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1. 发明专利

TW201135830A 製造半導體裝置之方法 METHODS OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES 审中-公开
简体标题：制造半导体设备之方法 METHODS OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES
公开(公告)号：TW201135830A
公开(公告)日：2011-10-16
申请号：TW099147377
申请日：2010-12-31
申请人：三星電子股份有限公司
发明人：鄭會晟 , 申東石 , 金東赫 , 許晶植 , 金明宣
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/823807 , H01L21/30608 , H01L21/3086 , H01L21/823814 , H01L29/165 , H01L29/6653 , H01L29/66636 , H01L29/7834 , H01L29/7848 , Y10S438/938
摘要：一種製造一半導體裝置之方法包括在一半導體基板上形成一閘極電極及在該閘極電極上形成一側壁間隔件。接著,部分地蝕刻處在該側壁間隔件之兩側的該半導體基板之一部分以形成一溝槽。在該溝槽中形成一矽鍺(SiGe)混合晶體層。在該SiGe混合晶體層上形成一矽層。使用根據該矽層之一面之一晶體方向而具有不同蝕刻速率之一蝕刻溶液而部分地蝕刻該矽層之一部分,以形成包括具有一(111)傾斜面之一矽刻面的一罩蓋層。
简体摘要：一种制造一半导体设备之方法包括在一半导体基板上形成一闸极电极及在该闸极电极上形成一侧壁间隔件。接着,部分地蚀刻处在该侧壁间隔件之两侧的该半导体基板之一部分以形成一沟槽。在该沟槽中形成一硅锗(SiGe)混合晶体层。在该SiGe混合晶体层上形成一硅层。使用根据该硅层之一面之一晶体方向而具有不同蚀刻速率之一蚀刻溶液而部分地蚀刻该硅层之一部分,以形成包括具有一(111)倾斜面之一硅刻面的一罩盖层。

2. 发明专利

TWI666545B 電力管理方法及行動裝置有权
简体标题：电力管理方法及行动设备
公开(公告)号：TWI666545B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW104124238
申请日：2015-07-27
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：許禎訓 , HEO, JUNGHUN , 金榮德 , KIM, YOUNGDUK , 金俊奭 , KIM, JOONSEOK , 申東石 , SHIN, DONGSUK
IPC分类号： G06F1/26 , H04W52/02

4. 发明专利

TW201621541A 電力管理積體電路、電力管理方法、行動裝置及時鐘調整方法审中-公开
简体标题：电力管理集成电路、电力管理方法、行动设备及时钟调整方法
公开(公告)号：TW201621541A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104124238
申请日：2015-07-27
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：許禎訓 , HEO, JUNGHUN , 金榮德 , KIM, YOUNGDUK , 金俊奭 , KIM, JOONSEOK , 申東石 , SHIN, DONGSUK
IPC分类号： G06F1/26 , H04W52/02
CPC分类号： H04W52/0287 , H04W52/0261 , Y02D70/1262 , Y02D70/142 , Y02D70/146 , Y02D70/164 , Y02D70/26
摘要：一種用於行動裝置之電力管理方法包括將電池提供之電源電壓與參考電壓比較，以便產生警報信號。響應於該警報信號，改變施加至系統單晶片的操作時鐘之頻率。
简体摘要：一种用于行动设备之电力管理方法包括将电池提供之电源电压与参考电压比较，以便产生警报信号。响应于该警报信号，改变施加至系统单芯片的操作时钟之频率。

5. 发明专利

TW201421688A 在凹處包括一應力件的半導體裝置及其形成方法（二）审中-公开
简体标题：在凹处包括一应力件的半导体设备及其形成方法（二）
公开(公告)号：TW201421688A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102133207
申请日：2013-09-13
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：申東石 , SHIN, DONG-SUK , 姜顯澈 , KANG, HYUN-CHUL , 盧東賢 , ROH, DONG-HYUN , 朴判貴 , PARK, PAN-KWI , 慎居明 , SHIN, GEO-MYUNG , 李來寅 , LEE, NAE-IN , 李哲雄 , LEE, CHUL-WOONG , 鄭會晟 , CHUNG, HOI-SUNG , 金永倬 , KIM, YOUNG-TAK
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7848 , H01L21/823412 , H01L21/823425 , H01L27/0207 , H01L27/088 , H01L29/0847 , H01L29/1095 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/167 , H01L29/4966 , H01L29/66492 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/7833 , H01L29/7836
摘要：本發明提供在凹處包括一應力件的半導體裝置及形成該等半導體裝置之方法。該等方法可包括在一作用區域中形成一槽且該槽可包括該作用區域之一缺口部份。該等方法亦可包括在該槽中形成一嵌入式應力件。該嵌入式應力件可包括一下半導體層及一上半導體層，且該上半導體層具有比該下半導體層之一寬度窄的一寬度。該上半導體層之一側可不對齊該下半導體層之一側，且該上半導體層之一最上方表面可比該作用區域之一最上方表面高。
简体摘要：本发明提供在凹处包括一应力件的半导体设备及形成该等半导体设备之方法。该等方法可包括在一作用区域中形成一槽且该槽可包括该作用区域之一缺口部份。该等方法亦可包括在该槽中形成一嵌入式应力件。该嵌入式应力件可包括一下半导体层及一上半导体层，且该上半导体层具有比该下半导体层之一宽度窄的一宽度。该上半导体层之一侧可不对齐该下半导体层之一侧，且该上半导体层之一最上方表面可比该作用区域之一最上方表面高。

6. 发明专利

TWI608615B 在凹處包括一應力件的半導體裝置及其形成方法（一）有权
简体标题：在凹处包括一应力件的半导体设备及其形成方法（一）
公开(公告)号：TWI608615B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW102133206
申请日：2013-09-13
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：申東石 , SHIN, DONG-SUK , 李哲雄 , LEE, CHUL-WOONG , 鄭會晟 , CHUNG, HOI-SUNG , 金永倬 , KIM, YOUNG-TAK , 李來寅 , LEE, NAE-IN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7848 , H01L21/02636 , H01L21/30604 , H01L21/823412 , H01L21/823425 , H01L21/823468 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823864 , H01L27/088 , H01L29/045 , H01L29/0603 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/167 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/66568 , H01L29/66575 , H01L29/66636 , H01L29/7833 , H01L29/7834

7. 发明专利

TW201401515A 半導體元件、電子元件以及半導體元件的形成方法审中-公开
简体标题：半导体组件、电子组件以及半导体组件的形成方法
公开(公告)号：TW201401515A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW102116460
申请日：2013-05-09
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：申東石 , SHIN, DONG-SUK , 金明宣 , KIM, MYUNG-SUN , 南性眞 , NAM, SEONG-JIN , 朴判貴 , PARK, PAN-KWI , 鄭會晟 , CHUNG, HOI-SUNG , 李來寅 , LEE, NAE-IN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L27/1104 , H01L21/02532 , H01L21/02636 , H01L21/28247 , H01L21/30604 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L27/088 , H01L27/1116 , H01L29/0847 , H01L29/1083 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/45 , H01L29/513 , H01L29/665 , H01L29/6653 , H01L29/6656 , H01L29/66575 , H01L29/6659 , H01L29/66636 , H01L29/7827 , H01L29/7833 , H01L29/7834 , H01L29/7845 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L29/78696
摘要：在半導體元件中，第一主動區具有第一Σ形狀，且第二主動區具有第二Σ形狀。將垂直於基板且通過第一區中的閘極電極的側表面的線定義為第一垂直線，將垂直於基板且通過第二區中的閘極電極的側表面的線定義為第二垂直線，將第一垂直線與第一溝渠之間的最短距離定義為第一水平距離，且將第二垂直線與第二溝渠之間的最短距離定義為第二水平距離，第一水平距離與第二水平距離之間的差異等於或小於1nm。
简体摘要：在半导体组件中，第一主动区具有第一Σ形状，且第二主动区具有第二Σ形状。将垂直于基板且通过第一区中的闸极电极的侧表面的线定义为第一垂直线，将垂直于基板且通过第二区中的闸极电极的侧表面的线定义为第二垂直线，将第一垂直线与第一沟渠之间的最短距离定义为第一水平距离，且将第二垂直线与第二沟渠之间的最短距离定义为第二水平距离，第一水平距离与第二水平距离之间的差异等于或小于1nm。

8. 发明专利

TWI318537B 圖場式適應性空間時間Ｙ／Ｃ分離的數位視訊訊號處理裝置與方法 DIGITAL VIDEO SIGNAL PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR FIELD-BASED ADAPTIVE SPATIO-TEMPORAL Y/C SEPARATION 失效
简体标题：图场式适应性空间时间Ｙ／Ｃ分离的数码视频信号处理设备与方法 DIGITAL VIDEO SIGNAL PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR FIELD-BASED ADAPTIVE SPATIO-TEMPORAL Y/C SEPARATION
公开(公告)号：TWI318537B
公开(公告)日：2009-12-11
申请号：TW095101397
申请日：2006-01-13
申请人：三星電子股份有限公司
发明人：朴成哲 , 任炯俊 , 朴宰弘 , 任慶默 , 卞孝真 , 申東石
IPC分类号： H04N
CPC分类号： H04N9/78
摘要：一種圖場式適應性Y/C分離的數位視訊訊號處理裝置與方法包括一適應性3D帶通濾波器，當回應一影像之空間時間局部特性而利用空間時間濾波器將邊緣方向垂直/水平固定時，3D帶通濾波器根據局部梳形濾波/1D帶通濾波來執行Y/C分離。當沒有將邊緣方向水平/垂直固定時，則3D帶通濾波器在所有方向上執行2D/3D帶通濾波。回應影像之空間時間局部特性，3D帶通濾波器適應性地、連續地執行梳形濾波、1D帶通濾波及2D/3D帶通濾波。 A digital video signal processing apparatus and method for field－based adaptive Y/C separation includes an adaptive 3D BPF performing Y/C separation according to local comb filtering/1D band pass filtering when the edge direction is fixed vertically/horizontally in response to spatio－temporal local characteristics of an image using spatio－temporal filters. When the edge direction is not fixed horizontally or vertically, the 3D BPF performs 2D/3D band pass filtering in all directions. The 3D BPF adaptively and continuously carries out comb filtering, 1D band pass filtering and 2D/3D band pass filtering in response to the spatio－temporal local characteristics of the image. 【創作特點】因此，本發明致力於一種數位訊號處理裝置及方法，其實質上克服由相關技術之侷限性及缺點導致的一或多個問題。
本發明之一實施例之特徵是提供一用於NTSC及PAL兩系統之數位視訊訊號處理裝置。
本發明之一實施例之特徵是，根據一輸入視訊訊號之時間及空間特性，在多個方向上適應性地且連續地執行圖場/圖框式的Y/C分離。
本發明之一實施例之另一特徵是，採用一具有適用於輸入視訊訊號之Y/C分離的頻譜特性之空間時間濾波器。
藉由提供一種視訊訊號處理方法，可實現本發明之上述及其他特徵及優點之至少一個，此方法包括藉由採用一輸入視訊訊號之多數個圖場之資料產生2D權重係數及3D權重係數，及藉由執行一水平係數遮罩、一垂直係數遮罩及一時間係數遮罩(這些遮罩是基於權重係數構成)和多數個圖場資料之相應資料窗之捲積(convolution)，產生輸入視訊訊號之一C訊號，其中產生C訊號包括根據輸入視訊訊號之空間時間局部特性之局部垂直梳形濾波、水平帶通濾波及2D帶通濾波。
當局部特性指示較高垂直相關性時，可執行局部垂直梳形濾波。當局部特性指示較高水平相關性時，可執行局部水平帶通濾波。當採用具有一個圖場之一間隔的至少三個圖場資料，局部特性在多個方向上指示較高或較低相關性時，可執行2D或3D帶通濾波。
2D權重係數可包括一與目前像素之垂直及向上相關性成比例之第一係數、一與目前像素之垂直及向下相關性成比例之第二係數、一與目前像素之水平及向左相關性成比例之第三係數，及一與目前像素之水平及向右相關性成比例之第四係數。
可自輸入視訊訊號減去所產生之C訊號，並將其作為一Y訊號輸出。
產生C訊號可包括執行輸入視訊訊號之一第一圖場資料之一相應資料窗和一第一濾波器遮罩之捲積、執行輸入視訊訊號之一第二圖場資料之一相應資料窗和一第二濾波器遮罩之捲積、執行輸入視訊訊號之一第三圖場資料之一相應資料窗和一第三濾波器遮罩之捲積，及合併捲積結果以將合併結果作為C訊號輸出，其中第一、第二及第三濾波器遮罩是產生自水平係數遮罩、垂直係數遮罩及時間係數遮罩之3D捲積。
此方法可應用於一PAL系統或一NTSC系統。
第一圖場資料、第二圖場資料及第三圖場資料可具有一個圖場之一間隔。水平係數遮罩、垂直係數遮罩及時間係數遮罩之每一個可是一維的。3D權重係數可包括一與一相關性成比例之第一係數(此相關性是目前處理之像素資料和目前圖場之前的圖場之資料之間的相關性)，及一與一相關性成比例之第二係數(此相關性是目前處理之像素資料和目前圖場之後的圖場之資料之間的相關性)。
產生C訊號可進一步包括執行輸入視訊訊號之一第四圖場資料之一相應資料窗和一第四濾波器遮罩之捲積、執行輸入視訊訊號之一第五圖場資料之一相應資料窗和一第五濾波器遮罩之捲積、合併五個捲積結果以將合併結果作為所產生之C訊號輸出，其中時間係數遮罩包括第一及第二係數遮罩，且第一至第五濾波器遮罩是產生自水平係數遮罩、垂直係數遮罩、第一係數遮罩及第二係數遮罩之3D捲積。
用於第一係數遮罩之3D權重係數可包括一與在一第一方向上之相關性成比例之第一係數(此相關性是目前處理之像素資料和目前圖場之前的圖場之資料之間的相關性)，及一與在一第二方向上之相關性成比例之第二係數(此相關性是目前處理之像素資料和目前圖場之後的圖場之資料之間的相關性)。用於第二係數遮罩之3D權重係數可包括一與在一第三方向上之相關性成比例之第三係數(此相關性是目前處理之像素資料和目前圖場之前的圖場之資料之間的相關性)，及一與在一第四方向上之相關性成比例之第四係數(此相關性是目前處理之像素資料和目前圖場之後的圖場之資料之間的相關性)。
藉由提供一視訊訊號處理裝置，可實現本發明之上述及其他特徵及優點之至少一個，視訊訊號處理裝置包括一權重確定單元(權重確定單元藉由採用一輸入視訊訊號之多數個圖場之資料產生2D權重係數及3D權重係數)，和一濾波器，濾波器將一水平係數遮罩、一垂直係數遮罩及一時間係數遮罩(遮罩是分別由權重係數構成)與多數個圖場之資料之相應資料窗捲積，產生輸入視訊訊號之一C訊號，其中濾波器回應輸入視訊訊號之空間時間局部特性，適應性地執行局部垂直梳形濾波、水平帶通濾波及2D帶通濾波。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
简体摘要：一种图场式适应性Y/C分离的数码视频信号处理设备与方法包括一适应性3D带通滤波器，当回应一影像之空间时间局部特性而利用空间时间滤波器将边缘方向垂直/水平固定时，3D带通滤波器根据局部梳形滤波/1D带通滤波来运行Y/C分离。当没有将边缘方向水平/垂直固定时，则3D带通滤波器在所有方向上运行2D/3D带通滤波。回应影像之空间时间局部特性，3D带通滤波器适应性地、连续地运行梳形滤波、1D带通滤波及2D/3D带通滤波。 A digital video signal processing apparatus and method for field－based adaptive Y/C separation includes an adaptive 3D BPF performing Y/C separation according to local comb filtering/1D band pass filtering when the edge direction is fixed vertically/horizontally in response to spatio－temporal local characteristics of an image using spatio－temporal filters. When the edge direction is not fixed horizontally or vertically, the 3D BPF performs 2D/3D band pass filtering in all directions. The 3D BPF adaptively and continuously carries out comb filtering, 1D band pass filtering and 2D/3D band pass filtering in response to the spatio－temporal local characteristics of the image. 【创作特点】因此，本发明致力于一种数码信号处理设备及方法，其实质上克服由相关技术之局限性及缺点导致的一或多个问题。本发明之一实施例之特征是提供一用于NTSC及PAL两系统之数码视频信号处理设备。本发明之一实施例之特征是，根据一输入视频信号之时间及空间特性，在多个方向上适应性地且连续地运行图场/图框式的Y/C分离。本发明之一实施例之另一特征是，采用一具有适用于输入视频信号之Y/C分离的频谱特性之空间时间滤波器。借由提供一种视频信号处理方法，可实现本发明之上述及其他特征及优点之至少一个，此方法包括借由采用一输入视频信号之多数个图场之数据产生2D权重系数及3D权重系数，及借由运行一水平系数遮罩、一垂直系数遮罩及一时间系数遮罩(这些遮罩是基于权重系数构成)和多数个图场数据之相应数据窗之卷积(convolution)，产生输入视频信号之一C信号，其中产生C信号包括根据输入视频信号之空间时间局部特性之局部垂直梳形滤波、水平带通滤波及2D带通滤波。当局部特性指示较高垂直相关性时，可运行局部垂直梳形滤波。当局部特性指示较高水平相关性时，可运行局部水平带通滤波。当采用具有一个图场之一间隔的至少三个图场数据，局部特性在多个方向上指示较高或较低相关性时，可运行2D或3D带通滤波。 2D权重系数可包括一与目前像素之垂直及向上相关性成比例之第一系数、一与目前像素之垂直及向下相关性成比例之第二系数、一与目前像素之水平及向左相关性成比例之第三系数，及一与目前像素之水平及向右相关性成比例之第四系数。可自输入视频信号减去所产生之C信号，并将其作为一Y信号输出。产生C信号可包括运行输入视频信号之一第一图场数据之一相应数据窗和一第一滤波器遮罩之卷积、运行输入视频信号之一第二图场数据之一相应数据窗和一第二滤波器遮罩之卷积、运行输入视频信号之一第三图场数据之一相应数据窗和一第三滤波器遮罩之卷积，及合并卷积结果以将合并结果作为C信号输出，其中第一、第二及第三滤波器遮罩是产生自水平系数遮罩、垂直系数遮罩及时间系数遮罩之3D卷积。此方法可应用于一PAL系统或一NTSC系统。第一图场数据、第二图场数据及第三图场数据可具有一个图场之一间隔。水平系数遮罩、垂直系数遮罩及时间系数遮罩之每一个可是一维的。3D权重系数可包括一与一相关性成比例之第一系数(此相关性是目前处理之像素数据和目前图场之前的图场之数据之间的相关性)，及一与一相关性成比例之第二系数(此相关性是目前处理之像素数据和目前图场之后的图场之数据之间的相关性)。产生C信号可进一步包括运行输入视频信号之一第四图场数据之一相应数据窗和一第四滤波器遮罩之卷积、运行输入视频信号之一第五图场数据之一相应数据窗和一第五滤波器遮罩之卷积、合并五个卷积结果以将合并结果作为所产生之C信号输出，其中时间系数遮罩包括第一及第二系数遮罩，且第一至第五滤波器遮罩是产生自水平系数遮罩、垂直系数遮罩、第一系数遮罩及第二系数遮罩之3D卷积。用于第一系数遮罩之3D权重系数可包括一与在一第一方向上之相关性成比例之第一系数(此相关性是目前处理之像素数据和目前图场之前的图场之数据之间的相关性)，及一与在一第二方向上之相关性成比例之第二系数(此相关性是目前处理之像素数据和目前图场之后的图场之数据之间的相关性)。用于第二系数遮罩之3D权重系数可包括一与在一第三方向上之相关性成比例之第三系数(此相关性是目前处理之像素数据和目前图场之前的图场之数据之间的相关性)，及一与在一第四方向上之相关性成比例之第四系数(此相关性是目前处理之像素数据和目前图场之后的图场之数据之间的相关性)。借由提供一视频信号处理设备，可实现本发明之上述及其他特征及优点之至少一个，视频信号处理设备包括一权重确定单元(权重确定单元借由采用一输入视频信号之多数个图场之数据产生2D权重系数及3D权重系数)，和一滤波器，滤波器将一水平系数遮罩、一垂直系数遮罩及一时间系数遮罩(遮罩是分别由权重系数构成)与多数个图场之数据之相应数据窗卷积，产生输入视频信号之一C信号，其中滤波器回应输入视频信号之空间时间局部特性，适应性地运行局部垂直梳形滤波、水平带通滤波及2D带通滤波。为让本发明之上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

9. 发明专利

TW201803127A 在凹處包括一應力件的半導體裝置及其形成方法（三）审中-公开
简体标题：在凹处包括一应力件的半导体设备及其形成方法（三）
公开(公告)号：TW201803127A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106132301
申请日：2013-09-13
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：申東石 , SHIN, DONG-SUK , 姜顯澈 , KANG, HYUN-CHUL , 盧東賢 , ROH, DONG-HYUN , 朴判貴 , PARK, PAN-KWI , 慎居明 , SHIN, GEO-MYUNG , 李來寅 , LEE, NAE-IN , 李哲雄 , LEE, CHUL-WOONG , 鄭會晟 , CHUNG, HOI-SUNG , 金永倬 , KIM, YOUNG-TAK
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7848 , H01L21/823412 , H01L21/823425 , H01L27/0207 , H01L27/088 , H01L29/0847 , H01L29/1095 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/167 , H01L29/4966 , H01L29/66492 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/7833 , H01L29/7836
摘要：本發明提供在凹處包括一應力件的半導體裝置及形成該等半導體裝置之方法。該等方法可包括在一作用區域中形成一槽且該槽可包括該作用區域之一缺口部份。該等方法亦可包括在該槽中形成一嵌入式應力件。該嵌入式應力件可包括一下半導體層及一上半導體層，且該上半導體層具有比該下半導體層之一寬度窄的一寬度。該上半導體層之一側可不對齊該下半導體層之一側，且該上半導體層之一最上方表面可比該作用區域之一最上方表面高。
简体摘要：本发明提供在凹处包括一应力件的半导体设备及形成该等半导体设备之方法。该等方法可包括在一作用区域中形成一槽且该槽可包括该作用区域之一缺口部份。该等方法亦可包括在该槽中形成一嵌入式应力件。该嵌入式应力件可包括一下半导体层及一上半导体层，且该上半导体层具有比该下半导体层之一宽度窄的一宽度。该上半导体层之一侧可不对齐该下半导体层之一侧，且该上半导体层之一最上方表面可比该作用区域之一最上方表面高。

10. 发明专利

TWI505349B 製造半導體裝置之方法有权
简体标题：制造半导体设备之方法
公开(公告)号：TWI505349B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW099147377
申请日：2010-12-31
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：鄭會晟 , CHUNG, HOI-SUNG , 申東石 , SHIN, DONG-SUK , 金東赫 , KIM, DONG-HYUK , 許晶植 , HEO, JUNG-SHIK , 金明宣 , KIM, MYUNG-SUN
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/823807 , H01L21/30608 , H01L21/3086 , H01L21/823814 , H01L29/165 , H01L29/6653 , H01L29/66636 , H01L29/7834 , H01L29/7848 , Y10S438/938

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