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1. 发明专利

TWI439804B 化學增幅型阻劑組成物有权
简体标题：化学增幅型阻剂组成物
公开(公告)号：TWI439804B
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW097103038
申请日：2008-01-28
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：高田佳幸 , TAKATA, YOSHIYUKI , 山本敏 , YAMAMOTO, SATOSHI , 山口訓史 , YAMAGUCHI, SATOSHI
IPC分类号： G03F7/004 , C08F20/28
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , Y10S430/111 , Y10S430/122 , Y10S430/123

2. 发明专利

TWI399617B 適用為酸產生劑之鹽及含該鹽之化學放大正型阻劑組成物有权
简体标题：适用为酸产生剂之盐及含该盐之化学放大正型阻剂组成物
公开(公告)号：TWI399617B
公开(公告)日：2013-06-21
申请号：TW096127703
申请日：2007-07-30
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：原田由香子 , HARADA, YUKAKO , 吉田勳 , YOSHIDA, ISAO , 高田佳幸 , TAKATA, YOSHIYUKI
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/004 , C07C309/12 , C07C381/12
CPC分类号： C07C381/12 , C07C309/17 , C07C2603/74 , C07D307/77 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , Y10S430/122 , Y10S430/123

3. 发明专利

TWI437364B 化學放大型阻劑組成物有权
简体标题：化学放大型阻剂组成物
公开(公告)号：TWI437364B
公开(公告)日：2014-05-11
申请号：TW096146444
申请日：2007-12-06
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：高田佳幸 , TAKATA, YOSHIYUKI , 宮川貴行 , MIYAGAWA, TAKAYUKI , 枝松邦茂 , EDAMATSU, KUNISHIGE
IPC分类号： G03F7/004 , C08F20/28
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , Y10S430/111 , Y10S430/123

4. 发明专利

TWI461847B 化學放大型阻劑組成物有权
简体标题：化学放大型阻剂组成物
公开(公告)号：TWI461847B
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：TW097109795
申请日：2008-03-20
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：藤裕介 , FUJI, YUSUKE , 高田佳幸 , TAKATA, YOSHIYUKI
IPC分类号： G03F7/027
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , Y10S430/111 , Y10S430/122 , Y10S430/123

5. 发明专利

TWI425312B 化學放大型光阻組成物有权
简体标题：化学放大型光阻组成物
公开(公告)号：TWI425312B
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW097109590
申请日：2008-03-19
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：山口訓史 , YAMAGUCHI, SATOSHI , 高田佳幸 , TAKATA, YOSHIYUKI , 荒木香 , ARAKI, KAORU
IPC分类号： G03F7/004 , C07C381/12
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111 , Y10S430/122

6. 发明专利

TWI395064B 適用於酸產生劑之鹽及含有該鹽之化學放大光阻組成物有权
简体标题：适用于酸产生剂之盐及含有该盐之化学放大光阻组成物
公开(公告)号：TWI395064B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW095131302
申请日：2006-08-25
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：原田由香子 , HARADA, YUKAKO , 吉田勳 , YOSHIDA, ISAO , 高田佳幸 , TAKATA, YOSHIYUKI
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/028 , C07C381/12
CPC分类号： C07C309/17 , C07C381/12 , C07C2601/14

7. 发明专利

TW201011471A 化學增幅正型光阻劑組合物 CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE RESIST COMPOSITION 审中-公开
简体标题：化学增幅正型光阻剂组合物 CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE RESIST COMPOSITION
公开(公告)号：TW201011471A
公开(公告)日：2010-03-16
申请号：TW098126404
申请日：2009-08-05
申请人：住友化學股份有限公司
发明人：島田雅彥 , 橋本和彥 , 山口訓史 , 金淳信 , 高田佳幸 , 平岡崇志
IPC分类号： G03F , C08F , C07C
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , Y10S430/108 , Y10S430/111
摘要：本發明提供化學增幅正型組合物，其包含：樹脂，其包含由式(I)代表之結構單元：
其中R 1 代表氫原子、鹵素原子、C1-C4烷基或C1-C4全氟烷基，Z代表單鍵或-(CH2)k-CO-X 4 -，k代表1至4之整數，X 1 、X 2 、X 3 及X 4 各自獨立地代表氧原子或硫原子，m代表1至3之整數且n代表0至3之整數；及酸產生劑。
简体摘要：本发明提供化学增幅正型组合物，其包含：树脂，其包含由式(I)代表之结构单元：其中R 1 代表氢原子、卤素原子、C1-C4烷基或C1-C4全氟烷基，Z代表单键或-(CH2)k-CO-X 4 -，k代表1至4之整数，X 1 、X 2 、X 3 及X 4 各自独立地代表氧原子或硫原子，m代表1至3之整数且n代表0至3之整数；及酸产生剂。

8. 发明专利

TWI375116B 化學放大正型光阻組成物 A CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE RESIST COMPOSITION 有权
简体标题：化学放大正型光阻组成物 A CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE RESIST COMPOSITION
公开(公告)号：TWI375116B
公开(公告)日：2012-10-21
申请号：TW094108549
申请日：2005-03-21
申请人：住友化學股份有限公司
发明人：戶石好治 , 高田佳幸 , 山口訓史
IPC分类号： G03F , C23F
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要：本發明提供一種化學放大正型光阻組成物，包含：樹脂，其含有具有酸不安定基團之結構單元且本身不溶於鹼水溶液或難溶於鹼水溶液，但經由酸之作用而變成可溶於鹼水溶液；酸產生劑；以及式(C-1)化合物
(C-1)
其中R1及R2各自分別表示氫或含1至4個碳原子之烷基，R3、R4及R5各自分別表示氫或羥基。
简体摘要：本发明提供一种化学放大正型光阻组成物，包含：树脂，其含有具有酸不安定基团之结构单元且本身不溶于碱水溶液或难溶于碱水溶液，但经由酸之作用而变成可溶于碱水溶液；酸产生剂；以及式(C-1)化合物 (C-1) 其中R1及R2各自分别表示氢或含1至4个碳原子之烷基，R3、R4及R5各自分别表示氢或羟基。

9. 发明专利

TW200942998A 抗蝕膜處理方法审中-公开
简体标题：抗蚀膜处理方法
公开(公告)号：TW200942998A
公开(公告)日：2009-10-16
申请号：TW097150587
申请日：2008-12-25
申请人：住友化學股份有限公司
发明人：畑光宏 , 高田佳幸 , 山口訓史 , 武元一樹 , 宮川貴行 , 藤裕介
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： H01L21/0275 , G03F7/0035 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/40
摘要：本發明的目的在於提供一種抗蝕處理方法，係在雙重圖案微影法等多重圖案微影法中，極微細且高精度地形成由第1次的抗蝕圖案形成用抗蝕組成物所得的圖案。本發明的抗蝕處理方法包含：（1）將含有樹脂（A），光酸產生劑（B）及交聯劑（C）的第1抗蝕組成物塗佈於基體上且乾燥而得第1抗蝕膜；該樹脂（A）係具有對酸不安定的基、對鹼水溶液不溶或難溶，但與酸作用後會變可溶；（2）將其預焙烤、曝光處理、曝光後焙烤、顯影而得第1抗蝕圖案；（3）將其硬焙烤、在其上塗佈第2抗蝕組成物並乾燥而得第2抗蝕膜；（4）將其預焙烤、曝光處理、曝光後焙烤、顯影而得第2抗蝕圖案等製程。
简体摘要：本发明的目的在于提供一种抗蚀处理方法，系在双重图案微影法等多重图案微影法中，极微细且高精度地形成由第1次的抗蚀图案形成用抗蚀组成物所得的图案。本发明的抗蚀处理方法包含：（1）将含有树脂（A），光酸产生剂（B）及交联剂（C）的第1抗蚀组成物涂布于基体上且干燥而得第1抗蚀膜；该树脂（A）系具有对酸不安定的基、对碱水溶液不溶或难溶，但与酸作用后会变可溶；（2）将其预焙烤、曝光处理、曝光后焙烤、显影而得第1抗蚀图案；（3）将其硬焙烤、在其上涂布第2抗蚀组成物并干燥而得第2抗蚀膜；（4）将其预焙烤、曝光处理、曝光后焙烤、显影而得第2抗蚀图案等制程。

10. 发明专利

TWI402889B 化學放大型正光阻組成物，及其樹脂有权
简体标题：化学放大型正光阻组成物，及其树脂
公开(公告)号：TWI402889B
公开(公告)日：2013-07-21
申请号：TW093129532
申请日：2004-09-30
申请人：住友化學工業股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：藤裕介 , FUJI, YUSUKE , 高田佳幸 , TAKATA, YOSHIYUKI , 吉田勳 , YOSHIDA, ISAO
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0397 , Y10S430/111 , Y10S430/122 , Y10S430/126

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