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2. 发明专利

TW201036158A 半導體裝置及橫向擴散金氧半電晶體 SEMICONDUCTOR DEVICE AND LATERAL DIFFUSED METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR TRANSISTOR 审中-公开
简体标题：半导体设备及横向扩散金氧半晶体管 SEMICONDUCTOR DEVICE AND LATERAL DIFFUSED METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR TRANSISTOR
公开(公告)号：TW201036158A
公开(公告)日：2010-10-01
申请号：TW098110629
申请日：2009-03-31
申请人：世界先進積體電路股份有限公司
发明人：林靖民 , 杜尚暉 , 蕭銘宏
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種半導體裝置及橫向擴散金氧半電晶體,上述半導體裝置包括一基板,其具有一第一導電類型;一閘極,設置於上述基板上;一源極摻雜區,形成於上述基板中,且鄰近於上述閘極的一第一側邊,其中上述源極摻雜區具有相反於上述第一導電類型之一第二導電類型;一汲極摻雜區,形成於上述基板中,且鄰近上述閘極的相對於上述第一側邊之一第二側邊,其中上述汲極摻雜區由交錯設置的具有上述第一導電類型之複數個第一摻雜區和具有上述第二導電類型複數個第二摻雜區構成。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备及横向扩散金氧半晶体管,上述半导体设备包括一基板,其具有一第一导电类型;一闸极,设置于上述基板上;一源极掺杂区,形成于上述基板中,且邻近于上述闸极的一第一侧边,其中上述源极掺杂区具有相反于上述第一导电类型之一第二导电类型;一汲极掺杂区,形成于上述基板中,且邻近上述闸极的相对于上述第一侧边之一第二侧边,其中上述汲极掺杂区由交错设置的具有上述第一导电类型之复数个第一掺杂区和具有上述第二导电类型复数个第二掺杂区构成。

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