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1. 发明专利

TW201228036A 半導體發光元件、半導體發光元件之保護膜及其製作方法审中-公开
简体标题：半导体发光组件、半导体发光组件之保护膜及其制作方法
公开(公告)号：TW201228036A
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW100105983
申请日：2011-02-23
申请人：三菱重工業股份有限公司
发明人：加福秀考 , 西森年彥 , 河崎尚夫
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/44 , H01L2224/48463 , H01L2224/49107 , H01L2933/0025 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975
摘要：本發明提供一種可滿足較高之遷移防止性、較高之穿透率、較低之成膜成本之全部的半導體發光元件、半導體發光元件之保護膜及其製作方法。本發明之半導體發光元件係具有形成於基板(11)上的複數個半導體層(12~14)、和成為複數個半導體層(12~14)之電極的電極部(15、16)及電極部(17、18),而作為半導體發光元件之保護膜,係以膜厚35nm以上之由氮化矽構成的SiN膜(31)來被覆複數個半導體層(12~14)、電極部(15、16)及電極部(17、18)之周圍,且以比SiN膜(31)之膜厚還厚之由氧化矽構成的SiO膜(32)來被覆SiN膜(31)。
简体摘要：本发明提供一种可满足较高之迁移防止性、较高之穿透率、较低之成膜成本之全部的半导体发光组件、半导体发光组件之保护膜及其制作方法。本发明之半导体发光组件系具有形成于基板(11)上的复数个半导体层(12~14)、和成为复数个半导体层(12~14)之电极的电极部(15、16)及电极部(17、18),而作为半导体发光组件之保护膜,系以膜厚35nm以上之由氮化硅构成的SiN膜(31)来被覆复数个半导体层(12~14)、电极部(15、16)及电极部(17、18)之周围,且以比SiN膜(31)之膜厚还厚之由氧化硅构成的SiO膜(32)来被覆SiN膜(31)。

2. 发明专利

TW201021120A 半導體裝置用絕緣膜、半導體裝置用絕緣膜之製造方法及製造裝置、半導體裝置及其製造方法失效
简体标题：半导体设备用绝缘膜、半导体设备用绝缘膜之制造方法及制造设备、半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201021120A
公开(公告)日：2010-06-01
申请号：TW098121256
申请日：2009-06-24
申请人：三菱重工業股份有限公司 , 三菱電機股份有限公司
发明人：加福秀考 , 藤原敏人 , 西森年彥 , 島津正 , 保田直紀 , 信時英治 , 熊田輝彥 , 神山卓也 , 山本哲也 , 柴田慎彌
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/318 , C23C16/342 , C23C16/507 , H01L21/02112 , H01L21/02274 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種具有低介電係數、低漏電流、高機械强度之特性且該等特性的經時變化較小、耐水性優異之半導體裝置用絕緣膜、該半導體裝置用絕緣膜之製造方法及製造裝置、半導體裝置及其製造方法。將含有使特定烷基硼氮炔(alkylborazine)化合物氣化後的原料氣體之氣體供給至腔室2內,利用感應耦合型電漿產生機構(4、5、6)向腔室2內入射電磁波以使氣體成為電漿,將基板8配置於電漿之電漿擴散區域,以經由電漿而解離之烷基硼氮炔化合物中之硼氮炔骨架系分子作為基本單元進行氣相聚合,在基板8上成膜而作為半導體裝置用絕緣膜。
简体摘要：本发明提供一种具有低介电系数、低漏电流、高机械强度之特性且该等特性的经时变化较小、耐水性优异之半导体设备用绝缘膜、该半导体设备用绝缘膜之制造方法及制造设备、半导体设备及其制造方法。将含有使特定烷基硼氮炔(alkylborazine)化合物气化后的原料气体之气体供给至腔室2内,利用感应耦合型等离子产生机构(4、5、6)向腔室2内入射电磁波以使气体成为等离子,将基板8配置于等离子之等离子扩散区域,以经由等离子而解离之烷基硼氮炔化合物中之硼氮炔骨架系分子作为基本单元进行气相聚合,在基板8上成膜而作为半导体设备用绝缘膜。

3. 发明专利

TWI406355B 電漿處理裝置之基板支撐台失效
简体标题：等离子处理设备之基板支撑台
公开(公告)号：TWI406355B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：TW098129165
申请日：2009-08-28
申请人：三菱重工業股份有限公司 , MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD.
发明人：加福秀考 , KAFUKU, HIDETAKA , 松倉明彥 , MATSUKURA, AKIHIKO , 柳田尚志 , YANAGIDA, HISASHI
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： C23C16/4586 , C23C16/4581 , C23C16/46 , H01J37/32724 , H01L21/6831

5. 发明专利

TWI373807B 電漿處理方法及電漿處理裝置失效
简体标题：等离子处理方法及等离子处理设备
公开(公告)号：TWI373807B
公开(公告)日：2012-10-01
申请号：TW098102593
申请日：2009-01-22
申请人：三菱重工業股份有限公司
发明人：嶋津正 , 西川誠二 , 加福秀考
IPC分类号： H01L , C23C , H05H
CPC分类号： H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/505 , H01J37/321 , H01J37/32706 , H01L21/02274 , H01L21/3185
摘要：為了提供一種能夠進行偏壓功率施加所致之SiN膜的埋入成膜之電漿處理方法以及電漿處理裝置，而在藉由含有矽以及氫之原料氣體與含有氮之氣體的電漿來對於電漿處理對象之基板(21)而使氮化矽膜成長之電漿處理方法中，藉由將使離子入射至前述基板(21)處之偏壓功率設為臨限值以上，而使Si-H結合量增加，並使壓縮應力降低。
简体摘要：为了提供一种能够进行偏压功率施加所致之SiN膜的埋入成膜之等离子处理方法以及等离子处理设备，而在借由含有硅以及氢之原料气体与含有氮之气体的等离子来对于等离子处理对象之基板(21)而使氮化硅膜成长之等离子处理方法中，借由将使离子入射至前述基板(21)处之偏压功率设为临限值以上，而使Si-H结合量增加，并使压缩应力降低。

6. 发明专利

TW201207945A 半導體元件之氮化矽膜、氮化矽膜之製造方法及裝置审中-公开
简体标题：半导体组件之氮化硅膜、氮化硅膜之制造方法及设备
公开(公告)号：TW201207945A
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：TW100116954
申请日：2011-05-13
申请人：三菱重工業股份有限公司
发明人：西川誠二 , 加福秀考
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B32B9/04 , C23C16/345 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02274
摘要：本發明提供一種抑制施加偏壓功率而成膜之氮化矽膜的膜應力變化的半導體元件之氮化矽膜、氮化矽膜之製造方法及裝置。於藉由電漿處理而形成於基板19上之用於半導體元件之氮化矽膜中,形成如下構造:將向基板19施加偏壓而形成之偏壓SiN膜31,夾持於未向基板19施加偏壓而形成之無偏壓SiN膜32a與無偏壓SiN膜32b之間。
简体摘要：本发明提供一种抑制施加偏压功率而成膜之氮化硅膜的膜应力变化的半导体组件之氮化硅膜、氮化硅膜之制造方法及设备。于借由等离子处理而形成于基板19上之用于半导体组件之氮化硅膜中,形成如下构造:将向基板19施加偏压而形成之偏压SiN膜31,夹持于未向基板19施加偏压而形成之无偏压SiN膜32a与无偏压SiN膜32b之间。

7. 发明专利

TW201032287A 電漿處理裝置之基板支撐台失效
简体标题：等离子处理设备之基板支撑台
公开(公告)号：TW201032287A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：TW098129165
申请日：2009-08-28
申请人：三菱重工業股份有限公司
发明人：加福秀考 , 松倉明彥 , 柳田尚志
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/4586 , C23C16/4581 , C23C16/46 , H01J37/32724 , H01L21/6831
摘要：本發明係提供一種以較高溫度穩定地控制基板之電漿處理裝置之基板支撐台。該基座支持台係具有:靜電吸附板14,其內藏用於靜電性吸附基板W之第1電極、用於對基板W施加偏壓之第2電極,及用於加熱基板之加熱器;筒狀突緣13,其係熔著於靜電吸附板14之下面,包含具有與靜電吸附板14同等之熱特性之合金而構成;及支持台10,其係於與突緣13之下面相對之面具有O型環12,介以O型環12而安裝突緣13;且,於改變施加於基板W之偏壓功率時,改變加熱基板W之加熱功率,以使基板W之溫度保持恆定。
简体摘要：本发明系提供一种以较高温度稳定地控制基板之等离子处理设备之基板支撑台。该基座支持台系具有:静电吸附板14,其内藏用于静电性吸附基板W之第1电极、用于对基板W施加偏压之第2电极,及用于加热基板之加热器;筒状突缘13,其系熔着于静电吸附板14之下面,包含具有与静电吸附板14同等之热特性之合金而构成;及支持台10,其系于与突缘13之下面相对之面具有O型环12,介以O型环12而安装突缘13;且,于改变施加于基板W之偏压功率时,改变加热基板W之加热功率,以使基板W之温度保持恒定。

8. 发明专利

TW200947551A 電漿處理方法及電漿處理裝置失效
简体标题：等离子处理方法及等离子处理设备
公开(公告)号：TW200947551A
公开(公告)日：2009-11-16
申请号：TW098102593
申请日：2009-01-22
申请人：三菱重工業股份有限公司
发明人：嶋津正 , 西川誠二 , 加福秀考
IPC分类号： H01L , C23C , H05H
CPC分类号： H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/505 , H01J37/321 , H01J37/32706 , H01L21/02274 , H01L21/3185
摘要：為了提供一種能夠進行偏壓功率施加所致之SiN膜的埋入成膜之電漿處理方法以及電漿處理裝置，而在藉由含有矽以及氫之原料氣體與含有氮之氣體的電漿來對於電漿處理對象之基板（21）而使氮化矽膜成長之電漿處理方法中，藉由將使離子入射至前述基板（21）處之偏壓功率設為臨限值以上，而使Si-H結合量增加，並使壓縮應力降低。
简体摘要：为了提供一种能够进行偏压功率施加所致之SiN膜的埋入成膜之等离子处理方法以及等离子处理设备，而在借由含有硅以及氢之原料气体与含有氮之气体的等离子来对于等离子处理对象之基板（21）而使氮化硅膜成长之等离子处理方法中，借由将使离子入射至前述基板（21）处之偏压功率设为临限值以上，而使Si-H结合量增加，并使压缩应力降低。

9. 发明专利

TWI446446B 氮化矽膜之製造方法及裝置失效
简体标题：氮化硅膜之制造方法及设备
公开(公告)号：TWI446446B
公开(公告)日：2014-07-21
申请号：TW100116953
申请日：2011-05-13
申请人：三菱重工業股份有限公司 , MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD.
发明人：西川誠二 , NISHIKAWA, SEIJI , 加福秀考 , KAFUKU, HIDETAKA , 島津正 , SHIMAZU, TADASHI
IPC分类号： H01L21/318
CPC分类号： H01L21/02521 , C23C16/345 , C23C16/505 , H01J37/32449 , H01J37/32706 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/67017

10. 发明专利

TW201207944A 氮化矽膜之製造方法及裝置失效
简体标题：氮化硅膜之制造方法及设备
公开(公告)号：TW201207944A
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：TW100116953
申请日：2011-05-13
申请人：三菱重工業股份有限公司
发明人：西川誠二 , 加福秀考 , 島津正
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02521 , C23C16/345 , C23C16/505 , H01J37/32449 , H01J37/32706 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/67017
摘要：本發明提供一種於施加偏壓功率而成膜氮化矽膜時抑制基板周邊部之發泡之產生的氮化矽膜之製造方法及裝置。於將用於半導體元件之氮化矽膜藉由電漿處理而形成於基板上之氮化矽膜之製造方法及裝置中,在時間b1對基板施加偏壓,並且於施加偏壓之後,在時間b3開始氮化矽膜之原料氣體SiH4之供給。
简体摘要：本发明提供一种于施加偏压功率而成膜氮化硅膜时抑制基板周边部之发泡之产生的氮化硅膜之制造方法及设备。于将用于半导体组件之氮化硅膜借由等离子处理而形成于基板上之氮化硅膜之制造方法及设备中,在时间b1对基板施加偏压,并且于施加偏压之后,在时间b3开始氮化硅膜之原料气体SiH4之供给。

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