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1. 发明专利

TWI531014B 氣密晶圓級封裝方法及由其方法所製成的氣密晶圓級封裝結構有权
简体标题：气密晶圆级封装方法及由其方法所制成的气密晶圆级封装结构
公开(公告)号：TWI531014B
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：TW103104931
申请日：2014-02-14
申请人：亞太優勢微系統股份有限公司 , ASIA PACIFIC MICROSYSTEMS, INC.
发明人：殷宏林 , YIN, HUNG LIN , 謝哲偉 , HSIEH, JER WEI
IPC分类号： H01L21/58 , H01L21/60

2. 发明专利

TW201532153A 氣密晶圓級封裝方法及由其方法所製成的氣密晶圓級封裝結構审中-公开
简体标题：气密晶圆级封装方法及由其方法所制成的气密晶圆级封装结构
公开(公告)号：TW201532153A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW103104931
申请日：2014-02-14
申请人：亞太優勢微系統股份有限公司 , ASIA PACIFIC MICROSYSTEMS, INC.
发明人：殷宏林 , YIN, HUNG LIN , 謝哲偉 , HSIEH, JER WEI
IPC分类号： H01L21/58 , H01L21/60
摘要：氣密晶圓級封裝方法包含：(a)於封蓋晶圓的第一表面形成數個環形墊及數個由各環形墊圍繞的接合墊，各接合墊內形成有一分別由一內環面所定義的凹槽；(b)於封蓋晶圓的第一表面側形成阻障層；(c)在阻障層上形成由非晶矽或非晶鍺所構成的第一接合層；(d)藉第一接合層與元件晶圓之第一表面上的圖案化第二接合層共晶接合，元件晶圓之第一表面具有一與部分圖案化第二接合層電連接的電子元件；(e)自相反於封蓋晶圓之第一表面的第二表面局部移除封蓋晶圓以定義出外表面並使各凹槽對應形成穿孔；及(f)於封蓋晶圓的外表面之各穿孔處覆蓋金屬導電層以電連接於圖案化第二接合層。
简体摘要：气密晶圆级封装方法包含：(a)于封盖晶圆的第一表面形成数个环形垫及数个由各环形垫围绕的接合垫，各接合垫内形成有一分别由一内环面所定义的凹槽；(b)于封盖晶圆的第一表面侧形成阻障层；(c)在阻障层上形成由非晶硅或非晶锗所构成的第一接合层；(d)藉第一接合层与组件晶圆之第一表面上的图案化第二接合层共晶接合，组件晶圆之第一表面具有一与部分图案化第二接合层电连接的电子组件；(e)自相反于封盖晶圆之第一表面的第二表面局部移除封盖晶圆以定义出外表面并使各凹槽对应形成穿孔；及(f)于封盖晶圆的外表面之各穿孔处覆盖金属导电层以电连接于图案化第二接合层。

3. 发明专利

TW201728885A 微型壓阻式壓力感測器审中-公开
简体标题：微型压阻式压力传感器
公开(公告)号：TW201728885A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105103218
申请日：2016-02-02
申请人：亞太優勢微系統股份有限公司 , ASIA PACIFIC MICROSYSTEMS, INC.
发明人：殷宏林 , YIN, HUNG-LIN , 江政禕 , 黃煜哲
IPC分类号： G01L9/06
CPC分类号： G01L9/0044 , G01L9/0047 , G01L9/0055 , G01L9/06
摘要：一種微型壓阻式壓力感測器，包含一基材及一元件結構層。該基材形成有一振動空間。該元件結構層位於該基材上並具有一上表面，且於該上表面形成一與該振動空間位置相對應的凹槽並藉此形成一介於該凹槽與該振動空間之間的可振動的薄膜。該凹槽由該薄膜及一連接該薄膜與該上表面的側壁面所界定。該元件結構層還由離子植入形成一離子濃度較低的壓阻區及一離子濃度較高的導線區，其中該壓阻區從該薄膜延伸通過該側壁面至該上表面，該導線區與該壓阻區連接並分布在該上表面。
简体摘要：一种微型压阻式压力传感器，包含一基材及一组件结构层。该基材形成有一振动空间。该组件结构层位于该基材上并具有一上表面，且于该上表面形成一与该振动空间位置相对应的凹槽并借此形成一介于该凹槽与该振动空间之间的可振动的薄膜。该凹槽由该薄膜及一连接该薄膜与该上表面的侧壁面所界定。该组件结构层还由离子植入形成一离子浓度较低的压阻区及一离子浓度较高的导线区，其中该压阻区从该薄膜延伸通过该侧壁面至该上表面，该导线区与该压阻区连接并分布在该上表面。

4. 发明专利

TWI583931B 微型壓阻式壓力感測器有权
简体标题：微型压阻式压力传感器
公开(公告)号：TWI583931B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW105103218
申请日：2016-02-02
申请人：亞太優勢微系統股份有限公司 , ASIA PACIFIC MICROSYSTEMS, INC.
发明人：殷宏林 , YIN, HUNG-LIN , 江政禕 , 黃煜哲
IPC分类号： G01L9/06
CPC分类号： G01L9/0044 , G01L9/0047 , G01L9/0055 , G01L9/06

5. 发明专利

TWI518804B 單體化複合傳感器及其封裝品有权
简体标题：单体化复合传感器及其封装品
公开(公告)号：TWI518804B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW101104710
申请日：2012-02-14
申请人：亞太優勢微系統股份有限公司 , ASIA PACIFIC MICROSYSTEMS, INC.
发明人：吳章文 , WU, ZHANG WEN , 謝哲偉 , XIE, ZHE WEI , 葉武振 , YE, WU ZHEN , 殷宏林 , YAN, HONG LIN , 郗懷威 , XI, HUAI WEI
IPC分类号： H01L21/50 , H01L23/02 , B81C1/00
CPC分类号： G01P1/00 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2201/0278 , G01P15/0802 , G01P15/123

6. 发明专利

TWI646597B 壓阻式壓力感測器的製法及壓阻式壓力感測器有权
简体标题：压阻式压力传感器的制法及压阻式压力传感器
公开(公告)号：TWI646597B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW106136509
申请日：2017-10-24
申请人：亞太優勢微系統股份有限公司 , ASIA PACIFIC MICROSYSTEMS, INC.
发明人：殷宏林 , YIN, HUNG-LIN , 詹慧如 , CHAN, HUI-JU , 林穀豐 , LIN, KU-FENG
IPC分类号： H01L21/306 , G01L9/06

7. 发明专利

TW201334086A 單體化複合傳感器及其封裝品审中-公开
简体标题：单体化复合传感器及其封装品
公开(公告)号：TW201334086A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101104710
申请日：2012-02-14
申请人：亞太優勢微系統股份有限公司 , ASIA PACIFIC MICROSYSTEMS, INC.
发明人：吳章文 , WU, ZHANG WEN , 謝哲偉 , XIE, ZHE WEI , 葉武振 , YE, WU ZHEN , 殷宏林 , YAN, HONG LIN , 郗懷威 , XI, HUAI WEI
IPC分类号： H01L21/50 , H01L23/02 , B81C1/00
CPC分类号： G01P1/00 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2201/0278 , G01P15/0802 , G01P15/123
摘要：一種單體化複合傳感器的封裝品包含：一單體化複合傳感器、一封蓋及一底板。單體化複合傳感器包含：一主體、一複合體、至少一連結樑及多個傳感元件。複合體包括相連接的一質量塊及一薄膜，兩者共同界定出至少一空腔。連結樑連結主體與複合體，使複合體可相對於主體作運動。其中至少一個傳感元件形成於薄膜位於空腔上之區域。封蓋連接於單體化複合傳感器的上表面，遮蓋複合體及所述連結樑並與複合體及連結樑相間隔，且設有多個穿孔。底板連接於單體化複合傳感器的下表面，與封蓋位於單體化複合傳感器的相反兩側，且與複合體相間隔。
简体摘要：一种单体化复合传感器的封装品包含：一单体化复合传感器、一封盖及一底板。单体化复合传感器包含：一主体、一复合体、至少一链接梁及多个传感组件。复合体包括相连接的一质量块及一薄膜，两者共同界定出至少一空腔。链接梁链接主体与复合体，使复合体可相对于主体作运动。其中至少一个传感组件形成于薄膜位于空腔上之区域。封盖连接於单体化复合传感器的上表面，遮盖复合体及所述链接梁并与复合体及链接梁相间隔，且设有多个穿孔。底板连接於单体化复合传感器的下表面，与封盖位於单体化复合传感器的相反两侧，且与复合体相间隔。

8. 发明专利

TWI606007B 採用複合基材的微機電元件以及其製作方法有权
简体标题：采用复合基材的微机电组件以及其制作方法
公开(公告)号：TWI606007B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：TW104107337
申请日：2015-03-06
申请人：亞太優勢微系統股份有限公司 , ASIA PACIFIC MICROSYSTEMS. INC.
发明人：殷宏林 , YIN, HUNG-LIN , 蘇漢堂 , SU, HAN-TANG , 羅國綸 , LUO GUO-LUN
IPC分类号： B81C3/00 , B81B5/00 , B81B7/00

9. 发明专利

TWI571978B 具有支撐結構的微元件的製作方法有权
简体标题：具有支撑结构的微组件的制作方法
公开(公告)号：TWI571978B
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：TW104105400
申请日：2015-02-16
申请人：亞太優勢微系統股份有限公司 , ASIA PACIFIC MICROSYSTEMS, INC.
发明人：殷宏林 , YIN, HUNG LIN
IPC分类号： H01L23/12
CPC分类号： H01L23/562 , B06B1/0292 , B81C1/00 , H01L21/283 , H01L21/306 , H01L21/762 , H01L21/76251 , H01L23/00 , H01L24/03 , H01L24/84 , H01L24/95 , H01L2224/37599 , H01L2224/95 , H01L2924/00014 , H01L2224/03 , H01L2224/37099

10. 发明专利

TW201631713A 具有支撐結構的微元件的製作方法审中-公开
简体标题：具有支撑结构的微组件的制作方法
公开(公告)号：TW201631713A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW104105400
申请日：2015-02-16
申请人：亞太優勢微系統股份有限公司 , ASIA PACIFIC MICROSYSTEMS, INC.
发明人：殷宏林 , YIN, HUNG LIN
IPC分类号： H01L23/12
CPC分类号： H01L23/562 , B06B1/0292 , B81C1/00 , H01L21/283 , H01L21/306 , H01L21/762 , H01L21/76251 , H01L23/00 , H01L24/03 , H01L24/84 , H01L24/95 , H01L2224/37599 , H01L2224/95 , H01L2924/00014 , H01L2224/03 , H01L2224/37099
摘要：一種具有支撐結構的微元件的製作方法，包含以下步驟：提供一第一晶圓；形成一與該第一晶圓接合的第一結構層；形成多個至少貫穿該第一結構層的溝槽，以界定出多個結構體；及可選擇地對應至少一結構體形成一支撐結構，該支撐結構由介電材料形成且連接該結構體及該第一晶圓，以加強該結構體與該第一晶圓的接合強度。
简体摘要：一种具有支撑结构的微组件的制作方法，包含以下步骤：提供一第一晶圆；形成一与该第一晶圆接合的第一结构层；形成多个至少贯穿该第一结构层的沟槽，以界定出多个结构体；及可选择地对应至少一结构体形成一支撑结构，该支撑结构由介电材料形成且连接该结构体及该第一晶圆，以加强该结构体与该第一晶圆的接合强度。

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