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1. 发明专利

TWI291774B 白光發光裝置 WHITE LIGHT EMITTING DEVICE 失效
简体标题：白光发光设备 WHITE LIGHT EMITTING DEVICE
公开(公告)号：TWI291774B
公开(公告)日：2007-12-21
申请号：TW095105041
申请日：2006-02-15
申请人：三星電機股份有限公司 SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.
发明人：金敏浩 KIM, MIN HO , 閔庚瀷 MIN, KYEONG IK , 小池正好 KOIKE, MASAYOSHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/08 , H01L33/06 , H01L33/32
摘要：本發明係有關一種氮化物發光裝置，該氮化物發光裝置包含第一及第二導電性類型氮化物層、以及發射不同波長的光之複數個主動區。係在該第一與該第二導電性類型氮化物層之間連續地形成該等主動區。該等主動區包括具有複數個第一量子阻障層及量子井層的至少一個第一主動區、以及發射比該第一主動區所發射光之波長為長的光之第二主動區。該第二主動區具有複數個第二量子阻障層、以及在該複數個第二量子阻障層之間形成的至少一個不連續量子井結構。該不連續量子井結構包含複數個量子點或微晶。
简体摘要：本发明系有关一种氮化物发光设备，该氮化物发光设备包含第一及第二导电性类型氮化物层、以及发射不同波长的光之复数个主动区。系在该第一与该第二导电性类型氮化物层之间连续地形成该等主动区。该等主动区包括具有复数个第一量子阻障层及量子井层的至少一个第一主动区、以及发射比该第一主动区所发射光之波长为长的光之第二主动区。该第二主动区具有复数个第二量子阻障层、以及在该复数个第二量子阻障层之间形成的至少一个不连续量子井结构。该不连续量子井结构包含复数个量子点或微晶。

2. 发明专利

TW200703713A 白光發光裝置 WHITE LIGHT EMITTING DEVICE 失效
简体标题：白光发光设备 WHITE LIGHT EMITTING DEVICE
公开(公告)号：TW200703713A
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：TW095105041
申请日：2006-02-15
申请人：三星電機股份有限公司 SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.
发明人：金敏浩 KIM, MIN HO , 閔庚瀷 MIN, KYEONG IK , 小池正好 KOIKE, MASAYOSHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/08 , H01L33/06 , H01L33/32
摘要：本發明係有關一種氮化物發光裝置,該氮化物發光裝置包含第一及第二導電性類型氮化物層、以及發射不同波長的光之複數個主動區。係在該第一與該第二導電性類型氮化物層之間連續地形成該等主動區。該等主動區包括具有複數個第一量子阻障層及量子井層的至少一個第一主動區、以及發射比該第一主動區所發射光之波長為長的光之第二主動區。該第二主動區具有複數個第二量子阻障層、以及在該複數個第二量子阻障層之間形成的至少一個不連續量子井結構。該不連續量子井結構包含複數個量子點或微晶。
简体摘要：本发明系有关一种氮化物发光设备,该氮化物发光设备包含第一及第二导电性类型氮化物层、以及发射不同波长的光之复数个主动区。系在该第一与该第二导电性类型氮化物层之间连续地形成该等主动区。该等主动区包括具有复数个第一量子阻障层及量子井层的至少一个第一主动区、以及发射比该第一主动区所发射光之波长为长的光之第二主动区。该第二主动区具有复数个第二量子阻障层、以及在该复数个第二量子阻障层之间形成的至少一个不连续量子井结构。该不连续量子井结构包含复数个量子点或微晶。

3. 发明专利

TWI289883B 製造以氮化鎵為基礎之單晶基板的方法及裝置 METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE BASED SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE 有权
简体标题：制造以氮化镓为基础之单晶基板的方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE BASED SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
公开(公告)号：TWI289883B
公开(公告)日：2007-11-11
申请号：TW094133906
申请日：2005-09-29
申请人：三星電機股份有限公司 SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.
发明人：李秀敏 LEE, SOO MIN , 小池正好 KOIKE, MASAYOSHI , 閔庚瀷 MIN, KYEONG IK , 金澈圭 KIM, CHEOL KYU , 張成煥 JANG, SUNG HWAN , 金敏浩 KIM, MIN HO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C30B29/406 , C30B29/64 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02664
摘要：提供一種製造以氮化物為基礎之單晶基板的方法及裝置。該方法包含：將暫設基板放置於安裝在反應室內的承載器上；於該暫設基板上成長氮化物單晶層；以及，在該暫設基板置於該反應室內的情況下，照射雷射光束使該氮化物單晶層自該暫設基板分開。
简体摘要：提供一种制造以氮化物为基础之单晶基板的方法及设备。该方法包含：将暂设基板放置于安装在反应室内的承载器上；于该暂设基板上成长氮化物单晶层；以及，在该暂设基板置于该反应室内的情况下，照射激光光束使该氮化物单晶层自该暂设基板分开。

4. 发明专利

TW200625416A 製造以氮化鎵為基礎之單晶基板的方法及裝置 METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE BASED SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：制造以氮化镓为基础之单晶基板的方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE BASED SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
公开(公告)号：TW200625416A
公开(公告)日：2006-07-16
申请号：TW094133906
申请日：2005-09-29
申请人：三星電機股份有限公司 SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.
发明人：李秀敏 LEE, SOO MIN , 小池正好 KOIKE, MASAYOSHI , 閔庚瀷 MIN, KYEONG IK , 金澈圭 KIM, CHEOL KYU , 張成煥 JANG, SUNG HWAN , 金敏浩 KIM, MIN HO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C30B29/406 , C30B29/64 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02664
摘要：提供一種製造以氮化物為基礎之單晶基板的方法及裝置。該方法包含：將暫設基板放置於安裝在反應室內的承載器上；於該暫設基板上成長氮化物單晶層；以及，在該暫設基板置於該反應室內的情況下，照射雷射光束使該氮化物單晶層自該暫設基板分開。
简体摘要：提供一种制造以氮化物为基础之单晶基板的方法及设备。该方法包含：将暂设基板放置于安装在反应室内的承载器上；于该暂设基板上成长氮化物单晶层；以及，在该暂设基板置于该反应室内的情况下，照射激光光束使该氮化物单晶层自该暂设基板分开。

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