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1. 发明专利

TWI577010B 功率金氧半導體場效電晶體有权
简体标题：功率金属氧化物半导体场效应管
公开(公告)号：TWI577010B
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105115306
申请日：2016-05-18
申请人：杰力科技股份有限公司 , EXCELLIANCE MOS CORPORATION
发明人：劉莒光 , LIU, CHU-KUANG
IPC分类号： H01L29/41 , H01L29/06 , H01L29/772
CPC分类号： H01L29/1083 , H01L29/407 , H01L29/435 , H01L29/4983 , H01L29/66734 , H01L29/7813

2. 发明专利

TWI423721B 發光二極體模組驅動裝置有权
简体标题：发光二极管模块驱动设备
公开(公告)号：TWI423721B
公开(公告)日：2014-01-11
申请号：TW099126769
申请日：2010-08-11
申请人：杰力科技股份有限公司 , EXCELLIANCE MOS CORPORATION
发明人：莊朝炫 , CHUANG, CHAO HSUAN , 周宏哲 , CHOU, HUNG CHE , 吳勝捷 , WU, SHENG CHIEH , 林寶全 , LIN, PAO CHUAN
IPC分类号： H05B33/08
CPC分类号： Y02B20/346

3. 实用新型

TWM460455U 電壓轉換器有权
简体标题：电压转换器
公开(公告)号：TWM460455U
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：TW102201202
申请日：2013-01-18
申请人：杰力科技股份有限公司 , EXCELLIANCE MOS CORPORATION
发明人：林寶全 , LIN, PAO CHUAN , 陳利傑 , CHEN, LI CHIEH , 周宏哲 , CHOU, HUNG CHE
IPC分类号： H02M1/14

4. 实用新型

TWM458031U 降壓式電壓轉換裝置有权
简体标题：降压式电压转换设备
公开(公告)号：TWM458031U
公开(公告)日：2013-07-21
申请号：TW101220893
申请日：2012-10-29
申请人：杰力科技股份有限公司 , EXCELLIANCE MOS CORPORATION
发明人：林寶全 , LIN, PAO CHUAN , 林素圓 , LIN, SU YUAN , 周宏哲 , CHOU, HONG CHE
IPC分类号： H02M3/18

5. 实用新型

TWM452544U 降壓式電源轉換器有权
简体标题：降压式电源转换器
公开(公告)号：TWM452544U
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW101220896
申请日：2012-10-29
申请人：杰力科技股份有限公司 , EXCELLIANCE MOS CORPORATION
发明人：林寶全 , LIN, PAO CHUAN , 林素圓 , LIN, SU YUAN , 周宏哲 , CHOU, HONG CHE
IPC分类号： H02M1/14 , H02M3/10

6. 实用新型

TWM447632U 電源供應器及其啟動電路有权
简体标题：电源供应器及其启动电路
公开(公告)号：TWM447632U
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：TW101219352
申请日：2012-10-05
申请人：杰力科技股份有限公司 , EXCELLIANCE MOS CORPORATION
发明人：周宏哲 , CHOU, HONG CHE , 黃富俊 , HUANG, FU CHUN , 林寶全 , LIN, PAO CHUAN
IPC分类号： H02M1/00
CPC分类号： G05F3/04 , H02M1/32 , H02M1/44 , H02M7/00 , H02M7/06 , H02M2001/322

7. 发明专利

TWI378559B 電晶體單元 TRANSISTOR UNIT 有权
简体标题：晶体管单元 TRANSISTOR UNIT
公开(公告)号：TWI378559B
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW098112541
申请日：2009-04-15
申请人：杰力科技股份有限公司
发明人：劉莒光
IPC分类号： H01L
摘要：一種電晶體單元，其包括基底、閘極層與金屬層。基底包括多個摻雜區。閘極層完全覆蓋基底的第一部分表面。金屬層完全覆蓋閘極層與基底的第二部分表面。其中，第一部分表面具有包括多個凸邊的第一幾何邊界。第二部分表面具有包括多個凹邊的第二幾何邊界。上述凸邊是沿第一部分表面的中心往第二部分表面的中心方向外凸。上述凹邊是沿第一部分表面的中心往第二部分表面的中心方向內凹。如此一來可提升電晶體的通道寬度。
简体摘要：一种晶体管单元，其包括基底、闸极层与金属层。基底包括多个掺杂区。闸极层完全覆盖基底的第一部分表面。金属层完全覆盖闸极层与基底的第二部分表面。其中，第一部分表面具有包括多个凸边的第一几何边界。第二部分表面具有包括多个凹边的第二几何边界。上述凸边是沿第一部分表面的中心往第二部分表面的中心方向外凸。上述凹边是沿第一部分表面的中心往第二部分表面的中心方向内凹。如此一来可提升晶体管的信道宽度。

8. 实用新型

TWM412574U 發光二極體的驅動電路 DRIVING CIRCUIT OF LIGHT EMITTING DIODE 有权
简体标题：发光二极管的驱动电路 DRIVING CIRCUIT OF LIGHT EMITTING DIODE
公开(公告)号：TWM412574U
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：TW100206705
申请日：2011-04-15
申请人：杰力科技股份有限公司
发明人：呂永程
IPC分类号： H05B
摘要：一種發光二極體的驅動電路，其包括一交流電源、一整流器、一電力轉換器、一波形取樣器以及一控制電路。交流電源提供一交流信號。整流器耦接交流電源，並輸出一驅動信號。電力轉換器耦接整流器。電力轉換器包括一發光二極體，且輸出一正相關於通過發光二極體之電流的第一信號。波形取樣器耦接於交流電源與整流器之間，且輸出一正比於交流信號之第二信號。控制電路耦接於波形取樣器與電力轉換器之間，並根據第一信號和第二信號比較的結果輸出一控制信號至電力轉換器。
简体摘要：一种发光二极管的驱动电路，其包括一交流电源、一整流器、一电力转换器、一波形采样器以及一控制电路。交流电源提供一交流信号。整流器耦接交流电源，并输出一驱动信号。电力转换器耦接整流器。电力转换器包括一发光二极管，且输出一正相关于通过发光二极管之电流的第一信号。波形采样器耦接于交流电源与整流器之间，且输出一正比于交流信号之第二信号。控制电路耦接于波形采样器与电力转换器之间，并根据第一信号和第二信号比较的结果输出一控制信号至电力转换器。

9. 实用新型

TWM411756U 發光二極體的定電流驅動電路及光源裝置 CONSTANT CURRENT DRIVING CIRCUIT OF LIGHT EMITTING DIODE AND LIGHTING APPARATUS 有权
简体标题：发光二极管的定电流驱动电路及光源设备 CONSTANT CURRENT DRIVING CIRCUIT OF LIGHT EMITTING DIODE AND LIGHTING APPARATUS
公开(公告)号：TWM411756U
公开(公告)日：2011-09-11
申请号：TW100207066
申请日：2011-04-21
申请人：杰力科技股份有限公司
发明人：呂永程
IPC分类号： H05B
摘要：一種發光二極體的驅動電路，其包括一控制單元、一降壓轉換器以及一補償單元。控制單元具有一輸入端與一輸出端，並透過輸出端輸出一控制信號。降壓轉換器耦接一輸入電源，且耦接於控制單元之輸出端與一發光二極體串之間。補償單元耦接於發光二極體串與控制單元的輸入端之間，其中控制單元透過輸入端接收補償單元的一補償信號。除此之外，一種光源裝置亦被提出。
简体摘要：一种发光二极管的驱动电路，其包括一控制单元、一降压转换器以及一补偿单元。控制单元具有一输入端与一输出端，并透过输出端输出一控制信号。降压转换器耦接一输入电源，且耦接于控制单元之输出端与一发光二极管串之间。补偿单元耦接于发光二极管串与控制单元的输入端之间，其中控制单元透过输入端接收补偿单元的一补偿信号。除此之外，一种光源设备亦被提出。

10. 发明专利

TW201121045A 功率金氧半導體場效電晶體及其製造方法 POWER MOSFET AND METHOD OF FORMING THE SAME 审中-公开
简体标题：功率金属氧化物半导体场效应管及其制造方法 POWER MOSFET AND METHOD OF FORMING THE SAME
公开(公告)号：TW201121045A
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：TW098141367
申请日：2009-12-03
申请人：杰力科技股份有限公司
发明人：張翊麒 , 吳嘉連
IPC分类号： H01L
摘要：一種功率金氧半導體場效電晶體。溝渠配置在主體層及磊晶層中。隔離結構配置於溝渠之一側的基底上。氧化物層配置於溝渠的表面。第一導體層填滿溝渠並延伸至隔離結構上。介電層配置於第一導體層及隔離結構上，且具有曝露第一導體層之開口。至少一源極區配置於溝渠之另一側的主體層中。第二導體層配置於介電層上，且與源極區電性連接，但與第一導體層藉由介電層而電性隔絕。第三導體層配置於介電層上，且經介電層的開口與第一導體層電性連接，其中第二導體層與第三導體層分開。
简体摘要：一种功率金属氧化物半导体场效应管。沟渠配置在主体层及磊晶层中。隔离结构配置于沟渠之一侧的基底上。氧化物层配置于沟渠的表面。第一导体层填满沟渠并延伸至隔离结构上。介电层配置于第一导体层及隔离结构上，且具有曝露第一导体层之开口。至少一源极区配置于沟渠之另一侧的主体层中。第二导体层配置于介电层上，且与源极区电性连接，但与第一导体层借由介电层而电性隔绝。第三导体层配置于介电层上，且经介电层的开口与第一导体层电性连接，其中第二导体层与第三导体层分开。

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