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2. 发明专利

TW201802909A ＬＥＤ製造用圖案化藍寶石基板的氮化鎵薄膜清除裝置及其清除方法审中-公开
简体标题：ＬＥＤ制造用图案化蓝宝石基板的氮化镓薄膜清除设备及其清除方法
公开(公告)号：TW201802909A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW105121282
申请日：2016-07-05
申请人：伯思達綠能科技股份有限公司
发明人：陳威智
IPC分类号： H01L21/304 , H01L33/00 , B08B7/00 , B09B3/00
摘要：本發明為一種LED製造用圖案化藍寶石基板的氮化鎵薄膜清除裝置，包括：一反應腔體；以及一蝕刻目標物，該蝕刻目標物收容於該反應腔體之一固定元件中，其中該反應腔體內部控制在溫度250℃~950℃及30至70000帕大氣壓的壓力，10分鐘至3小時的工程時間內提供氯氣，清除該蝕刻目標物表面上的氮化鎵(GaN)膜。以及，本發明更包括一種LED製造用圖案化藍寶石基板的氮化鎵薄膜清除方法。藉此，本發明對母材不會有影響，清除蝕刻目標物表面上的氮化鎵(GaN)膜後，蝕刻目標物能夠再次使用，無須再進行圖案化藍寶石基板(PSS,patterned sapphire substrate)加工，立刻可以使用。
简体摘要：本发明为一种LED制造用图案化蓝宝石基板的氮化镓薄膜清除设备，包括：一反应腔体；以及一蚀刻目标物，该蚀刻目标物收容于该反应腔体之一固定组件中，其中该反应腔体内部控制在温度250℃~950℃及30至70000帕大气压的压力，10分钟至3小时的工程时间内提供氯气，清除该蚀刻目标物表面上的氮化镓(GaN)膜。以及，本发明更包括一种LED制造用图案化蓝宝石基板的氮化镓薄膜清除方法。借此，本发明对母材不会有影响，清除蚀刻目标物表面上的氮化镓(GaN)膜后，蚀刻目标物能够再次使用，无须再进行图案化蓝宝石基板(PSS,patterned sapphire substrate)加工，立刻可以使用。

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