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2. 发明专利

TW201220364A 真空處理裝置及電漿處理方法失效
简体标题：真空处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW201220364A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：TW100118133
申请日：2011-05-24
申请人：三菱重工業股份有限公司
发明人：中尾禎子 , 笹川英四郎 , 竹內良昭 , 宮園直之 , 大坪榮一郎
IPC分类号： H01L , C23C , H05H
CPC分类号： C23C16/50 , C23C16/4412 , C23C16/4557 , C23C16/45578 , C23C16/46 , C23C16/511 , H01J37/32229 , H01L31/1804 , H01L31/1816 , H01L31/1824 , H01L31/1876 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：提供一種:能夠對於脊形電極以及基板之熱變形作抑制,就算是大型的基板亦能夠進行安定之電漿處理的真空處理裝置。具備有:放電室(2),係由脊形波導管所成,該脊形波導管,係具備有電漿所被產生之排氣側脊形電極(21a)以及基板側脊形電極(21b);和一對的變換器,係將高頻電力變換成身為方形波導管之基本傳輸模式的TE模式,並傳輸至放電室(2)處,而在排氣側脊形電極(21a)以及基板側脊形電極(21b)之間產生電漿;和均熱溫調器(40),係被設置在基板側脊形電極(21b)的外面側處,並將溫度均等地加熱;和熱吸收溫調單元(50),係被設置在排氣側脊形電極(21a)的外面側處,並對於被施加電漿處理之基板(S)的板厚方向之熱流通量作控制,將基板(S)設置在排氣側脊形電極(21a)以及基板側脊形電極(21b)之間,並施加電漿處理。
简体摘要：提供一种:能够对于嵴形电极以及基板之热变形作抑制,就算是大型的基板亦能够进行安定之等离子处理的真空处理设备。具备有:放电室(2),系由嵴形波导管所成,该嵴形波导管,系具备有等离子所被产生之排气侧嵴形电极(21a)以及基板侧嵴形电极(21b);和一对的变换器,系将高频电力变换成身为方形波导管之基本传输模式的TE模式,并传输至放电室(2)处,而在排气侧嵴形电极(21a)以及基板侧嵴形电极(21b)之间产生等离子;和均热温调器(40),系被设置在基板侧嵴形电极(21b)的外面侧处,并将温度均等地加热;和热吸收温调单元(50),系被设置在排气侧嵴形电极(21a)的外面侧处,并对于被施加等离子处理之基板(S)的板厚方向之热流通量作控制,将基板(S)设置在排气侧嵴形电极(21a)以及基板侧嵴形电极(21b)之间,并施加等离子处理。

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