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2. 发明专利

TW201021120A 半導體裝置用絕緣膜、半導體裝置用絕緣膜之製造方法及製造裝置、半導體裝置及其製造方法失效
简体标题：半导体设备用绝缘膜、半导体设备用绝缘膜之制造方法及制造设备、半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201021120A
公开(公告)日：2010-06-01
申请号：TW098121256
申请日：2009-06-24
申请人：三菱重工業股份有限公司 , 三菱電機股份有限公司
发明人：加福秀考 , 藤原敏人 , 西森年彥 , 島津正 , 保田直紀 , 信時英治 , 熊田輝彥 , 神山卓也 , 山本哲也 , 柴田慎彌
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/318 , C23C16/342 , C23C16/507 , H01L21/02112 , H01L21/02274 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種具有低介電係數、低漏電流、高機械强度之特性且該等特性的經時變化較小、耐水性優異之半導體裝置用絕緣膜、該半導體裝置用絕緣膜之製造方法及製造裝置、半導體裝置及其製造方法。將含有使特定烷基硼氮炔(alkylborazine)化合物氣化後的原料氣體之氣體供給至腔室2內,利用感應耦合型電漿產生機構(4、5、6)向腔室2內入射電磁波以使氣體成為電漿,將基板8配置於電漿之電漿擴散區域,以經由電漿而解離之烷基硼氮炔化合物中之硼氮炔骨架系分子作為基本單元進行氣相聚合,在基板8上成膜而作為半導體裝置用絕緣膜。
简体摘要：本发明提供一种具有低介电系数、低漏电流、高机械强度之特性且该等特性的经时变化较小、耐水性优异之半导体设备用绝缘膜、该半导体设备用绝缘膜之制造方法及制造设备、半导体设备及其制造方法。将含有使特定烷基硼氮炔(alkylborazine)化合物气化后的原料气体之气体供给至腔室2内,利用感应耦合型等离子产生机构(4、5、6)向腔室2内入射电磁波以使气体成为等离子,将基板8配置于等离子之等离子扩散区域,以经由等离子而解离之烷基硼氮炔化合物中之硼氮炔骨架系分子作为基本单元进行气相聚合,在基板8上成膜而作为半导体设备用绝缘膜。

3. 发明专利

TW557479B 電漿CVD裝置失效
简体标题：等离子CVD设备
公开(公告)号：TW557479B
公开(公告)日：2003-10-11
申请号：TW091117021
申请日：2002-07-30
申请人：三菱重工業股份有限公司
发明人：島津正 , 井上雅彥
IPC分类号： C23C , H01J , H01L
CPC分类号： C23C16/45523 , C23C16/402 , C23C16/517 , H01J37/32082 , H01J37/32706
摘要：本發明係在抑制於半導體晶圓上形成薄膜時的氫還原惡化。其具備：反應容器10，其係為了於半導體晶圓19上形成薄膜者；偏壓電極17，其係對半導體晶圓19施加濺鍍用之高頻偏壓者；噴嘴13，其係供給至少包含氫之矽烷氣體至反應容器10內者；及控制電路103，其係隨著藉由切換高頻偏壓開關之開關元件102來控制，並以高頻偏壓的控制邏輯及反向控制邏輯，經由流量控制器101來控制矽烷氣體供給的開關。
简体摘要：本发明系在抑制于半导体晶圆上形成薄膜时的氢还原恶化。其具备：反应容器10，其系为了于半导体晶圆19上形成薄膜者；偏压电极17，其系对半导体晶圆19施加溅镀用之高频偏压者；喷嘴13，其系供给至少包含氢之硅烷气体至反应容器10内者；及控制电路103，其系随着借由切换高频偏压开关之开关组件102来控制，并以高频偏压的控制逻辑及反向控制逻辑，经由流量控制器101来控制硅烷气体供给的开关。

4. 发明专利

TWI508328B 發光元件之保護膜之製作方法及裝置有权
简体标题：发光组件之保护膜之制作方法及设备
公开(公告)号：TWI508328B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW102119194
申请日：2013-05-30
申请人：三菱重工業股份有限公司 , MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD.
发明人：西森年彥 , NISHIMORI, TOSHIHIKO , 松田龍一 , MATSUDA, RYUICHI , 島津正 , SHIMAZU, TADASHI , 吉田和人 , YOSHIDA, KAZUTO
IPC分类号： H01L33/44
CPC分类号： C23C16/481 , C23C16/507 , H01L33/44 , H01L2933/0025

5. 发明专利

TWI358088B 電漿處理方法及電漿處理裝置失效
简体标题：等离子处理方法及等离子处理设备
公开(公告)号：TWI358088B
公开(公告)日：2012-02-11
申请号：TW096127583
申请日：2007-07-27
申请人：三菱重工業股份有限公司
发明人：島津正 , 井上雅彥 , 西森年彥 , 河野雄一
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L21/3185 , C23C16/345 , C23C16/505 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274
摘要：本發明之目的在於提供可成膜具有高壓縮應力之氮化矽膜之電漿處理方法及電漿處理裝置。為此，在藉含有矽與氫之原料氣體與氮氣之電漿，使氮化矽膜成長在處理對象之基板之電漿處理方法中，在氮化矽膜成長之期間，將切斷原料氣體中之氫與氮氣之鍵狀態之N－H鍵結用之離子能量施加至處理對象之前述基板，以降低氮化矽膜之膜中所含之N－H鍵結量。
简体摘要：本发明之目的在于提供可成膜具有高压缩应力之氮化硅膜之等离子处理方法及等离子处理设备。为此，在藉含有硅与氢之原料气体与氮气之等离子，使氮化硅膜成长在处理对象之基板之等离子处理方法中，在氮化硅膜成长之期间，将切断原料气体中之氢与氮气之键状态之N－H键结用之离子能量施加至处理对象之前述基板，以降低氮化硅膜之膜中所含之N－H键结量。

6. 发明专利

TW201405874A 發光元件之保護膜之製作方法及裝置审中-公开
简体标题：发光组件之保护膜之制作方法及设备
公开(公告)号：TW201405874A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW102119194
申请日：2013-05-30
申请人：三菱重工業股份有限公司 , MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD.
发明人：西森年彥 , NISHIMORI, TOSHIHIKO , 松田龍一 , MATSUDA, RYUICHI , 島津正 , SHIMAZU, TADASHI , 吉田和人 , YOSHIDA, KAZUTO
IPC分类号： H01L33/44
CPC分类号： C23C16/481 , C23C16/507 , H01L33/44 , H01L2933/0025
摘要：本發明提供一種構成高亮度且可靠性優異之發光元件之發光元件之保護膜之製作方法及裝置。本發明之發光元件之保護膜之製作裝置10中，在進行於成膜室50中之成膜之前，於加熱室40A中將藍寶石基板W加熱至特定之溫度以上，在搬送藍寶石基板W之前於成膜室50中點亮電漿，將已加熱至特定之溫度以上之藍寶石基板W自加熱室40A向成膜室50中搬送，對該藍寶石基板W實施電漿處理，藉此於成膜室50中成膜保護膜。
简体摘要：本发明提供一种构成高亮度且可靠性优异之发光组件之发光组件之保护膜之制作方法及设备。本发明之发光组件之保护膜之制作设备10中，在进行于成膜室50中之成膜之前，于加热室40A中将蓝宝石基板W加热至特定之温度以上，在搬送蓝宝石基板W之前于成膜室50中点亮等离子，将已加热至特定之温度以上之蓝宝石基板W自加热室40A向成膜室50中搬送，对该蓝宝石基板W实施等离子处理，借此于成膜室50中成膜保护膜。

7. 发明专利

TW201324612A 電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理方法
公开(公告)号：TW201324612A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101135178
申请日：2012-09-25
申请人：三菱重工業股份有限公司 , MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD.
发明人：西森年彥 , NISHIMORI, TOSHIHIKO , 河野雄一 , KAWANO, YUICHI , 島津正 , SHIMAZU, TADASHI
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/3105 , C23C16/56
CPC分类号： H01J37/321 , C23C14/022 , C23C14/3471 , C23C14/5853 , C23C16/50 , H01J37/32119 , H01J37/32862 , H01L21/02301
摘要：本發明提供一種可穩定維持電漿之電漿處理方法。在藉由包含收納形成有金屬膜之基板之真空容器、及具有電磁波之入射窗之電感耦合型之電漿產生機構之電漿處理裝置而於基板上成膜絕緣膜的電漿處理方法中，藉由Ar電漿中之離子對基板之表面進行Ar濺鍍處理(S3)，於已進行Ar濺鍍之基板上成膜絕緣膜(S4)，將基板自真空容器搬出(S5)，並藉由氧電漿處理將因Ar濺鍍而附著於入射窗之內壁之原子氧化(S6)。
简体摘要：本发明提供一种可稳定维持等离子之等离子处理方法。在借由包含收纳形成有金属膜之基板之真空容器、及具有电磁波之入射窗之电感耦合型之等离子产生机构之等离子处理设备而于基板上成膜绝缘膜的等离子处理方法中，借由Ar等离子中之离子对基板之表面进行Ar溅镀处理(S3)，于已进行Ar溅镀之基板上成膜绝缘膜(S4)，将基板自真空容器搬出(S5)，并借由氧等离子处理将因Ar溅镀而附着于入射窗之内壁之原子氧化(S6)。

8. 发明专利

TW201250846A 絕緣膜形成裝置及方法审中-公开
简体标题：绝缘膜形成设备及方法
公开(公告)号：TW201250846A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW100134446
申请日：2011-09-23
申请人：三菱重工業股份有限公司
发明人：西森年彥 , 河野雄一 , 島津正
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L21/02274 , C23C16/045 , C23C16/45523 , H01L21/0217
摘要：本發明提供一種使絕緣性與階差被覆性一併提昇之絕緣膜形成裝置及形成方法。本發明於形成被覆基板上所形成之階差之絕緣膜時,實施以下步驟:成膜步驟,係供給用於形成絕緣膜之主原料氣體與副原料氣體,生成包含與電漿生成時之主要激發種相比,對基板之附著概率較低之激發種的電漿,使用該電漿於階差上形成前驅膜;及組成比減少步驟(氮化步驟),係於成膜步驟之後,供給副原料氣體,生成副原料氣體之電漿,使用該電漿自前驅膜減少主原料氣體之成分而製成絕緣膜;並且交替實施成膜步驟與組成比減少步驟。
简体摘要：本发明提供一种使绝缘性与阶差被覆性一并提升之绝缘膜形成设备及形成方法。本发明于形成被覆基板上所形成之阶差之绝缘膜时,实施以下步骤:成膜步骤,系供给用于形成绝缘膜之主原料气体与副原料气体,生成包含与等离子生成时之主要激发种相比,对基板之附着概率较低之激发种的等离子,使用该等离子于阶差上形成前驱膜;及组成比减少步骤(氮化步骤),系于成膜步骤之后,供给副原料气体,生成副原料气体之等离子,使用该等离子自前驱膜减少主原料气体之成分而制成绝缘膜;并且交替实施成膜步骤与组成比减少步骤。

9. 发明专利

TW201220400A 氮化矽膜形成裝置及方法审中-公开
简体标题：氮化硅膜形成设备及方法
公开(公告)号：TW201220400A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：TW100134198
申请日：2011-09-22
申请人：三菱重工業股份有限公司
发明人：河野雄一 , 西森年彥 , 島津正
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02274 , C23C16/345 , C23C16/515 , H01L21/0217 , H01L43/12
摘要：本發明之課題在於提供一種不產生微粒而進行向微細之元件間之填埋之氮化矽膜形成裝置及方法。於基板上形成氮化矽膜時,實施成膜步驟,於成膜步驟之後實施濺鍍步驟,並且交替實施成膜步驟及濺鍍步驟,其中上述成膜步驟係供給用以形成氮化矽膜之原料氣體(SiH4等),生成該原料氣體之電漿,且使用該電漿將氮化矽膜成膜;上述濺鍍步驟係僅供給稀有氣體,對基板施加偏壓而生成稀有氣體之電漿,且使用該電漿對氮化矽膜進行偏壓濺鍍。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种不产生微粒而进行向微细之组件间之填埋之氮化硅膜形成设备及方法。于基板上形成氮化硅膜时,实施成膜步骤,于成膜步骤之后实施溅镀步骤,并且交替实施成膜步骤及溅镀步骤,其中上述成膜步骤系供给用以形成氮化硅膜之原料气体(SiH4等),生成该原料气体之等离子,且使用该等离子将氮化硅膜成膜;上述溅镀步骤系仅供给稀有气体,对基板施加偏压而生成稀有气体之等离子,且使用该等离子对氮化硅膜进行偏压溅镀。

10. 发明专利

TWI446446B 氮化矽膜之製造方法及裝置失效
简体标题：氮化硅膜之制造方法及设备
公开(公告)号：TWI446446B
公开(公告)日：2014-07-21
申请号：TW100116953
申请日：2011-05-13
申请人：三菱重工業股份有限公司 , MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD.
发明人：西川誠二 , NISHIKAWA, SEIJI , 加福秀考 , KAFUKU, HIDETAKA , 島津正 , SHIMAZU, TADASHI
IPC分类号： H01L21/318
CPC分类号： H01L21/02521 , C23C16/345 , C23C16/505 , H01J37/32449 , H01J37/32706 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/67017

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