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1. 发明专利

TW202030615A 範圍檢查指令审中-公开
简体标题：范围检查指令
公开(公告)号：TW202030615A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108132919
申请日：2019-09-12
申请人：英商ARM股份有限公司 , ARM LIMITED
发明人：格羅卡特湯瑪士克里斯多夫 , GROCUTT, THOMAS CHRISTOPHER
IPC分类号： G06F12/14
摘要：一種裝置2，包括：指令解碼器7，用以解碼指令；處理電路系統4，用以回應於由指令解碼器解碼之指令來執行資料處理；以及記憶體屬性檢查電路系統16，用以檢查由處理電路系統發出之記憶體存取請求是否滿足在複數個記憶體屬性條目中指定的存取許可，每一記憶體屬性條目指定針對位址空間內之可變大小之對應位址區域的存取許可。回應於範圍檢查指令，該範圍檢查指令指定用於識別第一位址及第二位址之位址識別參數，指令解碼器7控制處理電路系統，以便在至少一個軟體可存取之儲存位置12、13中設定狀態值，該狀態值指示第一位址及第二位址是否對應於同一記憶體屬性條目。
简体摘要：一种设备2，包括：指令译码器7，用以译码指令；处理电路系统4，用以回应于由指令译码器译码之指令来运行数据处理；以及内存属性检查电路系统16，用以检查由处理电路系统发出之内存存取请求是否满足在复数个内存属性条目中指定的存取许可，每一内存属性条目指定针对位址空间内之可变大小之对应位址区域的存取许可。回应于范围检查指令，该范围检查指令指定用于识别第一位址及第二位址之位址识别参数，指令译码器7控制处理电路系统，以便在至少一个软件可存取之存储位置12、13中设置状态值，该状态值指示第一位址及第二位址是否对应于同一内存属性条目。

2. 发明专利

TWI681288B 能夠在複數個特權層級執行指令的效能監控方法及資料處理裝置有权
简体标题：能够在复数个特权层级运行指令的性能监控方法及数据处理设备
公开(公告)号：TWI681288B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW104119581
申请日：2015-06-17
申请人：英商ARM股份有限公司 , ARM LIMITED
发明人：威廉斯麥克約翰 , WILLIAMS, MICHAEL JOHN , 克拉斯克賽門約翰 , CRASKE, SIMON JOHN
IPC分类号： G06F11/30

3. 发明专利

TWI667768B 具有介面電路系統的積體電路及用於此介面電路系統之介面單元有权
简体标题：具有界面电路系统的集成电路及用于此界面电路系统之界面单元
公开(公告)号：TWI667768B
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：TW104116140
申请日：2015-05-20
申请人：英商ARM股份有限公司 , ARM LIMITED
发明人：杜比珍克勞蒂 , DUBY, JEAN-CLAUDE , 瑞恩麥可 , RIEN, MIKAEL
IPC分类号： H01L27/02

4. 发明专利

TWI665739B 積體電路內的貫孔佈局有权
简体标题：集成电路内的贯孔布局
公开(公告)号：TWI665739B
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：TW104114172
申请日：2015-05-04
申请人：英商ARM股份有限公司 , ARM LIMITED
发明人：佛瑞德瑞克二世馬林韋恩 , FREDERICK JR., MARLIN WAYNE
IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/522

5. 发明专利

TWI646415B 電壓域間之通訊有权
简体标题：电压域间之通信
公开(公告)号：TWI646415B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW103123317
申请日：2014-07-07
申请人：英商ARM股份有限公司 , ARM LIMITED
发明人：福林大衛華特 , FLYNN, DAVID WALTER , 邁爾斯詹姆士愛德華 , MYERS, JAMES EDWARD
IPC分类号： G05F1/10

6. 发明专利

TW201842498A 用於相關電子開關（CES）裝置操作的方法、系統及裝置审中-公开
简体标题：用于相关电子开关（CES）设备操作的方法、系统及设备
公开(公告)号：TW201842498A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107111735
申请日：2018-04-03
申请人：英商ARM股份有限公司 , ARM LIMITED
发明人：巴爾嘉瓦穆蒂 , BHARGAVA, MUDIT , 錢德維克斯 , CHANDRA, VIKAS
IPC分类号： G11C7/12 , G11C11/4094
摘要：所揭露為用於相關電子開關(CES)裝置操作的方法、系統及裝置。在一個態樣中，可將CES裝置置於傳導性或低阻抗狀態中，或絕緣性或高阻抗狀態中。在一個實施例中，可應用具有足夠高的電流的程式訊號於CES裝置以永久地將CES裝置置於傳導性或低阻抗狀態中。
简体摘要：所揭露为用于相关电子开关(CES)设备操作的方法、系统及设备。在一个态样中，可将CES设备置于传导性或低阻抗状态中，或绝缘性或高阻抗状态中。在一个实施例中，可应用具有足够高的电流的进程信号于CES设备以永久地将CES设备置于传导性或低阻抗状态中。

7. 发明专利

TWI639947B 用於在二進位數上進行移位功能的資料處理設備及方法有权
简体标题：用于在二进制数上进行移位功能的数据处理设备及方法
公开(公告)号：TWI639947B
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW104104842
申请日：2015-02-12
申请人：英商ARM股份有限公司 , ARM LIMITED
发明人：陸茲大衛雷蒙 , LUTZ, DAVID RAYMOND , 伯吉斯尼爾 , BURGESS, NEIL
IPC分类号： G06F7/483

8. 发明专利

TW201834290A 相關電子開關結構和應用审中-公开
简体标题：相关电子开关结构和应用
公开(公告)号：TW201834290A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106132059
申请日：2017-09-19
申请人：英商ARM股份有限公司 , ARM LIMITED
发明人：席芙蘭露西安 , SHIFREN, LUCIAN , 瑞德金佰利蓋 , REID, KIMBERLY GAY , 葉立克格瑞格利 , YERIC, GREGORY
IPC分类号： H01L49/00
摘要：本文所揭示的標的可涉及由相關電子材料所形成的裝置。
简体摘要：本文所揭示的标的可涉及由相关电子材料所形成的设备。

9. 发明专利

TW201830234A 用於控制矢量記憶體存取之資料處理裝置及方法审中-公开
简体标题：用于控制矢量内存存取之数据处理设备及方法
公开(公告)号：TW201830234A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106144997
申请日：2017-12-21
申请人：英商ARM股份有限公司 , ARM LIMITED
发明人：波特曼弗朗索瓦克里斯多福雅客 , BOTMAN, FRANCOIS CHRISTOPHER JACQUES , 格羅卡特湯瑪士克里斯多夫 , GROCUTT, THOMAS CHRISTOPHER
IPC分类号： G06F9/30 , G06F9/34
摘要：提供一種用於控制矢量記憶體存取之裝置及方法。裝置包含一組矢量暫存器及旗標設定電路系統，此旗標設定電路系統回應針對矢量暫存器之一者中的儲存產生之矢量包含滿足指定連續準則之複數個元素的決定，以產生與彼矢量暫存器關聯之旗標資訊。處理電路系統則用以執行矢量記憶體存取操作，以在由包含複數個位址元素之位址矢量運算元決定之位址處在記憶體中存取複數個資料值。在矢量暫存器組之指定矢量暫存器中提供位址矢量運算元，以便儲存在彼指定矢量暫存器中之複數個矢量元素形成複數個位址元素。處理電路系統經佈置以決定指定矢量暫存器是否具有與其關聯之旗標資訊，並且若有，則當決定用於存取複數個資料值所需之對記憶體的存取次數時使用彼旗標資訊。此提供一有效機制，用於允許在某些情況中使用對記憶體減少之存取次數實施收集或散佈類型記憶體存取操作，在此等情況中旗標資訊已針對關聯位址矢量運算元而產生。
简体摘要：提供一种用于控制矢量内存存取之设备及方法。设备包含一组矢量寄存器及旗标设置电路系统，此旗标设置电路系统回应针对矢量寄存器之一者中的存储产生之矢量包含满足指定连续准则之复数个元素的决定，以产生与彼矢量寄存器关联之旗标信息。处理电路系统则用以运行矢量内存存取操作，以在由包含复数个位址元素之位址矢量算子决定之位址处在内存中存取复数个数据值。在矢量寄存器组之指定矢量寄存器中提供位址矢量算子，以便存储在彼指定矢量寄存器中之复数个矢量元素形成复数个位址元素。处理电路系统经布置以决定指定矢量寄存器是否具有与其关联之旗标信息，并且若有，则当决定用于存取复数个数据值所需之对内存的存取次数时使用彼旗标信息。此提供一有效机制，用于允许在某些情况中使用对内存减少之存取次数实施收集或散布类型内存存取操作，在此等情况中旗标信息已针对关联位址矢量算子而产生。

10. 发明专利

TW201826350A CEM切換裝置审中-公开
简体标题： CEM切换设备
公开(公告)号：TW201826350A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106141303
申请日：2017-11-28
申请人：英商ARM股份有限公司 , ARM LTD
发明人：巴茲德阿勞約卡羅斯 , PAZ DE ARAUJO, CARLOS , 斯林史卡喬蘭塔 , CELINSKA, JOLANTA , 瑞德金佰利蓋 , REID, KIMBERLY GAY , 席芙蘭露西安 , SHIFREN, LUCIAN
IPC分类号： H01L21/22 , H01L29/38
摘要：本技術大體係關於改良之CEM切換裝置及其製造方法。在此裝置中，導電基板及/或導電覆蓋層各自包含導電材料之初生層及導電材料之次生層。接觸CEM層之初生層在用於製造裝置之溫度下對CEM層大體上為惰性的及/或充當次生層之氧阻障層。
简体摘要：本技术大体系关于改良之CEM切换设备及其制造方法。在此设备中，导电基板及/或导电复盖层各自包含导电材料之初生层及导电材料之次生层。接触CEM层之初生层在用于制造设备之温度下对CEM层大体上为惰性的及/或充当次生层之氧阻障层。

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