专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW202026631A 對顯微鏡影像之智慧型計量审中-公开
简体标题：对显微镜影像之智能型计量
公开(公告)号：TW202026631A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108137011
申请日：2019-10-15
申请人：美商FEI公司 , FEI COMPANY
发明人：雅迪嘉烏梅西 , ADIGA, UMESH
IPC分类号： G01N23/203 , H01J37/26 , G01T1/24 , G06T7/11 , G01Q30/04
摘要：本文揭示之智慧型計量方法及設備處理影像以用於所需特徵之自動計量。一實例方法至少包含：自一影像中提取一感興趣區域，該區域包含不同區段之間的一或多個邊界；基於一或多個濾波器至少增強所提取之感興趣區域；基於增強之感興趣區域產生該感興趣區域之一多尺度資料集；初始化該感興趣區域之一模型；基於該感興趣區域之該模型且進一步基於該多尺度資料集最佳化該增強之感興趣區域內之複數個主動輪廓，最佳化之複數個主動輪廓識別該感興趣區域內之該一或多個邊界；及基於該等所識別之邊界對該感興趣區域執行計量。
简体摘要：本文揭示之智能型计量方法及设备处理影像以用于所需特征之自动计量。一实例方法至少包含：自一影像中提取一感兴趣区域，该区域包含不同区段之间的一或多个边界；基于一或多个滤波器至少增强所提取之感兴趣区域；基于增强之感兴趣区域产生该感兴趣区域之一多尺度数据集；初始化该感兴趣区域之一模型；基于该感兴趣区域之该模型且进一步基于该多尺度数据集最优化该增强之感兴趣区域内之复数个主动轮廓，最优化之复数个主动轮廓识别该感兴趣区域内之该一或多个边界；及基于该等所识别之边界对该感兴趣区域运行计量。

2. 发明专利

TW201837959A 用於電子束操作之具有局部排空體積之積體電路分析系統及方法审中-公开
简体标题：用于电子束操作之具有局部排空体积之集成电路分析系统及方法
公开(公告)号：TW201837959A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW106144498
申请日：2017-12-19
申请人：美商FEI公司 , FEI COMPANY
发明人：巴柏洛夫亞可夫 , BOBROV, YAKOV , 坎柏契洛西西里亞安妮 , CAMPOCHIARO, CECELIA ANNE
IPC分类号： H01J37/18 , H01J37/20 , H01J37/244 , H01J37/28
摘要：提供用於IC半導體器件中之故障分析之新技術，其等包含用以在電刺激一待測試IC器件(DUT)時或當該器件其自身或在安裝於一電路板或其他模組中之一主機系統內處於作用中時使用電子束(e-beam)技術來實現該DUT內之電路之探測之系統設計及方法。該DUT可為一封裝IC或呈某一未封裝形式之一IC。為緊接該電子束工具外側產生一局部排空體積，一密封元件為了形成一局部密封而抵靠或圍繞該DUT密封。此一配置免除對操作且監測該DUT所需之可能數千個信號之真空饋通之需要，且進一步在一DUT在其正常環境中操作，諸如安裝於其系統中之一電路板上或安裝於一「未發現誤差」測試器上時實現該DUT的探測。
简体摘要：提供用于IC半导体器件中之故障分析之新技术，其等包含用以在电刺激一待测试IC器件(DUT)时或当该器件其自身或在安装于一电路板或其他模块中之一主机系统内处于作用中时使用电子束(e-beam)技术来实现该DUT内之电路之探测之系统设计及方法。该DUT可为一封装IC或呈某一未封装形式之一IC。为紧接该电子束工具外侧产生一局部排空体积，一密封组件为了形成一局部密封而抵靠或围绕该DUT密封。此一配置免除对操作且监测该DUT所需之可能数千个信号之真空馈通之需要，且进一步在一DUT在其正常环境中操作，诸如安装于其系统中之一电路板上或安装于一“未发现误差”测试器上时实现该DUT的探测。

3. 发明专利

TWI643235B 用於具有一帶電粒子束之傾斜或偏斜硏磨操作之基準設計有权
简体标题：用于具有一带电粒子束之倾斜或偏斜研磨操作之基准设计
公开(公告)号：TWI643235B
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW102149124
申请日：2013-12-30
申请人：美商FEI公司 , FEI COMPANY
发明人：史東史黛西 , STONE, STACEY , 李相勳 , LEE, SANG HOON , 布雷克伍德傑佛瑞 , BLACKWOOD, JEFFREY , 西米德特麥可 , SCHMIDT, MICHAEL , 金賢和 , KIM, HYUN HWA
IPC分类号： H01J37/305

4. 发明专利

TW201837447A 用於碳移除之增強帶電粒子束方法审中-公开
简体标题：用于碳移除之增强带电粒子束方法
公开(公告)号：TW201837447A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW106143215
申请日：2017-12-08
申请人：美商FEI公司 , FEI COMPANY
发明人：路查德 , RUE, CHAD , 克里斯俊喬 , CHRISTIAN, JOE , 馬尼肯尼 , MANI, KENNY , 法蘭可諾亞湯瑪士 , FRANCO, NOEL THOMAS
IPC分类号： G01N1/28 , H01J37/30 , H01L21/3065
摘要：本發明係關於用於碳移除之增強型帶電粒子束方法的方法及系統。在用於增強碳移除之方法及系統之情況下，提供亦在帶電粒子束方法(且特定言之聚焦離子束方法)中使用前驅氣體降低沈積中之碳雜質含量的相關方法及系統。在一較佳實施例中，該前驅氣體包含硝基乙酸甲酯。在替代實施例中，該前驅氣體係乙酸甲酯、乙酸乙酯、硝基乙酸乙酯、乙酸丙酯、硝基乙酸丙酯、硝基乙酸乙酯、甲氧基乙酸甲酯或甲氧基乙醯氯。
简体摘要：本发明系关于用于碳移除之增强型带电粒子束方法的方法及系统。在用于增强碳移除之方法及系统之情况下，提供亦在带电粒子束方法(且特定言之聚焦离子束方法)中使用前驱气体降低沉积中之碳杂质含量的相关方法及系统。在一较佳实施例中，该前驱气体包含硝基乙酸甲酯。在替代实施例中，该前驱气体系乙酸甲酯、乙酸乙酯、硝基乙酸乙酯、乙酸丙酯、硝基乙酸丙酯、硝基乙酸乙酯、甲氧基乙酸甲酯或甲氧基乙酰氯。

5. 发明专利

TWI679409B CAD輔助之TEM準備配方產生有权
简体标题： CAD辅助之TEM准备配方产生
公开(公告)号：TWI679409B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW105127168
申请日：2016-08-24
申请人：美商FEI公司 , FEI COMPANY
发明人：艾加法克傑森 , ARJAVAC, JASON , 諾里司馬修 P , KNOWLES, MATTHEW P.
IPC分类号： G01N1/28 , H01J37/26

6. 发明专利

TWI676203B 針對自動Ｓ／ＴＥＭ擷取及計量學而使用已知形狀的層狀物之型樣匹配有权
简体标题：针对自动Ｓ／ＴＥＭ截取及计量学而使用已知形状的层状物之型样匹配
公开(公告)号：TWI676203B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：TW105105277
申请日：2016-02-23
申请人：美商FEI公司 , FEI COMPANY
发明人：普雷慶達保羅 , PLACHINDA, PAUL , 張亮 , ZHANG, LIANG , 羅樂賈斯汀 , ROLLER, JUSTIN
IPC分类号： H01J37/22 , H01J37/20 , H01J37/28

7. 发明专利

TW201907437A 用於具有一帶電粒子束之傾斜或偏斜研磨操作之基準設計审中-公开
简体标题：用于具有一带电粒子束之倾斜或偏斜研磨操作之基准设计
公开(公告)号：TW201907437A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107137808
申请日：2013-12-30
申请人：美商FEI公司 , FEI COMPANY
发明人：史東史黛西 , STONE,STACEY , 李相勳 , LEE,SANG HOON , 布雷克伍德傑佛瑞 , BLACKWOOD,JEFFREY , 西米德特麥可 , SCHMIDT,MICHAEL , 金賢和 , KIM,HYUN HWA
IPC分类号： H01J37/305
摘要：本發明揭示一種用於使用一帶電粒子束分析一樣本之方法，其包含：引導該帶電粒子束朝向樣本表面；研磨該表面以曝露該樣本中之一第二表面，其中與第一表面靠近離子源之端相比，該第二表面遠離離子源之端被研磨至相對於一參考深度之一更大深度；引導該帶電粒子束朝向該第二表面以形成該第二表面之一或多個影像；藉由偵測電子束與該第二表面之相互作用形成多個相鄰關注特徵之截面之影像；將該截面之影像組裝為該等關注特徵之一或多者之三維模型。本發明提出一種用於形成一改良基準並判定一奈米尺度三維結構中之一曝露特徵之深度之方法。
简体摘要：本发明揭示一种用于使用一带电粒子束分析一样本之方法，其包含：引导该带电粒子束朝向样本表面；研磨该表面以曝露该样本中之一第二表面，其中与第一表面靠近离子源之端相比，该第二表面远离离子源之端被研磨至相对于一参考深度之一更大深度；引导该带电粒子束朝向该第二表面以形成该第二表面之一或多个影像；借由侦测电子束与该第二表面之相互作用形成多个相邻关注特征之截面之影像；将该截面之影像组装为该等关注特征之一或多者之三维模型。本发明提出一种用于形成一改良基准并判定一奈米尺度三维结构中之一曝露特征之深度之方法。

8. 发明专利

TWI686837B 用於具有一帶電粒子束之傾斜或偏斜研磨操作之基準設計有权
简体标题：用于具有一带电粒子束之倾斜或偏斜研磨操作之基准设计
公开(公告)号：TWI686837B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW107137808
申请日：2013-12-30
申请人：美商FEI公司 , FEI COMPANY
发明人：史東史黛西 , STONE,STACEY , 李相勳 , LEE,SANG HOON , 布雷克伍德傑佛瑞 , BLACKWOOD,JEFFREY , 西米德特麥可 , SCHMIDT,MICHAEL , 金賢和 , KIM,HYUN HWA
IPC分类号： H01J37/305

9. 发明专利

TW201837453A 缺陷分析审中-公开
公开(公告)号：TW201837453A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW106144734
申请日：2017-12-20
申请人：美商FEI公司 , FEI COMPANY
发明人：米勒湯瑪士 , MILLER, THOMAS
IPC分类号： G01N21/88 , G01N21/95 , G01N25/72 , G01N27/20
摘要：本發明揭示一種用於分析缺陷之系統，其包括使用一晶圓檢測工具判定一缺陷之座標；識別接近該等缺陷座標之一所關注結構；引導一聚焦離子束朝向該晶圓以曝露該所關注結構；及形成該經曝露所關注結構之一影像，其中引導該聚焦離子束以在對應於該經識別所關注結構之一位置處而非在該缺陷之該等座標處研磨。
简体摘要：本发明揭示一种用于分析缺陷之系统，其包括使用一晶圆检测工具判定一缺陷之座标；识别接近该等缺陷座标之一所关注结构；引导一聚焦离子束朝向该晶圆以曝露该所关注结构；及形成该经曝露所关注结构之一影像，其中引导该聚焦离子束以在对应于该经识别所关注结构之一位置处而非在该缺陷之该等座标处研磨。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式