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1. 发明专利

TWI551384B 加工裝置及加工方法有权
简体标题：加工设备及加工方法
公开(公告)号：TWI551384B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW102143583
申请日：2013-11-28
申请人：三菱重工業股份有限公司 , MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD.
发明人：吳屋真之 , GOYA, SANEYUKI , 木之內雅人 , KINOUCHI, MASATO , 團野實 , DANNO, MINORU , 渡邊俊哉 , WATANABE, TOSHIYA , 石出孝 , ISHIDE, TAKASHI , 山下貢丸 , YAMASHITA, TSUGUMARU , 藤田善仁 , FUJITA, YOSHIHITO , 山崎真 , YAMASAKI, MAKOTO , 鈴木龍 , SUZUKI, RYU , 金岡耕平 , KANAOKA, KOHEI
IPC分类号： B23K26/00
CPC分类号： B23K26/0652 , B23K26/082 , B23K26/36 , B23K26/38

2. 发明专利

TW201433397A 加工裝置及加工方法审中-公开
简体标题：加工设备及加工方法
公开(公告)号：TW201433397A
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW102143593
申请日：2013-11-28
申请人：三菱重工業股份有限公司 , MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD.
发明人：藤田善仁 , FUJITA, YOSHIHITO , 山下貢丸 , YAMASHITA, TSUGUMARU , 吳屋真之 , GOYA, SANEYUKI , 山崎真 , YAMASAKI, MAKOTO , 鈴木龍 , SUZUKI, RYU , 金岡耕平 , KANAOKA, KOHEI , 石出孝 , ISHIDE, TAKASHI , 渡邊俊哉 , WATANABE, TOSHIYA
IPC分类号： B23K26/062 , B23K26/064 , B23K26/50
CPC分类号： B23K26/032 , B23K26/00 , B23K26/046 , B23K26/06 , B23K26/0652 , B23K26/14 , B23K26/26 , B23K26/34 , B23K26/38 , B23K26/382 , B23K26/40 , B23K26/402 , B23K2203/04 , B23K2203/05 , B23K2203/08 , B23K2203/14 , B23K2203/16 , B23K2203/26 , B23K2203/42 , B23K2203/50 , B23K2203/52
摘要：本發明提供一種能夠以簡單之構成進行更高精度之加工之加工裝置及加工方法。加工裝置包括照射頭16及控制裝置，照射頭16可分割成準直光學系統、雷射回旋部35、及聚光光學系統37。雷射回旋部35包括第1稜鏡51、第2稜鏡52、第1旋轉機構53、及第2旋轉機構54。控制裝置至少基於被加工構件之熱影響層與雷射之回旋數之關係，控制第1稜鏡51及第2稜鏡52之轉數與相位角之差。
简体摘要：本发明提供一种能够以简单之构成进行更高精度之加工之加工设备及加工方法。加工设备包括照射头16及控制设备，照射头16可分割成准直光学系统、激光回旋部35、及聚光光学系统37。激光回旋部35包括第1棱镜51、第2棱镜52、第1旋转机构53、及第2旋转机构54。控制设备至少基于被加工构件之热影响层与激光之回旋数之关系，控制第1棱镜51及第2棱镜52之转数与相位角之差。

3. 发明专利

TW201347888A 加工裝置、加工單元及加工方法审中-公开
简体标题：加工设备、加工单元及加工方法
公开(公告)号：TW201347888A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102107946
申请日：2013-03-06
申请人：三菱重工業股份有限公司 , MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD.
发明人：吳屋真之 , GOYA, SANEYUKI , 木之內雅人 , KINOUCHI, MASATO , 渡邊俊哉 , WATANABE, TOSHIYA
IPC分类号： B23K26/38 , B23K26/06
CPC分类号： B23K26/38 , B23K26/0652 , B23K26/0869 , B29C59/16 , C04B41/0036
摘要：本發明係一種對被加工構件照射雷射而對被加工構件進行切割或開孔加工之加工裝置、加工單元及加工方法。本發明之加工裝置包括雷射輸出裝置、引導雷射之引導光學系統、及引導雷射並照射至被加工構件之照射頭。照射頭藉由利用旋轉機構使第1稜鏡與第2稜鏡一體地旋轉，使雷射之光路繞旋轉機構之旋轉軸旋轉，而一面使照射位置旋轉一面照射至被加工構件。控制裝置基於被加工構件之再熔融層之容許厚度與轉數之關係或被加工構件之氧化層之容許厚度與轉數之關係，算出雷射之容許轉數範圍，並將包含於容許轉數範圍內之轉數決定為旋轉機構之轉數，使旋轉機構以所決定之轉數旋轉。
简体摘要：本发明系一种对被加工构件照射激光而对被加工构件进行切割或开孔加工之加工设备、加工单元及加工方法。本发明之加工设备包括激光输出设备、引导激光之引导光学系统、及引导激光并照射至被加工构件之照射头。照射头借由利用旋转机构使第1棱镜与第2棱镜一体地旋转，使激光之光路绕旋转机构之旋转轴旋转，而一面使照射位置旋转一面照射至被加工构件。控制设备基于被加工构件之再熔融层之容许厚度与转数之关系或被加工构件之氧化层之容许厚度与转数之关系，算出激光之容许转数范围，并将包含于容许转数范围内之转数决定为旋转机构之转数，使旋转机构以所决定之转数旋转。

4. 发明专利

TWI405346B 光電轉換裝置失效
简体标题：光电转换设备
公开(公告)号：TWI405346B
公开(公告)日：2013-08-11
申请号：TW098100387
申请日：2009-01-07
申请人：三菱重工業股份有限公司 , MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD.
发明人：吳屋真之 , GOYA, SANEYUKI , 世川英四郎 , SASAKAWA, EISHIRO , 真島浩 , MASHIMA, HIROSHI , 坂井智嗣 , SAKAI, SATOSHI
IPC分类号： H01L31/075
CPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/02366 , H01L31/077 , H01L31/18 , Y02E10/50

5. 发明专利

TWI547339B 加工裝置、加工單元及加工方法有权
简体标题：加工设备、加工单元及加工方法
公开(公告)号：TWI547339B
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW102107946
申请日：2013-03-06
申请人：三菱重工業股份有限公司 , MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD.
发明人：吳屋真之 , GOYA, SANEYUKI , 木之內雅人 , KINOUCHI, MASATO , 渡邊俊哉 , WATANABE, TOSHIYA
IPC分类号： B23K26/38 , B23K26/06
CPC分类号： B23K26/38 , B23K26/0652 , B23K26/0869 , B29C59/16 , C04B41/0036

6. 发明专利

TW201433394A 加工裝置及加工方法审中-公开
简体标题：加工设备及加工方法
公开(公告)号：TW201433394A
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW102143583
申请日：2013-11-28
申请人：三菱重工業股份有限公司 , MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD.
发明人：吳屋真之 , GOYA, SANEYUKI , 木之內雅人 , KINOUCHI, MASATO , 團野實 , DANNO, MINORU , 渡邊俊哉 , WATANABE, TOSHIYA , 石出孝 , ISHIDE, TAKASHI , 山下貢丸 , YAMASHITA, TSUGUMARU , 藤田善仁 , FUJITA, YOSHIHITO , 山崎真 , YAMASAKI, MAKOTO , 鈴木龍 , SUZUKI, RYU , 金岡耕平 , KANAOKA, KOHEI
IPC分类号： B23K26/00
CPC分类号： B23K26/0652 , B23K26/082 , B23K26/36 , B23K26/38
摘要：本發明提供一種能夠以簡單之構成進行更高精度之加工之加工裝置及加工方法。加工裝置包括照射頭16及控制裝置，照射頭16包含雷射回旋部35及聚光光學系統37，雷射回旋部35包含第1稜鏡51、第2稜鏡52、第1旋轉機構53、及第2旋轉機構54。控制裝置至少基於被加工構件之熱影響層與雷射之回旋數之關係，而調整第1稜鏡51及第2稜鏡52之轉數與相位角之差。
简体摘要：本发明提供一种能够以简单之构成进行更高精度之加工之加工设备及加工方法。加工设备包括照射头16及控制设备，照射头16包含激光回旋部35及聚光光学系统37，激光回旋部35包含第1棱镜51、第2棱镜52、第1旋转机构53、及第2旋转机构54。控制设备至少基于被加工构件之热影响层与激光之回旋数之关系，而调整第1棱镜51及第2棱镜52之转数与相位角之差。

7. 发明专利

TWI435453B 光電轉換裝置及光電轉換裝置之製造方法有权
简体标题：光电转换设备及光电转换设备之制造方法
公开(公告)号：TWI435453B
公开(公告)日：2014-04-21
申请号：TW098127747
申请日：2009-08-18
申请人：三菱重工業股份有限公司 , MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD.
发明人：鶴我薰典 , TSURUGA, SHIGENORI , 山口賢剛 , YAMAGUCHI, KENGO , 吳屋真之 , GOYA, SANEYUKI , 坂井智嗣 , SAKAI, SATOSHI
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18 , H01L21/205
CPC分类号： H01L27/1423 , H01L31/046 , H01L31/0463 , H01L31/076 , H01L31/077 , H01L31/1804 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521

9. 发明专利

TW201429598A 三維雷射加工機审中-公开
简体标题：三维激光加工机
公开(公告)号：TW201429598A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102143321
申请日：2013-11-27
申请人：三菱重工業股份有限公司 , MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD.
发明人：山下貢丸 , YAMASHITA, TSUGUMARU , 藤田善仁 , FUJITA, YOSHIHITO , 吳屋真之 , GOYA, SANEYUKI , 柴田亮太 , SHIBATA, RYOTA , 鈴木龍 , SUZUKI, RYU , 山崎真 , YAMASAKI, MAKOTO
IPC分类号： B23K26/70 , B23K26/03 , B23K26/04 , B23K26/36
CPC分类号： B23K26/032 , B23K26/0066 , B23K26/0075 , B23K26/046 , B23K26/0648 , B23K26/0884 , B23K26/20 , B23K26/38 , G01B5/0004 , G01B11/24
摘要：本發明之課題係提高三維雷射加工機之雷射加工之加工效率。本發明之三維雷射加工機係將藉由聚光透鏡聚光之雷射光之焦點位置與被加工物W之被加工部設定為特定之距離，藉此對上述被加工部實施高精度之雷射加工者，且具備測定上述被加工物W之三維形狀之三維形狀測定器50，且基於藉由上述三維形狀測定器50測定之上述被加工物W之三維形狀資料，將上述雷射光之焦點位置與上述被加工部設定為特定之距離。
简体摘要：本发明之课题系提高三维激光加工机之激光加工之加工效率。本发明之三维激光加工机系将借由聚光透镜聚光之激光光之焦点位置与被加工物W之被加工部设置为特定之距离，借此对上述被加工部实施高精度之激光加工者，且具备测定上述被加工物W之三维形状之三维形状测定器50，且基于借由上述三维形状测定器50测定之上述被加工物W之三维形状数据，将上述激光光之焦点位置与上述被加工部设置为特定之距离。

10. 发明专利

TW201019494A 光電轉換裝置之製造方法及光電轉換裝置审中-公开
简体标题：光电转换设备之制造方法及光电转换设备
公开(公告)号：TW201019494A
公开(公告)日：2010-05-16
申请号：TW098127752
申请日：2009-08-18
申请人：三菱重工業股份有限公司
发明人：吳屋真之 , 坂井智嗣
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/1804 , C23C16/24 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L31/0463 , H01L31/076 , H01L31/182 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要：本發明之目的在於提供一種光電轉換裝置之製造方法及光電轉換裝置，其可抑制大面積基板面內之光電轉換效率之偏差，及批次間之模組輸出之變動，提高生產性。該光電轉換裝置(100)之製造方法，其特徵在於包含以下步驟，即：於基板(1)上，使用含有矽烷系氣體與氫氣之氣體作為原料氣體之電漿CVD法，以前述基板(1)之每單位面積之前述氫氣流量為80slm/m 2 以上之條件，形成矽系之光電轉換層(3)。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种光电转换设备之制造方法及光电转换设备，其可抑制大面积基板面内之光电转换效率之偏差，及批次间之模块输出之变动，提高生产性。该光电转换设备(100)之制造方法，其特征在于包含以下步骤，即：于基板(1)上，使用含有硅烷系气体与氢气之气体作为原料气体之等离子CVD法，以前述基板(1)之每单位面积之前述氢气流量为80slm/m 2 以上之条件，形成硅系之光电转换层(3)。

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