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1. 发明专利

TWI685464B 壓力感測器及其製造方法有权
简体标题：压力传感器及其制造方法
公开(公告)号：TWI685464B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：TW103135727
申请日：2014-10-15
申请人：伊凡聖斯股份有限公司 , INVENSENSE, INC.
发明人：林宗賢 , LIN, CHUNG HSIEN , 湯宗霖 , TANG, TSUNG LIN , 蘇旺申 , SU, WANG SHEN , 林家民 , LIN, CHIA MIN , 胡默瑞奈 , 巴克厄律齊 , BARTSCH, ULRICH , 赫默斯朵夫馬里恩 , HERMERSDORF, MARION
IPC分类号： B81C1/00 , G01L1/14 , G01L9/00

2. 发明专利

TW201804958A 壓電微機械超音波傳感器审中-公开
简体标题：压电微机械超音波传感器
公开(公告)号：TW201804958A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106113266
申请日：2017-04-20
申请人：伊凡聖斯股份有限公司 , INVENSENSE, INC.
发明人：恩艾爾德溫 , NG, ELDWIN , 蔡明霖 , TSAI, JULIUS MING LIN , 亞普提尼奇爾 , APTE, NIKHIL
IPC分类号： A61B5/1172 , A61B8/00 , G01S15/89 , G01S7/521
CPC分类号： G01S7/521 , A61B5/1172 , A61B8/4483 , B06B1/0622 , B06B1/0688 , G01S15/89 , H01L41/047 , H01L41/0973
摘要：所提供的是一種壓電微機械超音波換能器(PMUT)裝置。該PMUT包括基材、以及連接至該基材之邊緣支撐結構。隔膜乃連接至該邊緣支撐結構，使得該隔膜與該基材之間界定空腔，其中，該隔膜經組配而容許在超音波頻率下移動。該隔膜包括壓電層、以及耦合至該壓電層之對置側的第一與第二電極。內部支撐結構乃設置於該空腔內並且連接至該基材及該隔膜。
简体摘要：所提供的是一种压电微机械超音波换能器(PMUT)设备。该PMUT包括基材、以及连接至该基材之边缘支撑结构。隔膜乃连接至该边缘支撑结构，使得该隔膜与该基材之间界定空腔，其中，该隔膜经组配而容许在超音波频率下移动。该隔膜包括压电层、以及耦合至该压电层之对置侧的第一与第二电极。内部支撑结构乃设置于该空腔内并且连接至该基材及该隔膜。

3. 发明专利

TWI583924B 循環感測設備有权
简体标题：循环传感设备
公开(公告)号：TWI583924B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW103107213
申请日：2014-03-04
申请人：伊凡聖斯股份有限公司 , INVENSENSE, INC.
发明人：沙弗德里克 , SHAEFFER, DEREK , 王史丹利 , WANG, STANLEY
IPC分类号： G01C19/5733 , G01P1/04
CPC分类号： G01C19/5776 , G01P1/04

4. 发明专利

TW201702177A 包含接觸層的互補式金屬氧化半導體－微電子機械系統（ＣＭＯＳ－ＭＥＭＳ）積體裝置和製造方法审中-公开
简体标题：包含接触层的互补式金属氧化半导体－微电子机械系统（ＣＭＯＳ－ＭＥＭＳ）积体设备和制造方法
公开(公告)号：TW201702177A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105117340
申请日：2016-06-02
申请人：伊凡聖斯股份有限公司 , INVENSENSE, INC.
发明人：李大成 , LEE, DAESUNG , 信裘沃 , SHIN, JONGWOO , 信二世中 , SHIN II, JONG , 史麥斯披特 , SMEYS, PETER
IPC分类号： B81C3/00
CPC分类号： B81C1/00301 , B81C2201/013 , B81C2203/036 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L23/5226
摘要：本發明涉及一種包括接觸層的CMOS-MEMS集成裝置及製造方法，其是一種用於形成MEMS裝置的方法。該MEMS裝置包括MEMS襯底及底座襯底。該MEMS襯底包括操作層、裝置層及介於之間的絕緣層。本方法包括下列循序步驟：在該裝置層上提供隔絕體；蝕刻貫孔穿過該裝置層及該絕緣層；在該貫孔內提供接觸層，其中，該接觸層在該裝置層與該操作層之間提供電連接；在該隔絕體上提供黏合層；以及將該黏合層黏合至該底座襯底上的接墊。
简体摘要：本发明涉及一种包括接触层的CMOS-MEMS集成设备及制造方法，其是一种用于形成MEMS设备的方法。该MEMS设备包括MEMS衬底及底座衬底。该MEMS衬底包括操作层、设备层及介于之间的绝缘层。本方法包括下列循序步骤：在该设备层上提供隔绝体；蚀刻贯孔穿过该设备层及该绝缘层；在该贯孔内提供接触层，其中，该接触层在该设备层与该操作层之间提供电连接；在该隔绝体上提供黏合层；以及将该黏合层黏合至该底座衬底上的接垫。

5. 发明专利

TW201613820A 包括不同受控壓力下的多個空腔之ＣＭＯＳ－ＭＥＭＳ集成裝置及製造方法审中-公开
简体标题：包括不同受控压力下的多个空腔之ＣＭＯＳ－ＭＥＭＳ集成设备及制造方法
公开(公告)号：TW201613820A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104132144
申请日：2015-09-30
申请人：伊凡聖斯股份有限公司 , INVENSENSE, INC.
发明人：李大成 , LEE, DAESUNG , 辛宗祐 , SHIN, JONGWOO , 辛正一 , SHIN, JONG II , 史密斯彼得 , SMEYS, PETER , 林馬汀 , LIM, MARTIN
IPC分类号： B81B7/02 , B81C1/00
CPC分类号： B81C1/0023 , B81B7/0038 , B81B7/0041 , B81B7/02 , B81B2201/0228 , B81B2207/017 , B81C1/00285 , B81C2203/019 , B81C2203/035 , B81C2203/0785
摘要：一種集成MEMS裝置，包括兩個基底，其中該第一基底和該第二基底被耦合在一起並且在其間具有兩個閉合空間。該第一基底和該第二基底之其一者包括一除氣來源層和一除氣阻擋層以便調節這兩個閉合空間內的壓力。該方法包括在基底上沈積並且構圖一除氣來源層和一第一除氣阻擋層，從而產生兩個截面。在這兩個截面中之其一者中，該除氣來源層的頂表面沒有被該除氣阻擋層所覆蓋，並且，在這兩個截面中之另一者中，該除氣來源層被封裝在該除氣阻擋層中。該方法還包括保形地沈積一第二除氣阻擋層並且蝕刻該第二除氣阻擋層，以便在該除氣來源層的側壁上留下該第二除氣阻擋層的間隙。
简体摘要：一种集成MEMS设备，包括两个基底，其中该第一基底和该第二基底被耦合在一起并且在其间具有两个闭合空间。该第一基底和该第二基底之其一者包括一除气来源层和一除气阻挡层以便调节这两个闭合空间内的压力。该方法包括在基底上沉积并且构图一除气来源层和一第一除气阻挡层，从而产生两个截面。在这两个截面中之其一者中，该除气来源层的顶表面没有被该除气阻挡层所覆盖，并且，在这两个截面中之另一者中，该除气来源层被封装在该除气阻挡层中。该方法还包括保形地沉积一第二除气阻挡层并且蚀刻该第二除气阻挡层，以便在该除气来源层的侧壁上留下该第二除气阻挡层的间隙。

6. 发明专利

TW201607878A 集成有倒裝晶片之微機電系統感測器审中-公开
简体标题：集成有倒装芯片之微机电系统传感器
公开(公告)号：TW201607878A
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW104126128
申请日：2015-08-11
申请人：伊凡聖斯股份有限公司 , INVENSENSE, INC.
发明人：史密斯彼得 , SMEYS, PETER , 梅格蘇烏尼亞穆札法爾 , MAGHSOUDNIA, MOZAFAR
IPC分类号： B81B7/00 , H01L23/52
CPC分类号： B81B7/007 , B81B7/008 , B81C1/00238 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2924/00014
摘要：本發明揭露了用於提供集成有倒裝晶片的微機電系統(MEMS)感測器之方法及系統。在第一方面，該系統包括MEMS感測器、耦接至該MEMS感測器的至少一個倒裝晶片、以及將該至少一個倒裝晶片電連接至該MEMS感測器的至少一個矽通孔(TSV)。在第二方面，該系統包括MEMS感測器，該感測器包括耦接至MEMS結構的CMOS，其中，該CMOS包括耦接至並與該MEMS結構相接觸的互連的基底。該系統進一步包括耦接至該基底的多個倒裝晶片、將該多個倒裝晶片電連接至該互連的多個TSV、以及該基底上的多個層以提供該多個倒裝晶片之間以及從該多個倒裝晶片到至少一個外部部件的多個電連接。
简体摘要：本发明揭露了用于提供集成有倒装芯片的微机电系统(MEMS)传感器之方法及系统。在第一方面，该系统包括MEMS传感器、耦接至该MEMS传感器的至少一个倒装芯片、以及将该至少一个倒装芯片电连接至该MEMS传感器的至少一个硅通孔(TSV)。在第二方面，该系统包括MEMS传感器，该传感器包括耦接至MEMS结构的CMOS，其中，该CMOS包括耦接至并与该MEMS结构相接触的互连的基底。该系统进一步包括耦接至该基底的多个倒装芯片、将该多个倒装芯片电连接至该互连的多个TSV、以及该基底上的多个层以提供该多个倒装芯片之间以及从该多个倒装芯片到至少一个外部部件的多个电连接。

7. 发明专利

TW201546887A 藉由連續接合方法之ＣＭＯＳ－ＭＥＭＳ整合审中-公开
简体标题：借由连续接合方法之ＣＭＯＳ－ＭＥＭＳ集成
公开(公告)号：TW201546887A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104113492
申请日：2015-04-28
申请人：應美盛股份有限公司 , INVENSENSE, INC.
发明人：信二世中 , SHIN II, JONG , 史麥斯披特 , SMEYS, PETER , 信裘沃 , SHIN, JONGWOO
IPC分类号： H01L21/30 , B81B7/02 , B81C1/00 , H01L21/8238
摘要：本發明揭露用以接合兩個晶圓的方法。在一個態樣中，第一晶圓包括積體電路，且第二晶圓包括MEMS裝置。該方法包括在該第一晶圓的金屬上沉積接合墊，以及利用第一及第二溫度依序接合該第一晶圓與該第二晶圓。在該第一溫度將該第二晶圓與該接合墊接合，以及在該第二溫度將該接合墊與該金屬接合。在另一個態樣中，第一晶圓包括積體電路，第二晶圓包括MEMS裝置。該方法包括在該第一晶圓及該第二晶圓的其中一個的金屬上沉積接合墊，以及通過直接接合介面在第一溫度接合該第一晶圓與該第二晶圓。該方法包括在第二溫度接合該接合墊與該金屬。
简体摘要：本发明揭露用以接合两个晶圆的方法。在一个态样中，第一晶圆包括集成电路，且第二晶圆包括MEMS设备。该方法包括在该第一晶圆的金属上沉积接合垫，以及利用第一及第二温度依序接合该第一晶圆与该第二晶圆。在该第一温度将该第二晶圆与该接合垫接合，以及在该第二温度将该接合垫与该金属接合。在另一个态样中，第一晶圆包括集成电路，第二晶圆包括MEMS设备。该方法包括在该第一晶圆及该第二晶圆的其中一个的金属上沉积接合垫，以及通过直接接合界面在第一温度接合该第一晶圆与该第二晶圆。该方法包括在第二温度接合该接合垫与该金属。

8. 发明专利

TW202004146A 可變形膜及其補償結構审中-公开
简体标题：可变形膜及其补偿结构
公开(公告)号：TW202004146A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108112110
申请日：2019-04-08
申请人：美商伊凡聖斯股份有限公司 , INVENSENSE, INC.
发明人：林宗賢 , LIN, CHUNG-HSIEN , 席格約瑟夫 , SEEGER, JOSEPH , 米克勞斯卡林 , MICLAUS, CALIN , 湯宗霖 , TANG, TSUNG-LIN , 嚴沛文 , YEN, PEI-WEN
IPC分类号： G01L19/04 , G01L19/00
摘要：一種感測器包括一基材、一電極、一可變形膜、及一補償結構。該基材包括一第一側及一第二側。該第一側係相反於該第二側。該基材包含該第一側上之一空腔。該電極係位於該基材之該第一側上的該空腔之一底部處。該可變形膜係位於該基材之該第一側上。該可變形膜係圍封該空腔且回應於外界刺激而變形。該補償結構係連接至該可變形膜之外周邊。該補償結構產生一彎曲力，其係相反於該可變形膜回應於溫度改變及熱係數失配之一彎曲力。
简体摘要：一种传感器包括一基材、一电极、一可变形膜、及一补偿结构。该基材包括一第一侧及一第二侧。该第一侧系相反于该第二侧。该基材包含该第一侧上之一空腔。该电极系位于该基材之该第一侧上的该空腔之一底部处。该可变形膜系位于该基材之该第一侧上。该可变形膜系围封该空腔且回应于外界刺激而变形。该补偿结构系连接至该可变形膜之外周边。该补偿结构产生一弯曲力，其系相反于该可变形膜回应于温度改变及热系数失配之一弯曲力。

9. 发明专利

TWI667188B 免除集積式互補金屬氧化物半導體（ＣＭＯＳ）及微機電（ＭＥＭＳ）裝置的化學防護有权
简体标题：免除集积式互补金属氧化物半导体（ＣＭＯＳ）及微机电（ＭＥＭＳ）设备的化学防护
公开(公告)号：TWI667188B
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：TW104129131
申请日：2015-09-03
申请人：美商伊凡聖斯股份有限公司 , INVENSENSE, INC.
发明人：達奈門麥可J , DANEMAN, MICHAEL J. , 亞薩德拉吉法利柏 , ASSADERAGHI, FARIBORZ
IPC分类号： B81B7/00 , B81C1/00

10. 发明专利

TWI616104B 具有含有穿孔之間隔器構件的降低佔用面積麥克風系統有权
简体标题：具有含有穿孔之间隔器构件的降低占用面积麦克风系统
公开(公告)号：TWI616104B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW100125818
申请日：2011-07-21
申请人：應美盛股份有限公司 , INVENSENSE INC.
发明人：勾達湯瑪斯 , GOIDA, THOMAS
IPC分类号： H04R19/04 , B81B7/00
CPC分类号： H04R1/04 , H01L2224/48091 , H01L2924/1461 , H01L2924/3025 , H04R19/005 , H04R31/006 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

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