界於積層三層以上之金屬內連接線層中的個別內連接線層之間。藉由在一基板21上積層絕緣膜22a至22e、23a至23d，而形成總應力可調整之多層構造。
简体摘要：本发明揭露一种可调整应力之绝缘膜的形成方法，此可调整应力之绝缘膜是界于积层三层以上之金属内连接线层中的个别内连接线层之间。借由在一基板21上积层绝缘膜22a至22e、23a至23d，而形成总应力可调整之多层构造。

4. 发明专利

TW554446B 半導體裝置之製造方法失效
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW554446B
公开(公告)日：2003-09-21
申请号：TW091116820
申请日：2002-07-26
申请人：佳能販賣股份有限公司 , 半導體工程研究所股份有限公司
发明人：鹽谷喜美 , 西本裕子 , 鈴木智美 , 大河原昭司 , 前田和夫
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76838 , H01L21/318 , H01L21/321 , H01L21/76826 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：暴露一形成於半導體基材上之銅導線層之表面於一氣體之電漿中，其中該氣體係擇自至於：氨氣、氮與氫之混合氣體、CF4、C2F6、以及NF3，暴露該銅導線層之表面於一周遭氣體或氣體之電漿中，其中該周遭氣體或氣體之電漿係擇自於：氨氣、二氨乙烯(ethylenediamine)氣體、β-二烯酯(diketone)氣體、由氨氣與碳氫化合物氣體所組成之混合氣體、以及由氮氣與碳氫化合物氣體所組成之混合氣體，以及形成一銅擴散阻止絕緣層(Cu diffusion preventing insulating film)於該銅導線層上。
简体摘要：暴露一形成于半导体基材上之铜导线层之表面于一气体之等离子中，其中该气体系择自至于：氨气、氮与氢之混合气体、CF4、C2F6、以及NF3，暴露该铜导线层之表面于一周遭气体或气体之等离子中，其中该周遭气体或气体之等离子系择自于：氨气、二氨乙烯(ethylenediamine)气体、β-二烯酯(diketone)气体、由氨气与碳氢化合物气体所组成之混合气体、以及由氮气与碳氢化合物气体所组成之混合气体，以及形成一铜扩散阻止绝缘层(Cu diffusion preventing insulating film)于该铜导线层上。

5. 发明专利

TW200300965A 半導體裝置及其製法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 失效
简体标题：半导体设备及其制法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW200300965A
公开(公告)日：2003-06-16
申请号：TW091132588
申请日：2002-11-05
申请人：佳能販賣股份有限公司 , 半導體工程研究所股份有限公司
发明人：鹽谷喜美 , 西本裕子 , 鈴木智美 , 前田和夫
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L21/02126 , C23C16/308 , C23C16/401 , C23C16/455 , C23C16/45557 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02315 , H01L21/31633 , H01L21/76828 , H01L21/76834
摘要：一種半導體裝置的製法。以電漿輔助化學氣相沉積法在該裝置上成長出障礙絕緣薄膜，該方法包括：連接頻率為1MHz或更高之高頻電能的供應電源至第一電極2，並將基板21固定在第一電極2對面之第二電極3上，該基板上有銅導線，將含有烷基化合物與含氧氣體之薄膜成長氣體供應到第一和第二電極2、3之間，並調整薄膜成長氣體之氣壓至1Torr或更低，同時將高頻電能供應到第一與第二電極2、3其中之一，使薄膜成長氣體轉換成電漿狀態，至此薄膜成長氣體中之烷基化合物及含氧氣體相互反應，成長出障礙絕緣薄膜而覆蓋在基板21之表面。
简体摘要：一种半导体设备的制法。以等离子辅助化学气相沉积法在该设备上成长出障碍绝缘薄膜，该方法包括：连接频率为1MHz或更高之高频电能的供应电源至第一电极2，并将基板21固定在第一电极2对面之第二电极3上，该基板上有铜导线，将含有烷基化合物与含氧气体之薄膜成长气体供应到第一和第二电极2、3之间，并调整薄膜成长气体之气压至1Torr或更低，同时将高频电能供应到第一与第二电极2、3其中之一，使薄膜成长气体转换成等离子状态，至此薄膜成长气体中之烷基化合物及含氧气体相互反应，成长出障碍绝缘薄膜而覆盖在基板21之表面。

6. 发明专利

TW469532B 半導體裝置的製造方法失效
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW469532B
公开(公告)日：2001-12-21
申请号：TW087109516
申请日：1998-06-15
申请人：佳能販賣股份有限公司 , 半導體工程研究所股份有限公司
发明人：西本裕子 , 鈴木
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02164 , H01L21/02129 , H01L21/022 , H01L21/02271 , H01L21/0234 , H01L21/31051 , H01L21/31612 , H01L21/3185 , H01L21/76801
摘要：本發明係一種以TEOS和含於氧之含臭氧氣體為反應氣體，並在藉由CVD技術形成一後續薄膜之前先改質覆膜底層表面之方法，其在形成薄膜並暴露覆膜底絕緣層5於電漿下之前，先形成一覆膜底絕緣層5於一基底上以產生表面改質效果。
简体摘要：本发明系一种以TEOS和含于氧之含臭氧气体为反应气体，并在借由CVD技术形成一后续薄膜之前先改质覆膜底层表面之方法，其在形成薄膜并暴露复膜底绝缘层5于等离子下之前，先形成一覆膜底绝缘层5于一基底上以产生表面改质效果。

7. 发明专利

TW292423B 半導體裝置之製造方法(二) 失效
简体标题：半导体设备之制造方法(二)
公开(公告)号：TW292423B
公开(公告)日：1996-12-01
申请号：TW084106899
申请日：1995-07-04
申请人：佳能販賣股份有限公司
发明人：西本裕子 , 松井文哉 , 前田和尺
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係關於一種半體裝置之製造方法，尤有關於一種使用於半導體裝置之製造步驟中之具有凹凸之基板表面之平坦化的膜之形成方法。其目的在提供一種不致使膜質劣化，且能以低溫處理達成膜之平坦化縮半導體裝置之製造方法。
本發明之半導體裝置之製造方法係由以下各步驟構成：將由BPSG或PSG構成之膜沈積於具有凹凸之基板表面上之步驟；
不使該膜暴露於大氣中，而在該膜之上沈積SiO2膜，或沈積比該膜中所含之磷濃度或硼濃度更低濃度之由BPSG或 PSG構成之膜或SiO2膜的步驟；及施以熱處理，使此等膜熔解，流動令其平坦化之步驟。
简体摘要：本发明系关于一种半体设备之制造方法，尤有关于一种使用于半导体设备之制造步骤中之具有凹凸之基板表面之平坦化的膜之形成方法。其目的在提供一种不致使膜质劣化，且能以低温处理达成膜之平坦化缩半导体设备之制造方法。本发明之半导体设备之制造方法系由以下各步骤构成：将由BPSG或PSG构成之膜沉积于具有凹凸之基板表面上之步骤；不使该膜暴露于大气中，而在该膜之上沉积SiO2膜，或沉积比该膜中所含之磷浓度或硼浓度更低浓度之由BPSG或 PSG构成之膜或SiO2膜的步骤；及施以热处理，使此等膜熔解，流动令其平坦化之步骤。

8. 发明专利

TW286417B 半導體裝置之製造方法(一) 失效
简体标题：半导体设备之制造方法(一)
公开(公告)号：TW286417B
公开(公告)日：1996-09-21
申请号：TW084106900
申请日：1995-07-04
申请人：佳能販賣股份有限公司
发明人：西本裕子 , 前田和尺 , 德增德
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係關於一種用以沈積由TEOS-O3反應所生CVD- SiO2膜之方法。尤其關於一種可盡量抑制凹凸之發生的由 TEOS-O3反應所生CVD-SiO2膜之沈積方法。
先設定第１０3濃度，沈積由烷氧基矽烷-O3反應所生之CVD-SiO2膜32；其次再設定比該第１０3濃度更高之第２ O3濃度，沈積由烷氧基矽烷-O3反應所生之CVD-SiO2膜３４。
简体摘要：本发明系关于一种用以沉积由TEOS-O3反应所生CVD- SiO2膜之方法。尤其关于一种可尽量抑制凹凸之发生的由 TEOS-O3反应所生CVD-SiO2膜之沉积方法。先设置第１０3浓度，沉积由烷氧基硅烷-O3反应所生之CVD-SiO2膜32；其次再设置比该第１０3浓度更高之第２ O3浓度，沉积由烷氧基硅烷-O3反应所生之CVD-SiO2膜３４。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式