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1. 发明专利

TW315482B 用於離子束傳送之方法及裝置失效
简体标题：用于离子束发送之方法及设备
公开(公告)号：TW315482B
公开(公告)日：1997-09-11
申请号：TW085115547
申请日：1996-12-17
申请人：伊藤公司
发明人：威廉.愛德華.雷諾茲 , 陳中 , 湯瑪斯.奈爾.賀斯基 , 維克多.墨利斯.班凡尼斯特
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J37/3007 , H01J37/3171 , H01J2237/0041
摘要：用於使一離子束維持沿著由一離子源(12)至一離子植入臺(16)之一電束路徑之方法及裝置，其中離子植入臺係離子束處理工作件之處。一離子束中性化器(44)係位於離子束植入臺(16)上游，且將中性化電子注入離子束中。一磁場產生於離子束中性化器之上游，以防止中性化電子向上游移動。一用於產生避免電子移動之磁場之揭示技術係使第一及第二永久磁鐵(M1、M2)間隔開。
简体摘要：用于使一离子束维持沿着由一离子源(12)至一离子植入台(16)之一电束路径之方法及设备，其中离子植入台系离子束处理工作件之处。一离子束中性化器(44)系位于离子束植入台(16)上游，且将中性化电子注入离子束中。一磁场产生于离子束中性化器之上游，以防止中性化电子向上游移动。一用于产生避免电子移动之磁场之揭示技术系使第一及第二永久磁铁(M1、M2)间隔开。

2. 发明专利

TW350974B 用於離子束中和之方法及裝置失效
简体标题：用于离子束中和之方法及设备
公开(公告)号：TW350974B
公开(公告)日：1999-01-21
申请号：TW086110393
申请日：1997-07-22
申请人：伊藤公司
发明人：陳中
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/026 , H01J2237/0041 , H01J2237/31701
摘要：用於沿著離子束路徑維持一離子束（１４）從離子源（１２）到一離子植入站（１６）的方法與裝置，在離子植入站處工件係被加以離子束處理。一離子束中和器（４４）是被定位於離子處理站之上游，並包括約束離子束路徑的吸持結構（１２０）。一定位於吸持結構內的電子源（１２６）將電子發射到離子束。由吸持結構支撐的一排磁鐵（１２４）產生一磁場，以吸持在吸持結構內移動的電子。一內部磁鐵過濾場是是藉由復數個軸向延長的過濾桿（２０８）而建立於吸持結構內，該些過濾桿具有界限離子束的壓縮磁鐵（２２４），其方向大致被定位成於離子束路徑平行。此內部磁場限制較高能量之電子（３００）離開離子束路徑，並允許較低能量之電子（３０１）沿著離子束漂移。
简体摘要：用于沿着离子束路径维持一离子束（１４）从离子源（１２）到一离子植入站（１６）的方法与设备，在离子植入站处工件系被加以离子束处理。一离子束中和器（４４）是被定位于离子处理站之上游，并包括约束离子束路径的吸持结构（１２０）。一定位于吸持结构内的电子源（１２６）将电子发射到离子束。由吸持结构支撑的一排磁铁（１２４）产生一磁场，以吸持在吸持结构内移动的电子。一内部磁铁过滤场是是借由复数个轴向延长的过滤杆（２０８）而创建于吸持结构内，该些过滤杆具有界限离子束的压缩磁铁（２２４），其方向大致被定位成于离子束路径平行。此内部磁场限制较高能量之电子（３００）离开离子束路径，并允许较低能量之电子（３０１）沿着离子束漂移。

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