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2. 发明专利

TW201017913A 內嵌式鍺二極體 RECESSED GERMANIUM (GE) DIODE 审中-公开
简体标题：内嵌式锗二极管 RECESSED GERMANIUM (GE) DIODE
公开(公告)号：TW201017913A
公开(公告)日：2010-05-01
申请号：TW098123005
申请日：2009-07-08
申请人：亞德諾公司
发明人：亞沙提斯約翰 , 洛威爾羅倫斯
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/18 , H01L27/1443 , H01L31/074
摘要：光二極體係形成於矽(Si)基材中之內嵌式鍺(Ge)區域中。Ge區域可經由蝕刻一孔通過該Si基材上之鈍化層並進入該Si基材，並接著經由選擇性磊晶製程而於該孔中生長Ge而予以製造。Ge在該孔中選擇性地生長顯較在Si或氧化物表面上為佳。Ge可形成該孔的部分或全部之鈍化側壁以共形地填充該孔，並產生約與該基材之表面齊平的內嵌式Ge區域，而沒有台面(mesa)之特殊傾斜側面。該孔可蝕刻地夠深使得該光二極體夠厚而獲得對於進入該光二極體的垂直式自由空間光線之良好耦合效率。
简体摘要：光二极管系形成于硅(Si)基材中之内嵌式锗(Ge)区域中。Ge区域可经由蚀刻一孔通过该Si基材上之钝化层并进入该Si基材，并接着经由选择性磊晶制程而于该孔中生长Ge而予以制造。Ge在该孔中选择性地生长显较在Si或氧化物表面上为佳。Ge可形成该孔的部分或全部之钝化侧壁以共形地填充该孔，并产生约与该基材之表面齐平的内嵌式Ge区域，而没有台面(mesa)之特殊倾斜侧面。该孔可蚀刻地够深使得该光二极管够厚而获得对于进入该光二极管的垂直式自由空间光线之良好耦合效率。

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