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    • 6. 发明专利
    • 一種具有堆疊式元件結構的儲存媒體
    • 一种具有堆栈式组件结构的存储媒体
    • TW200834427A
    • 2008-08-16
    • TW096105286
    • 2007-02-13
    • 沈育濃 SHEN, YU NUNG
    • 沈育濃 SHEN, YU NUNG
    • G06K
    • 一種具有堆疊式元件結構的儲存媒體包含:一個具有一個第一表面和一個與該第一表面相對之第二表面的載體;一個安裝在該載體之第一表面上的控制積體電路,該控制積體電路是被配置以致於其之導電觸點是與在該第一表面上之對應的電路軌跡電氣連接;一個安裝在該載體之第一表面上的第一記憶體,該第一記憶體是被配置以致於其之導電觸點是與在該第一表面上之對應的電路軌跡電氣連接;一個部份地疊置在該第一記憶體上以致於其之導電觸點未由該第一記憶體覆蓋的第二記憶體,該第二記憶體的導電觸點是與該第一表面上之對應的電路軌跡電氣連接;及一個包覆該載體、該控制積體電路與該等記憶體的外殼,該外殼形成有數個之用於曝露在該載體之第二表面上之對應之電路軌跡的貫孔。
    • 一种具有堆栈式组件结构的存储媒体包含:一个具有一个第一表面和一个与该第一表面相对之第二表面的载体;一个安装在该载体之第一表面上的控制集成电路,该控制集成电路是被配置以致于其之导电触点是与在该第一表面上之对应的电路轨迹电气连接;一个安装在该载体之第一表面上的第一内存,该第一内存是被配置以致于其之导电触点是与在该第一表面上之对应的电路轨迹电气连接;一个部份地叠置在该第一内存上以致于其之导电触点未由该第一内存覆盖的第二内存,该第二内存的导电触点是与该第一表面上之对应的电路轨迹电气连接;及一个包覆该载体、该控制集成电路与该等内存的外壳,该外壳形成有数个之用于曝露在该载体之第二表面上之对应之电路轨迹的贯孔。
    • 8. 发明专利
    • 背光源裝置
    • 背光源设备
    • TW200743858A
    • 2007-12-01
    • TW095117532
    • 2006-05-17
    • 沈育濃 SHEN, YU-NUNG
    • 沈育濃 SHEN, YU-NUNG
    • G02F
    • 一種背光源裝置包含:一個第一透明板,其具有一個上表面、一個與該上表面相對的下表面、及數個形成於該下表面之沿著該第一透明板之縱長方向延伸的V形凹槽;數個燈管,該等燈管設置於對應的凹槽內;及一個第二透明板,其具有一個上表面和一個與該上表面相對的下表面,該第二透明板是在其之上表面面向該第二透明板的下表面下連接到該第一透明板。
    • 一种背光源设备包含:一个第一透明板,其具有一个上表面、一个与该上表面相对的下表面、及数个形成于该下表面之沿着该第一透明板之纵长方向延伸的V形凹槽;数个灯管,该等灯管设置于对应的凹槽内;及一个第二透明板,其具有一个上表面和一个与该上表面相对的下表面,该第二透明板是在其之上表面面向该第二透明板的下表面下连接到该第一透明板。
    • 9. 发明专利
    • 發光二極體晶片封裝體及其之封裝方法
    • 发光二极管芯片封装体及其之封装方法
    • TW200514176A
    • 2005-04-16
    • TW093101125
    • 2004-01-16
    • 沈育濃 SHEN, YU-NUNG
    • 沈育濃 SHEN, YU-NUNG
    • H01L
    • H01L2924/12041
    • 一種發光二極體晶片封裝體係被提供,該發光二極體晶片封裝體包含:一發光二極體晶片,該發光二極體晶片具有一焊墊安裝表面、數個安裝於該焊墊安裝表面上的焊墊、及一與該焊墊安裝表面相對的後表面;一光線反射塗層,該光線反線塗層係設置於該發光二極體晶片的焊墊安裝表面上並且具有一用於曝露該發光二極體晶片之對應之焊墊的焊墊曝露孔;一透光元件,該透光元件係設置於該發光二極體晶片的後表面上;及數個導電凸塊,每一個導電凸塊係設置於該發光二極體晶片之一對應的焊墊上。
    • 一种发光二极管芯片封装体系被提供,该发光二极管芯片封装体包含:一发光二极管芯片,该发光二极管芯片具有一焊垫安装表面、数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫、及一与该焊垫安装表面相对的后表面;一光线反射涂层,该光线反线涂层系设置于该发光二极管芯片的焊垫安装表面上并且具有一用于曝露该发光二极管芯片之对应之焊垫的焊垫曝露孔;一透光组件,该透光组件系设置于该发光二极管芯片的后表面上;及数个导电凸块,每一个导电凸块系设置于该发光二极管芯片之一对应的焊垫上。
    • 10. 发明专利
    • 半導體晶元封裝體的封裝方法
    • 半导体芯片封装体的封装方法
    • TWI224385B
    • 2004-11-21
    • TW092102323
    • 2003-01-30
    • 沈育濃 SHEN, YU NUNG
    • 沈育濃 SHEN, YU NUNG
    • H01L
    • H01L2224/4824
    • 一種半導體晶元封裝體之封裝方法,包含如下之步驟:把一晶元置放於一基體的晶元安裝表面上以致於該晶元的焊墊係由該基體之對應的穿孔曝露利用光阻材料於該基體的晶元安裝表面上形成一覆蓋該晶元的第一保護層俾可把該晶元固定於該基體上;藉由把該第一保護層的第一部份曝露於紫外線而其之第二部份被遮蔽而不被曝露於紫外線及藉由後續的化學沖洗處理,僅位於該晶元四周之該第一保護層的第一部份係被保留;藉由打線處理,該晶元的焊墊係經由穿過該基體之對應之穿孔的導線來與該基體之電路軌跡佈設表面上之對應的電路軌跡電氣連接;利用光阻材料於該基體的電路軌跡佈設表面上形成一第二保護層;藉由與施加於第一保護層類似的曝光及化學沖洗處理,僅該第二保護層之覆蓋該等導線的部份被保留;及於該基體之電路軌跡佈設表面上形成數個與對應之電路軌跡電氣連接的導電球。
    • 一种半导体芯片封装体之封装方法,包含如下之步骤:把一芯片置放于一基体的芯片安装表面上以致于该芯片的焊垫系由该基体之对应的穿孔曝露利用光阻材料于该基体的芯片安装表面上形成一覆盖该芯片的第一保护层俾可把该芯片固定于该基体上;借由把该第一保护层的第一部份曝露于紫外线而其之第二部份被屏蔽而不被曝露于紫外线及借由后续的化学冲洗处理,仅位于该芯片四周之该第一保护层的第一部份系被保留;借由打线处理,该芯片的焊垫系经由穿过该基体之对应之穿孔的导线来与该基体之电路轨迹布设表面上之对应的电路轨迹电气连接;利用光阻材料于该基体的电路轨迹布设表面上形成一第二保护层;借由与施加于第一保护层类似的曝光及化学冲洗处理,仅该第二保护层之覆盖该等导线的部份被保留;及于该基体之电路轨迹布设表面上形成数个与对应之电路轨迹电气连接的导电球。