专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201810527A 半導體結構及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201810527A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW105127211
申请日：2016-08-25
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：吳世凱 , WU, SHIH KAI , 王晟宇 , WANG, CHENG YU
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/335 , H01L21/8222
摘要：本揭露提供一種半導體結構，包括：一第一基板；一氧化層，形成於該第一基板上；一第二基板，形成於該氧化層上；複數個半導體裝置，形成於該第二基板中；複數個第一溝槽，形成於該第二基板中並填入有一介電材料與一導電材料，其中該等第一溝槽彼此分離，且該等第一溝槽之其中之一包圍該等半導體裝置之其中之一；一接觸窗，形成於該第二基板中並穿過該氧化層，與該第一基板連接，其中該接觸窗填入有該介電材料與該導電材料；以及一第三溝槽，形成於該第二基板中並填入有該介電材料與該導電材料，其中該第三溝槽包圍該接觸窗。本揭露另提供一種半導體結構之製造方法。
简体摘要：本揭露提供一种半导体结构，包括：一第一基板；一氧化层，形成于该第一基板上；一第二基板，形成于该氧化层上；复数个半导体设备，形成于该第二基板中；复数个第一沟槽，形成于该第二基板中并填入有一介电材料与一导电材料，其中该等第一沟槽彼此分离，且该等第一沟槽之其中之一包围该等半导体设备之其中之一；一接触窗，形成于该第二基板中并穿过该氧化层，与该第一基板连接，其中该接触窗填入有该介电材料与该导电材料；以及一第三沟槽，形成于该第二基板中并填入有该介电材料与该导电材料，其中该第三沟槽包围该接触窗。本揭露另提供一种半导体结构之制造方法。

2. 发明专利

TW201810526A 半導體結構及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201810526A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW105127015
申请日：2016-08-24
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：吳世凱 , WU, SHIH KAI , 王晟宇 , WANG, CHENG YU
IPC分类号： H01L21/76
摘要：本揭露提供一種半導體結構，包括：一第一基板；一氧化層，形成於該第一基板上；一第二基板，形成於該氧化層上；複數個半導體裝置，形成於該第二基板中；以及複數個溝槽，形成於該第二基板中並填入有一絕緣材料，其中該等溝槽彼此分離，且該等溝槽之其中之一包圍該等半導體裝置之其中之一。本揭露另提供一種半導體結構之製造方法。
简体摘要：本揭露提供一种半导体结构，包括：一第一基板；一氧化层，形成于该第一基板上；一第二基板，形成于该氧化层上；复数个半导体设备，形成于该第二基板中；以及复数个沟槽，形成于该第二基板中并填入有一绝缘材料，其中该等沟槽彼此分离，且该等沟槽之其中之一包围该等半导体设备之其中之一。本揭露另提供一种半导体结构之制造方法。

3. 发明专利

TWI575651B 半導體結構及其製造方法有权
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI575651B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW105127211
申请日：2016-08-25
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：吳世凱 , WU, SHIH KAI , 王晟宇 , WANG, CHENG YU
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/335 , H01L21/8222

4. 发明专利

TWI611506B 半導體結構及其製造方法有权
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI611506B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW105127015
申请日：2016-08-24
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：吳世凱 , WU, SHIH KAI , 王晟宇 , WANG, CHENG YU
IPC分类号： H01L21/76

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式