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1. 发明专利

TWI401821B 半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI401821B
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：TW097141337
申请日：2008-10-28
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：大塚健一 , KENICHI OHTSUKA , 樽井陽一郎 , YOICHIRO TARUI , 鈴木洋介 , YOSUKE SUZUKI , 塩沢勝臣 , KATSUOMI SHIOZAWA , 金本恭三 , KYOZO KANAMOTO , 大石敏之 , TOSHIYUKI OISHI , 德田安紀 , YASUNORI TOKUDA , 大森達夫 , TATSUO OMORI
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/325 , H01L33/40 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/3063

2. 发明专利

TW356566B 電漿處理裝置失效
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW356566B
公开(公告)日：1999-04-21
申请号：TW086119747
申请日：1997-12-26
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：正和 , 大寺廣樹 , 大森達夫 , 西川和康 , 新谷賢治
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32229 , H01J37/321 , H05H1/46
摘要：本發明以提供由低氣壓放電實現平行平板電漿的產生，在高真空環境中能對大口徑試料實行均一之高速處理的電漿處理裝置為目的。
本發明的裝置於平行平板電極之上部電極104與下部電極103之間施加高周波而在電極間產生電漿110實行處理之際，為由配置於電極103、104周圍之產生電漿的電漿源107將電漿供給於電極103、104。電漿源為由誘導結合型放電或高周波放電，或由微波放電產生電漿。
简体摘要：本发明以提供由低气压放电实现平行平板等离子的产生，在高真空环境中能对大口径试料实行均一之高速处理的等离子处理设备为目的。本发明的设备于平行平板电极之上部电极104与下部电极103之间施加高周波而在电极间产生等离子110实行处理之际，为由配置于电极103、104周围之产生等离子的等离子源107将等离子供给于电极103、104。等离子源为由诱导结合型放电或高周波放电，或由微波放电产生等离子。

3. 发明专利

TW314685B 電漿處理裝置失效
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW314685B
公开(公告)日：1997-09-01
申请号：TW085101691
申请日：1996-02-09
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：正和 , 大寺廣樹 , 大森達夫
IPC分类号： H05H , H01L
CPC分类号： H01J37/32623 , H01J37/3266
摘要：一種電漿處理裝置，該裝置能夠均勻地產生大面積的電漿，藉此，可以均勻地加工處理具有大直徑的樣品。該電漿處理裝置設有一個第一電極3，在該電極上放置有一工件2，該電漿處理裝置又具有一個第二電極4，該第二電極係位於面對第一電極3的位置，以及該電漿裝置又設有複數個環形永久磁鐵11，每個環形永久磁鐵在其圓周方向上具有相同的極性，並且該磁鐵係以同心圓方式設置在第二電極4的靠近大氣環境之一側，彼此反向，以致於相鄰磁鐵11徑向上的極性呈彼此相反。
简体摘要：一种等离子处理设备，该设备能够均匀地产生大面积的等离子，借此，可以均匀地加工处理具有大直径的样品。该等离子处理设备设有一个第一电极3，在该电极上放置有一工件2，该等离子处理设备又具有一个第二电极4，该第二电极系位于面对第一电极3的位置，以及该等离子设备又设有复数个环形永久磁铁11，每个环形永久磁铁在其圆周方向上具有相同的极性，并且该磁铁系以同心圆方式设置在第二电极4的靠近大气环境之一侧，彼此反向，以致于相邻磁铁11径向上的极性呈彼此相反。

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