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1. 发明专利

TWI611457B 電漿處理設備、其清洗系統以及控制方法有权
简体标题：等离子处理设备、其清洗系统以及控制方法
公开(公告)号：TWI611457B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW105117286
申请日：2016-06-01
申请人：中微半導體設備(上海)有限公司 , ADVANCED MICRO-FABRICATION EQUIPMENT INC.
发明人：楊平 , 葉如彬 , 梁潔
IPC分类号： H01J37/32

2. 发明专利

TWI605517B 基板處理方法及設備有权
简体标题：基板处理方法及设备
公开(公告)号：TWI605517B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW105134791
申请日：2016-10-27
申请人：中微半導體設備(上海)有限公司 , ADVANCED MICRO-FABRICATION EQUIPMENT INC.
发明人：楊平 , 萬磊
IPC分类号： H01L21/3065 , G01N21/62
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32477 , H01J37/32495 , H01J37/32642 , H01J37/32862 , H01J37/32871 , H01J37/32963 , H01J2237/3341 , H01L22/12 , H01L22/20

3. 发明专利

TW201604917A 多處理區域等離子體處理裝置及等離子體工藝監測方法审中-公开
简体标题：多处理区域等离子体处理设备及等离子体工艺监测方法
公开(公告)号：TW201604917A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW103143957
申请日：2014-12-16
申请人：中微半導體設備(上海)有限公司
发明人：黃智林 , 楊平 , 周旭升
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67
摘要：本發明公開了一種多處理區域的等離子體處理裝置，其包括多個處理區域，每一個處理區域對一個半導體基片進行等離子體處理，其包括監測單元與資料處理單元。監測單元監測其所處處理區域內的至少一個工藝參數或其相關信號；資料處理單元用於在其所處處理區域未發生工藝狀態變化但至少一個其他處理區域發生工藝狀態變化時發送修正資料至監測單元以對應替換將由該監測單元監測的相同資料長度的工藝參數或其相關信號。本發明還提供了一種相應的等離子體工藝監測方法。本發明能夠消除不同處理區域工藝狀態的變化對監測資料所造成的干擾。
简体摘要：本发明公开了一种多处理区域的等离子体处理设备，其包括多个处理区域，每一个处理区域对一个半导体基片进行等离子体处理，其包括监测单元与数据处理单元。监测单元监测其所处处理区域内的至少一个工艺参数或其相关信号；数据处理单元用于在其所处处理区域未发生工艺状态变化但至少一个其他处理区域发生工艺状态变化时发送修正数据至监测单元以对应替换将由该监测单元监测的相同数据长度的工艺参数或其相关信号。本发明还提供了一种相应的等离子体工艺监测方法。本发明能够消除不同处理区域工艺状态的变化对监测数据所造成的干扰。

4. 发明专利

TW201528328A 等離子體去膠工藝的終點檢測系統和方法审中-公开
简体标题：等离子体去胶工艺的终点检测系统和方法
公开(公告)号：TW201528328A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103141958
申请日：2014-12-03
申请人：中微半導體設備(上海)有限公司
发明人：楊平 , 萬磊
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67
摘要：本發明提供了一種等離子體去膠工藝的終點檢測方法和檢測系統，檢測方法包括：產生預設光；所述預設光能夠被反應腔室內的特定氣體或粒子所吸收，所述特定氣體或粒子是在等離子體去膠工藝中被消耗的氣體或粒子或者產生的氣體或粒子；獲取所述預設光在射入反應腔室之前的的入射光強；獲取經過反應腔室後從所述反應腔室射出的所述預設光的出射光強；比較所述入射光強和所述出射光強，並判斷比較結果是否不小於預設閾值，如果是，則確定等離子體去膠工藝達到終點；其中，所述預設閾值是應腔室內沒有進行等離子體去膠工藝時，進入反應腔室前的入射光強I0 和穿過反應腔室之後從反應腔室射出的出射光強Imin 的比較結果。
简体摘要：本发明提供了一种等离子体去胶工艺的终点检测方法和检测系统，检测方法包括：产生默认光；所述默认光能够被反应腔室内的特定气体或粒子所吸收，所述特定气体或粒子是在等离子体去胶工艺中被消耗的气体或粒子或者产生的气体或粒子；获取所述默认光在射入反应腔室之前的的入射光强；获取经过反应腔室后从所述反应腔室射出的所述默认光的出射光强；比较所述入射光强和所述出射光强，并判断比较结果是否不小于默认阈值，如果是，则确定等离子体去胶工艺达到终点；其中，所述默认阈值是应腔室内没有进行等离子体去胶工艺时，进入反应腔室前的入射光强I0 和穿过反应腔室之后从反应腔室射出的出射光强Imin 的比较结果。

5. 发明专利

TW201712723A 電漿處理設備、其清洗系統以及控制方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备、其清洗系统以及控制方法
公开(公告)号：TW201712723A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105117286
申请日：2016-06-01
申请人：中微半導體設備(上海)有限公司 , ADVANCED MICRO-FABRICATION EQUIPMENT INC.
发明人：楊平 , 葉如彬 , 梁潔
IPC分类号： H01J37/32
摘要：本發明涉及一種電漿處理設備及其清洗系統和方法，在反應腔室的腔壁內側佈置移動環，並在移動環內設置電極；電極藉由切換開關與射頻電源連通，從而在由移動環限定的電漿擴散範圍的邊緣區域形成邊緣電漿；或者，電極藉由切換開關與接地電路連通，從而對反應腔室的腔壁遮罩形成在反應腔室內的射頻電場。本發明能夠增強腔室邊緣部件的清洗效果，或者實現對腔壁的射頻遮罩以改善刻蝕偏心的效果。
简体摘要：本发明涉及一种等离子处理设备及其清洗系统和方法，在反应腔室的腔壁内侧布置移动环，并在移动环内设置电极；电极借由切换开关与射频电源连通，从而在由移动环限定的等离子扩散范围的边缘区域形成边缘等离子；或者，电极借由切换开关与接地电路连通，从而对反应腔室的腔壁遮罩形成在反应腔室内的射频电场。本发明能够增强腔室边缘部件的清洗效果，或者实现对腔壁的射频遮罩以改善刻蚀偏心的效果。

6. 发明专利

TWI553697B 多處理區域等離子體處理裝置及等離子體工藝監測方法有权
简体标题：多处理区域等离子体处理设备及等离子体工艺监测方法
公开(公告)号：TWI553697B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW103143957
申请日：2014-12-16
申请人：中微半導體設備(上海)有限公司
发明人：黃智林 , 楊平 , 周旭升
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67

7. 发明专利

TWI517278B 改善TSV刻蝕工藝的系統及刻蝕終點監測方法有权
简体标题：改善TSV刻蚀工艺的系统及刻蚀终点监测方法
公开(公告)号：TWI517278B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW103117703
申请日：2014-05-21
申请人：中微半導體設備(上海)有限公司
发明人：楊平 , 黃智林
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/3065

8. 发明专利

TW201525440A 等離子體蝕刻系統审中-公开
简体标题：等离子体蚀刻系统
公开(公告)号：TW201525440A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103141957
申请日：2014-12-03
申请人：中微半導體設備(上海)有限公司
发明人：楊平 , 黃智林
IPC分类号： G01N21/00 , G01J3/30 , H01L21/3065
摘要：一種等離子體蝕刻系統，其中包括射頻源、終點檢測系統以及反應腔，所述終點檢測系統包括光譜儀，所述光譜儀包括光柵，其中所述射頻源和所述光譜儀分別與所述反應腔連接，所述射頻源和所述光譜儀並聯連接，所述射頻源由第一脈衝信號控制，所述光譜儀光柵的開關由第二脈衝信號控制，所述第一脈衝信號和所述第二脈衝信號同步，透過本發明提供的等離子體蝕刻系統能夠檢測脈衝等離子體蝕刻工藝的終點。
简体摘要：一种等离子体蚀刻系统，其中包括射频源、终点检测系统以及反应腔，所述终点检测系统包括光谱仪，所述光谱仪包括光栅，其中所述射频源和所述光谱仪分别与所述反应腔连接，所述射频源和所述光谱仪并联连接，所述射频源由第一脉冲信号控制，所述光谱仪光栅的开关由第二脉冲信号控制，所述第一脉冲信号和所述第二脉冲信号同步，透过本发明提供的等离子体蚀刻系统能够检测脉冲等离子体蚀刻工艺的终点。

9. 发明专利

TW201416487A 用於等離子體處理腔室內部的部件及製造方法审中-公开
简体标题：用于等离子体处理腔室内部的部件及制造方法
公开(公告)号：TW201416487A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW101144481
申请日：2012-11-28
申请人：中微半導體設備(上海)有限公司
发明人：賀小明 , 萬磊 , 徐朝陽 , 楊平 , 張翰廷
IPC分类号： C23C16/513 , C25D11/04 , C25D11/24
CPC分类号： C25D11/246 , C23C14/0021 , C23C14/083 , C23C14/30 , C23C14/32 , C23C28/044 , C25D11/24 , Y10T428/24355
摘要：一種用於等離子體處理腔室的部件的增強型塗層，所述增強型塗層形成於未密封的陽極化處理表面上。在塗層形成之後，對塗覆了塗層的區域執行掩膜，並對剩餘的陽極化處理表面進行密封。被陽極化處理的但未被密封的鋁的多孔的和粗糙的結構增強了塗層的粘附力。然而，為了防止顆粒污染產生，曝露的陽極處理化表面在塗層形成之後被密封。塗層可為氧化釔，其由等離子體增強型原子沉積技術製造，以形成一緻密和光滑的塗層。
简体摘要：一种用于等离子体处理腔室的部件的增强型涂层，所述增强型涂层形成于未密封的阳极化处理表面上。在涂层形成之后，对涂覆了涂层的区域运行掩膜，并对剩余的阳极化处理表面进行密封。被阳极化处理的但未被密封的铝的多孔的和粗糙的结构增强了涂层的粘附力。然而，为了防止颗粒污染产生，曝露的阳极处理化表面在涂层形成之后被密封。涂层可为氧化钇，其由等离子体增强型原子沉积技术制造，以形成一致密和光滑的涂层。

10. 发明专利

TWI595222B 等離子體蝕刻系統有权
简体标题：等离子体蚀刻系统
公开(公告)号：TWI595222B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：TW103141957
申请日：2014-12-03
申请人：中微半導體設備(上海)有限公司
发明人：楊平 , 黃智林
IPC分类号： G01N21/00 , G01J3/30 , H01L21/3065

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