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1. 发明专利

TWI699927B 氧化還原液流電池、氧化還原液流電池用電極及電極之特性評估方法有权
简体标题：氧化还原液流电池、氧化还原液流电池用电极及电极之特性评估方法
公开(公告)号：TWI699927B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：TW105139696
申请日：2016-12-01
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：白木高輔 , SHIRAKI, KOSUKE , 寒野毅 , KANNO, TAKASHI , 伊藤岳文 , ITO, TAKEFUMI , 桑原雅裕 , KUWABARA, MASAHIRO , 山口英之 , YAMAGUCHI, HIDEYUKI , 藤田勇人 , FUJITA, HAYATO , 林清明 , HAYASHI, KIYOAKI , 森內清晃 , MORIUCHI, KIYOAKI
IPC分类号： H01M8/18 , H01M4/88

2. 发明专利

TW202014379A 鑽石多晶體、具備鑽石多晶體之工具及鑽石多晶體之製造方法审中-公开
简体标题：钻石多晶体、具备钻石多晶体之工具及钻石多晶体之制造方法
公开(公告)号：TW202014379A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108135094
申请日：2019-09-27
申请人：日商住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：角谷均 , SUMIYA, HITOSHI , 山本佳津子 , YAMAMOTO, KATSUKO
IPC分类号： C01B32/25 , C01B32/26 , B01J3/06
摘要：本發明之鑽石多晶體係包含鑽石粒子者，且包含立方晶鑽石與6H型六方晶鑽石，上述立方晶鑽石與上述6H型六方晶鑽石分別存在於相同或不同之上述鑽石粒子中，處於紅外吸收光譜中之1200 cm-1以上1300 cm-1以下之範圍之吸收之最大值Ab1與處於1900 cm-1以上2100 cm-1以下之範圍之吸收之最大值Ab2之比Ab1/Ab2為0.4以上1以下。
简体摘要：本发明之钻石多晶体系包含钻石粒子者，且包含立方晶钻石与6H型六方晶钻石，上述立方晶钻石与上述6H型六方晶钻石分别存在于相同或不同之上述钻石粒子中，处于红外吸收光谱中之1200 cm-1以上1300 cm-1以下之范围之吸收之最大值Ab1与处于1900 cm-1以上2100 cm-1以下之范围之吸收之最大值Ab2之比Ab1/Ab2为0.4以上1以下。

3. 发明专利

TW201911637A 氧化還原液流電池之運轉方法审中-公开
简体标题：氧化还原液流电池之运转方法
公开(公告)号：TW201911637A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107124230
申请日：2018-07-13
申请人：日商住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：山口英之 , YAMAGUCHI, HIDEYUKI , 山西克也 , YAMANISHI, KATSUYA
IPC分类号： H01M8/18
摘要：本發明係一種氧化還原液流電池之運轉方法，其具備以特定週期混合特定容量之正極電解液及負極電解液之步驟，且將上述特定週期設為選自320小時以下之範圍中之x小時，將上述特定容量設為對正極儲罐及負極儲罐中之一儲罐設定之儲存容量之y%之量，將上述y設為y=0.01%×x所表示之值以上，並且於自30小時以下之範圍選擇上述x之情形時，將上述y設為y=0.9%×x所表示之值以下，於自超過30小時且為320小時以下之範圍選擇上述x之情形時，將上述y設為27.0%以下。
简体摘要：本发明系一种氧化还原液流电池之运转方法，其具备以特定周期混合特定容量之正极电解液及负极电解液之步骤，且将上述特定周期设为选自320小时以下之范围中之x小时，将上述特定容量设为对正极储罐及负极储罐中之一储罐设置之存储容量之y%之量，将上述y设为y=0.01%×x所表示之值以上，并且于自30小时以下之范围选择上述x之情形时，将上述y设为y=0.9%×x所表示之值以下，于自超过30小时且为320小时以下之范围选择上述x之情形时，将上述y设为27.0%以下。

4. 发明专利

TWI653352B 氧化物燒結體及其製造方法、濺鍍靶、及半導體裝置有权
简体标题：氧化物烧结体及其制造方法、溅镀靶、及半导体设备
公开(公告)号：TWI653352B
公开(公告)日：2019-03-11
申请号：TW104109591
申请日：2015-03-25
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：宮永美紀 , MIYANAGA, MIKI , 綿谷研一 , WATATANI, KENICHI , 曾我部浩一 , SOGABE, KOICHI
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/34 , B22F3/10 , H01L21/363

5. 发明专利

TW201907060A 砷化鎵晶體及砷化鎵結晶基板审中-公开
简体标题：砷化镓晶体及砷化镓结晶基板
公开(公告)号：TW201907060A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107109950
申请日：2018-03-23
申请人：日商住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：福永寛 , FUKUNAGA, HIROSHI , 秋田勝史 , AKITA, KATSUSHI , 石川幸雄 , ISHIKAWA, YUKIO
IPC分类号： C30B29/42 , H01L21/18
摘要：本發明之砷化鎵晶體之蝕坑密度為10個・cm-2以上且10000個・cm-2以下，且氧濃度未達7.0×1015原子・cm-3。本發明之砷化鎵結晶基板之蝕坑密度為10個・cm-2以上且10000個・cm-2以下，且氧濃度未達7.0×1015原子・cm-3。
简体摘要：本发明之砷化镓晶体之蚀坑密度为10个・cm-2以上且10000个・cm-2以下，且氧浓度未达7.0×1015原子・cm-3。本发明之砷化镓结晶基板之蚀坑密度为10个・cm-2以上且10000个・cm-2以下，且氧浓度未达7.0×1015原子・cm-3。

6. 发明专利

TW201904078A 光發電元件审中-公开
简体标题：光发电组件
公开(公告)号：TW201904078A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107113121
申请日：2018-04-18
申请人：日商住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：岩崎孝 , IWASAKI, TAKASHI , 鳥谷和正 , TOYA, KAZUMASA , 稲垣充 , INAGAKI, MAKOTO , 斉藤健司 , SAITO, KENJI , 安彥義哉 , ABIKO, YOSHIYA , 永井陽一 , NAGAI, YOUICHI
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/043
摘要：本發明係一種光發電元件，係至少包含第1光電變換單元，和第2光電變換單元之光發電元件，其中，第1光電變換單元，和第2光電變換單元係藉由絕緣第1光電變換單元和第2光電變換單元之第1絕緣層而加以層積。
简体摘要：本发明系一种光发电组件，系至少包含第1光电变换单元，和第2光电变换单元之光发电组件，其中，第1光电变换单元，和第2光电变换单元系借由绝缘第1光电变换单元和第2光电变换单元之第1绝缘层而加以层积。

7. 发明专利

TWI644346B ＩＩＩ族氮化物複合基板與其製造方法、及ＩＩＩ族氮化物半導體裝置之製造方法有权
简体标题：ＩＩＩ族氮化物复合基板与其制造方法、及ＩＩＩ族氮化物半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI644346B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：TW102133515
申请日：2013-09-16
申请人：日商住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：石橋惠二 , ISHIBASHI, KEIJI , 八鄕昭廣 , HACHIGO, AKIHIRO , 廣村友紀 , HIROMURA, YUKI , 松本直樹 , MATSUMOTO, NAOKI , 中田成二 , NAKAHATA, SEIJI , 中西文毅 , NAKANISHI, FUMITAKE , 柳澤拓彌 , YANAGISAWA, TAKUYA , 上松康二 , UEMATSU, KOJI , 關裕紀 , SEKI, YUKI , 山本喜之 , YAMAMOTO, YOSHIYUKI , 善積祐介 , YOSHIZUMI, YUSUKE , 三上英則 , MIKAMI, HIDENORI
IPC分类号： H01L21/205

8. 发明专利

TW201842371A 光學元件审中-公开
简体标题：光学组件
公开(公告)号：TW201842371A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107111776
申请日：2018-04-03
申请人：日商住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：南條卓也 , NANJO, TAKUYA , 中西哲也 , NAKANISHI, TETSUYA
IPC分类号： G02B6/44
摘要：本發明提供一種光學元件，在具有彎曲部分之光纖容納於該光學元件中之後，該光學元件可使光纖之端面容易拋光。該光學元件包括一光纖、一固持器及一支撐件。該光纖包括含有端面的線性部分、與該線性部分鄰接的彎曲部分，及位於該線性部分之對側的延伸部分，其中該彎曲部分插入該線性部分與該延伸部分之間。該固持器固持該光纖之該線性部分。該支撐件自該端面支撐該延伸部分。該固持器自該彎曲部分向該端面突出。
简体摘要：本发明提供一种光学组件，在具有弯曲部分之光纤容纳于该光学组件中之后，该光学组件可使光纤之端面容易抛光。该光学组件包括一光纤、一固持器及一支撑件。该光纤包括含有端面的线性部分、与该线性部分邻接的弯曲部分，及位于该线性部分之对侧的延伸部分，其中该弯曲部分插入该线性部分与该延伸部分之间。该固持器固持该光纤之该线性部分。该支撑件自该端面支撑该延伸部分。该固持器自该弯曲部分向该端面突出。

9. 发明专利

TW201838935A 含磷高硬度水之淨化方法及淨化裝置审中-公开
简体标题：含磷高硬度水之净化方法及净化设备
公开(公告)号：TW201838935A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW106127409
申请日：2017-08-14
申请人：日商住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：佐藤長久 , SATO, NAGAHISA
IPC分类号： C02F5/00 , C02F9/02 , C02F9/04 , C02F1/44 , C02F1/58 , C02F1/66
摘要：本發明的一態樣之淨化方法，係含有硬度成分及磷酸之含磷高硬度水之淨化方法，其具備有：藉由調整上述含磷高硬度水的pH而生成磷灰石之磷灰石生成步驟、將上述磷灰石生成步驟後的處理水進行固液分離之固液分離步驟、以及將藉由上述固液分離步驟將固形物分離後之處理水利用超濾膜或微濾膜進行膜分離之膜處理步驟。
简体摘要：本发明的一态样之净化方法，系含有硬度成分及磷酸之含磷高硬度水之净化方法，其具备有：借由调整上述含磷高硬度水的pH而生成磷灰石之磷灰石生成步骤、将上述磷灰石生成步骤后的处理水进行固液分离之固液分离步骤、以及将借由上述固液分离步骤将固形物分离后之处理水利用超滤膜或微滤膜进行膜分离之膜处理步骤。

10. 发明专利

TW201831933A 光連接零件及光耦合構造审中-公开
简体标题：光连接零件及光耦合构造
公开(公告)号：TW201831933A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW107102193
申请日：2018-01-22
申请人：日商住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：森島哲 , MORISHIMA, TETSU
IPC分类号： G02B6/04 , G02B6/24
摘要：本發明揭示一種光連接零件，其可沿第1方向與至少1個光波導零件對接連接。該光連接零件具備：保持構件及光波導構件。保持構件具有：前端面，其與第1方向交叉；後端面，其於第1方向位於前端面之相反側；基準面，其與正交於第1方向之第2方向交叉；至少一對第1導孔，其設置於前端面；及至少一對第2導孔，其設置於後端面；且光波導構件具有：前面，其與第1方向交叉；後面，其於第1方向位於前面之相反側；下表面，其與第2方向交叉；及複數條光波導，其自前面延伸至後面。複數條光波導之前面側之第1端之配置與複數條光波導之後面側之第2端之配置互不相同。光波導構件以下表面與基準面互相抵接之方式保持於保持構件。
简体摘要：本发明揭示一种光连接零件，其可沿第1方向与至少1个光波导零件对接连接。该光连接零件具备：保持构件及光波导构件。保持构件具有：前端面，其与第1方向交叉；后端面，其于第1方向位于前端面之相反侧；基准面，其与正交于第1方向之第2方向交叉；至少一对第1导孔，其设置于前端面；及至少一对第2导孔，其设置于后端面；且光波导构件具有：前面，其与第1方向交叉；后面，其于第1方向位于前面之相反侧；下表面，其与第2方向交叉；及复数条光波导，其自前面延伸至后面。复数条光波导之前面侧之第1端之配置与复数条光波导之后面侧之第2端之配置互不相同。光波导构件以下表面与基准面互相抵接之方式保持于保持构件。

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