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1. 发明专利

TW202030227A 微影用膜形成材料、微影用膜形成用組成物、微影用下層膜及圖型形成方法审中-公开
简体标题：微影用膜形成材料、微影用膜形成用组成物、微影用下层膜及图型形成方法
公开(公告)号：TW202030227A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108142383
申请日：2019-11-21
申请人：日商三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：山田弘一 , YAMADA, KOUICHI , 堀內淳矢 , HORIUCHI, JUNYA , 牧野嶋高史 , MAKINOSHIMA, TAKASHI , 越後雅敏 , ECHIGO, MASATOSHI
IPC分类号： C08G73/10 , G03F7/11 , H01L21/027
摘要：本發明係提供一種微影用膜形成材料，其係包含具有式(0A)之基：及式(0B)之基： (式(0B)中， R各自獨立為選自由氫原子及碳數1~4之烷基所成的群組，但是至少1個R為碳數1~4之烷基)的化合物。
简体摘要：本发明系提供一种微影用膜形成材料，其系包含具有式(0A)之基：及式(0B)之基： (式(0B)中， R各自独立为选自由氢原子及碳数1~4之烷基所成的群组，但是至少1个R为碳数1~4之烷基)的化合物。

2. 发明专利

TW201706237A 經羥基取代的芳香族化合物之製造方法及捆包方法审中-公开
简体标题：经羟基取代的芳香族化合物之制造方法及捆包方法
公开(公告)号：TW201706237A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105114443
申请日：2016-05-10
申请人：三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：內山直哉 , UCHIYAMA, NAOYA , 堀內淳矢 , HORIUCHI, JUNYA , 牧野嶋高史 , MAKINOSHIMA, TAKASHI , 越後雅敏 , ECHIGO, MASATOSHI , 大越篤 , OKOSHI, ATSUSHI
IPC分类号： C07C39/14 , B65D85/50
CPC分类号： C07C37/70 , C07C39/14
摘要：本發明之經羥基取代的芳香族化合物之製造方法，其係包含將經羥基取代的芳香族化合物在氧濃度未滿20體積%的氛圍中進行乾燥之步驟。又，本發明之經羥基取代的芳香族化合物之捆包方法，其係包含將經羥基取代的芳香族化合物在氧濃度未滿20體積%的氛圍中進行捆包之步驟。
简体摘要：本发明之经羟基取代的芳香族化合物之制造方法，其系包含将经羟基取代的芳香族化合物在氧浓度未满20体积%的氛围中进行干燥之步骤。又，本发明之经羟基取代的芳香族化合物之捆包方法，其系包含将经羟基取代的芳香族化合物在氧浓度未满20体积%的氛围中进行捆包之步骤。

3. 发明专利

TW202030229A 微影用膜形成材料、微影用膜形成用組成物、微影用下層膜及圖型形成方法审中-公开
简体标题：微影用膜形成材料、微影用膜形成用组成物、微影用下层膜及图型形成方法
公开(公告)号：TW202030229A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108142385
申请日：2019-11-21
申请人：日商三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：山田弘一 , YAMADA, KOUICHI , 堀內淳矢 , HORIUCHI, JUNYA , 牧野嶋高史 , MAKINOSHIMA, TAKASHI , 越後雅敏 , ECHIGO, MASATOSHI
IPC分类号： C08G73/10 , G03F7/11 , H01L21/027
摘要：本發明係一種微影用膜形成材料，其係包含下述式(1A)表示的馬來醯亞胺樹脂。
简体摘要：本发明系一种微影用膜形成材料，其系包含下述式(1A)表示的马来酰亚胺树脂。

4. 发明专利

TW201906891A 微影用膜形成材料、微影用膜形成用組成物、微影用下層膜及圖型形成方法审中-公开
简体标题：微影用膜形成材料、微影用膜形成用组成物、微影用下层膜及图型形成方法
公开(公告)号：TW201906891A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107116317
申请日：2018-05-14
申请人：日商三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：岡田佳奈 , OKADA, KANA , 堀內淳矢 , HORIUCHI, JUNYA , 牧野嶋高史 , MAKINOSHIMA, TAKASHI , 越後雅敏 , ECHIGO, MASATOSHI
IPC分类号： C08G61/12 , C08F22/40 , C08G8/28 , C08G12/26 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/40 , H01L21/027
摘要：本發明係提供一種微影用膜形成材料，其特徵係包含具有下述式(0)之基的化合物，。
简体摘要：本发明系提供一种微影用膜形成材料，其特征系包含具有下述式(0)之基的化合物，。

5. 发明专利

TW201641496A 化合物、樹脂、微影用下層膜形成材料、微影用下層膜形成用組成物、微影用下層膜、圖型形成方法、及、化合物或樹脂之純化方法审中-公开
简体标题：化合物、树脂、微影用下层膜形成材料、微影用下层膜形成用组成物、微影用下层膜、图型形成方法、及、化合物或树脂之纯化方法
公开(公告)号：TW201641496A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105107603
申请日：2016-03-11
申请人：三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：岡田佳奈 , OKADA, KANA , 堀內淳矢 , HORIUCHI, JUNYA , 牧野嶋高史 , MAKINOSHIMA, TAKASHI , 越後雅敏 , ECHIGO, MASATOSHI
IPC分类号： C07D405/04 , C07D209/86 , C08G8/04 , C08L61/06 , G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： C07D209/86 , C07D405/04 , C08G61/12 , G03F7/11
摘要：一種下述式(1)所表示之化合物。 (式(1)中，X係各自獨立表示氧原子、硫原子或未交聯，R1係各自獨立表示選自由氫原子、鹵基、硝基、胺基、羥基、碳原子數1~30之烷基、碳原子數2~30之烯基、碳原子數6~40之芳基、及此等之組合所成群者，在此，該烷基、該烯基及該芳基亦可包含醚鍵、酮鍵或酯鍵，R2係各自獨立為碳數1~30之直鏈狀、分枝狀或環狀之烷基、碳數6~40之芳基、碳數2~30之烯基、巰基或羥基，在此，R2之至少一個為包含羥基或巰基之基，m係各自獨立為1~7之整數，p係各自獨立為0或1，q係各自獨立為0~4之整數，n為0或1)。
简体摘要：一种下述式(1)所表示之化合物。 (式(1)中，X系各自独立表示氧原子、硫原子或未交联，R1系各自独立表示选自由氢原子、卤基、硝基、胺基、羟基、碳原子数1~30之烷基、碳原子数2~30之烯基、碳原子数6~40之芳基、及此等之组合所成群者，在此，该烷基、该烯基及该芳基亦可包含醚键、酮键或酯键，R2系各自独立为碳数1~30之直链状、分枝状或环状之烷基、碳数6~40之芳基、碳数2~30之烯基、巯基或羟基，在此，R2之至少一个为包含羟基或巯基之基，m系各自独立为1~7之整数，p系各自独立为0或1，q系各自独立为0~4之整数，n为0或1)。

6. 发明专利

TW201638061A 化合物、樹脂、微影用下層膜形成材料、微影用下層膜、圖型形成方法及化合物或樹脂之純化方法审中-公开
简体标题：化合物、树脂、微影用下层膜形成材料、微影用下层膜、图型形成方法及化合物或树脂之纯化方法
公开(公告)号：TW201638061A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW105106741
申请日：2016-03-04
申请人：三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：堀內淳矢 , HORIUCHI, JUNYA , 越後雅敏 , ECHIGO, MASATOSHI , 牧野嶋高史 , MAKINOSHIMA, TAKASHI
IPC分类号： C07C39/15 , C08G8/04 , G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/027 , H01L21/308
CPC分类号： C07C37/20 , C07C37/72 , C07C39/15 , C08G8/02 , C08G8/04 , C08G8/20 , G03F7/11 , H01L21/3081
摘要：一種下述式(1)所表示之化合物。式(1)中，R1係各自獨立為碳數1~30之2價之基，R2~R7係各自獨立為碳數1~10之直鏈狀、分枝狀或環狀之烷基、碳數6~10之芳基、碳數2~10之烯基、巰基或羥基，在此，R5之至少一個為羥基或巰基，m2、m3及m6係各自獨立為0~9之整數，m4及m7係各自獨立為0~8之整數，m5為1~9之整數，n為1~4之整數，p2~p7係各自獨立為0~2之整數。
简体摘要：一种下述式(1)所表示之化合物。式(1)中，R1系各自独立为碳数1~30之2价之基，R2~R7系各自独立为碳数1~10之直链状、分枝状或环状之烷基、碳数6~10之芳基、碳数2~10之烯基、巯基或羟基，在此，R5之至少一个为羟基或巯基，m2、m3及m6系各自独立为0~9之整数，m4及m7系各自独立为0~8之整数，m5为1~9之整数，n为1~4之整数，p2~p7系各自独立为0~2之整数。

7. 发明专利

TWI694996B 化合物、樹脂、微影用下層膜形成材料、微影用下層膜形成用組成物、微影用下層膜、圖型形成方法、及、化合物或樹脂之純化方法有权
简体标题：化合物、树脂、微影用下层膜形成材料、微影用下层膜形成用组成物、微影用下层膜、图型形成方法、及、化合物或树脂之纯化方法
公开(公告)号：TWI694996B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW105107603
申请日：2016-03-11
申请人：日商三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：岡田佳奈 , OKADA, KANA , 堀內淳矢 , HORIUCHI, JUNYA , 牧野嶋高史 , MAKINOSHIMA, TAKASHI , 越後雅敏 , ECHIGO, MASATOSHI
IPC分类号： C07D405/04 , C07D209/86 , C08G8/04 , C08L61/06 , G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/027

8. 发明专利

TW202018420A 微影術用膜形成材料、微影術用膜形成用組成物、微影術用下層膜及圖型形成方法审中-公开
简体标题：微影术用膜形成材料、微影术用膜形成用组成物、微影术用下层膜及图型形成方法
公开(公告)号：TW202018420A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108128863
申请日：2019-08-14
申请人：日商三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：堀內淳矢 , HORIUCHI, JUNYA , 上野雅義 , UENO, MASAYOSHI , 山田弘一 , YAMADA, KOUICHI , 牧野嶋高史 , MAKINOSHIMA, TAKASHI , 越後雅敏 , ECHIGO, MASATOSHI
IPC分类号： G03F7/11 , C07D207/452 , H01L21/027 , B01D11/04
摘要：本發明之課題為提供可應用濕式製程，有用於形成耐熱性、蝕刻耐性、對階差基板之埋入特性及膜之平坦性優良的光阻下層膜之微影術用膜形成材料等。前述課題可藉由以下之微影術用膜形成材料達成。一種微影術用膜形成材料，其含有具有式(0A)之基： (式(0A)中， RA為氫原子或碳數1~4之烷基， RB為碳數1~4之烷基) 之化合物；及具有式(0B)之基：之化合物。
简体摘要：本发明之课题为提供可应用湿式制程，有用于形成耐热性、蚀刻耐性、对阶差基板之埋入特性及膜之平坦性优良的光阻下层膜之微影术用膜形成材料等。前述课题可借由以下之微影术用膜形成材料达成。一种微影术用膜形成材料，其含有具有式(0A)之基： (式(0A)中， RA为氢原子或碳数1~4之烷基， RB为碳数1~4之烷基) 之化合物；及具有式(0B)之基：之化合物。

9. 发明专利

TW202003429A 化合物、樹脂、組成物、阻劑圖型形成方法、電路圖型形成方法及樹脂之精製方法审中-公开
简体标题：化合物、树脂、组成物、阻剂图型形成方法、电路图型形成方法及树脂之精制方法
公开(公告)号：TW202003429A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108118341
申请日：2019-05-28
申请人：日商三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：堀內淳矢 , HORIUCHI, JUNYA , 岡田悠 , OKADA, YU , 牧野嶋高史 , MAKINOSHIMA, TAKASHI , 越後雅敏 , ECHIGO, MASATOSHI
IPC分类号： C07C39/15 , C07C49/83 , C08G8/04 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/40 , C07B63/00 , B01D11/04 , H01L21/027
摘要：本發明之目的係提供對微影用膜形成材料等有用的新穎化合物等。前述目的可藉由下述式(1)表示之化合物來達成。
简体摘要：本发明之目的系提供对微影用膜形成材料等有用的新颖化合物等。前述目的可借由下述式(1)表示之化合物来达成。

10. 发明专利

TW201714865A 化合物之純化方法审中-公开
简体标题：化合物之纯化方法
公开(公告)号：TW201714865A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105128481
申请日：2016-09-02
申请人：三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：內山直哉 , UCHIYAMA, NAOYA , 堀內淳矢 , HORIUCHI, JUNYA , 牧野嶋高史 , MAKINOSHIMA, TAKASHI , 越後雅敏 , ECHIGO, MASATOSHI , 大越篤 , OKOSHI, ATSUSHI
IPC分类号： C07C37/82 , C07C39/08 , C07C39/14 , C07C39/15
CPC分类号： C07C37/82 , C07C39/14
摘要：本發明之化合物之純化方法係包含使溶液(A)與離子交換樹脂接觸之步驟，該溶液(A)包含下述式(A0)及/或(B0)所表示之羥基取代芳香族化合物及溶劑。 (前述式(A0)中，n0為0~9之整數，m0為0~2之整數，p0為0~9之整數，在此，該n0、m0及p0之至少一個為1以上之整數，並且m0為1時，前述式(A0)表示具有萘骨架或聯苯骨架，Ra係各自獨立為選自由羥基、鹵素基、碳數1~40之直鏈狀、分枝狀或環狀之烷基、可具有取代基之碳數6~40之芳基、或碳數2~40之烯基及此等之組合所成群之基，該烷基、該芳基或該烯基亦可包含醚鍵、酮鍵、或酯鍵。前述式(B0)中，n1為0~9之整數，p1為0~9之整數，Rb係各自獨立為選自由氫原子、羥基、鹵素基、碳數1~40之直鏈狀、分枝狀或環狀之烷基、可具有取代基之碳數6~40之芳基、或碳數2~40之烯基及此等之組合所成群之基，該烷基、該芳基或該烯基亦可包含醚鍵、酮鍵、或酯鍵。)
简体摘要：本发明之化合物之纯化方法系包含使溶液(A)与离子交换树脂接触之步骤，该溶液(A)包含下述式(A0)及/或(B0)所表示之羟基取代芳香族化合物及溶剂。 (前述式(A0)中，n0为0~9之整数，m0为0~2之整数，p0为0~9之整数，在此，该n0、m0及p0之至少一个为1以上之整数，并且m0为1时，前述式(A0)表示具有萘骨架或联苯骨架，Ra系各自独立为选自由羟基、卤素基、碳数1~40之直链状、分枝状或环状之烷基、可具有取代基之碳数6~40之芳基、或碳数2~40之烯基及此等之组合所成群之基，该烷基、该芳基或该烯基亦可包含醚键、酮键、或酯键。前述式(B0)中，n1为0~9之整数，p1为0~9之整数，Rb系各自独立为选自由氢原子、羟基、卤素基、碳数1~40之直链状、分枝状或环状之烷基、可具有取代基之碳数6~40之芳基、或碳数2~40之烯基及此等之组合所成群之基，该烷基、该芳基或该烯基亦可包含醚键、酮键、或酯键。)

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