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1. 发明专利

TWI420188B 光電波導偏振調變器、積體光學波導系統、光通訊網路、量子密碼系統、空載光達(LIDAR)系統、調變電磁輻射偏振方法、在光電波導核心內調變傳遞電磁輻射的偏振狀態之方法、製造光電波導偏振調變器之方法有权
简体标题：光电波导偏振调制器、积体光学波导系统、光通信网络、量子密码系统、空载光达(LIDAR)系统、调制电磁辐射偏振方法、在光电波导内核内调制传递电磁辐射的偏振状态之方法、制造光电波导偏振调制器之方法
公开(公告)号：TWI420188B
公开(公告)日：2013-12-21
申请号：TW096133999
申请日：2007-09-12
申请人：昆提克股份有限公司 , QINETIQ LIMITED
发明人：伊旺大衛芬萊森 , FINLAYSON, EWAN DAVID , 菲利浦麥可高曼 , GORMAN, PHILIP MICHAEL , 約翰麥可許頓 , HEATON, JOHN MICHAEL , 麥可約翰肯 , KANE, MICHAEL JOHN , 布萊恩辛克萊爾羅旺斯 , LOWANS, BRIAN SINCLAIR
IPC分类号： G02F1/025 , G02F1/225
CPC分类号： G02F1/0136 , G02F1/025 , G02F2001/0142 , G02F2202/101

2. 发明专利

TWI412949B 影像區域的自動選擇裝置及方法失效
简体标题：影像区域的自动选择设备及方法
公开(公告)号：TWI412949B
公开(公告)日：2013-10-21
申请号：TW095132650
申请日：2006-09-05
申请人：昆提克股份有限公司 , QINETIQ LIMITED
发明人：保羅吉拉德達克斯布里 , DUCKSBURY, PAUL GERARD , 瑪格麗特寨瓦爾加 , VARGA, MARGARET JAI
IPC分类号： G06F19/00
CPC分类号： G06T7/0012 , G06T7/90 , G06T2207/10056 , G06T2207/20021 , G06T2207/20036 , G06T2207/30024 , G06T2207/30096

3. 发明专利

TW201305537A 分散式光纖感測审中-公开
简体标题：分佈式光纤传感
公开(公告)号：TW201305537A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101112141
申请日：2012-04-06
申请人：昆提克股份有限公司 , QINETIQ LIMITED
发明人：路易斯安德魯比格史塔夫 , LEWIS, ANDREW BIGGERSTAFF , 羅素斯圖亞特約翰 , RUSSELL, STUART JOHN
IPC分类号： G01D5/353
CPC分类号： G01H9/004 , G01D1/00 , G01D1/02 , G01D5/35303 , G01D5/35306 , G01D5/35312 , G01D5/35329 , G01D5/35345 , G01D5/35358 , G01D5/35361 , G01D5/35367 , G01D5/35387 , G01D5/3539 , G01D5/35393 , G01D5/35396
摘要：本申請案描述分散式光纖感測之方法及裝置，特別是分散式聲波/應變感測。該方法包含發射至少第一及第二脈衝對至一光纖中，該第一及第二脈衝對具有彼此相同之頻率配置及產生成使得該第一脈衝對之脈衝的相位關係與該第二脈衝對之脈衝的相位關係具有一預定相對相位差。在一實施例中，在一脈衝對中之脈衝間具有一頻率差，其係有關於該等脈衝對之發射率。在另一實施例中，在連續發射間改變在一脈衝對中之脈衝間的相位差。在此方式中，可在該感測器之基頻內產生後向散射干擾信號之分析型式。
简体摘要：本申请案描述分佈式光纤传感之方法及设备，特别是分佈式声波/应变传感。该方法包含发射至少第一及第二脉冲对至一光纤中，该第一及第二脉冲对具有彼此相同之频率配置及产生成使得该第一脉冲对之脉冲的相位关系与该第二脉冲对之脉冲的相位关系具有一预定相对相位差。在一实施例中，在一脉冲对中之脉冲间具有一频率差，其系有关于该等脉冲对之发射率。在另一实施例中，在连续发射间改变在一脉冲对中之脉冲间的相位差。在此方式中，可在该传感器之基频内产生后向散射干扰信号之分析型式。

4. 发明专利

TW200845484A 天線系統及結合此種系統之雷達系統 ANTENNA SYSTEM AND RADAR SYSTEM INCORPORATING THE SAME 审中-公开
简体标题：天线系统及结合此种系统之雷达系统 ANTENNA SYSTEM AND RADAR SYSTEM INCORPORATING THE SAME
公开(公告)号：TW200845484A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW097102612
申请日：2008-01-24
申请人：昆提克股份有限公司 QINETIQ LIMITED
发明人：克里斯托夫詹姆斯奧德爾 ALDER, CHRISTOPHER JAMES , 葛蘭姆尼爾克里斯普 CRISP, GRAEME NEIL , 巴利約翰休斯 HUGHES, BARRY JOHN , 派翠克大勞倫斯 BEASLEY, PATRICK DAVID LAWRENCE , 傑佛瑞鮑維爾 POWELL, JEFFREY , 麥克迪恩 DEAN, MICHAEL , 羅伯特大賀治斯 HODGES, ROBERT DAVID
IPC分类号： H01Q , H03B
CPC分类号： H01Q25/008 , G01S7/023 , G01S7/352 , H01Q1/3233 , H01Q21/0031 , H01Q21/065 , H03B23/00
摘要：一種天線系統(100),包括天線元件之陣列(102),該陣列包括多數群組(104)之天線元件,其中每一群組包括配置成串接之一個或多個天線元件,且其中該系統更包括第一相位控制裝置(106、108、110),用以執行對傳遞給或接收自該等群組之每一個之已傳送或已接收信號施加個別相位位移的功能,以提供光束形成及第二相位控制裝置(112、116、118),用以針對該等群組之子集執行該功能。本發明之天線系統利用單天線系統,允許產生具有不同空間特性之兩種雷達光束組態。本發明亦提供一種結合本發明天線系統之雷達系統。
简体摘要：一种天线系统(100),包括天线组件之数组(102),该数组包括多数群组(104)之天线组件,其中每一群组包括配置成串接之一个或多个天线组件,且其中该系统更包括第一相位控制设备(106、108、110),用以运行对传递给或接收自该等群组之每一个之已发送或已接收信号施加个别相位位移的功能,以提供光束形成及第二相位控制设备(112、116、118),用以针对该等群组之子集运行该功能。本发明之天线系统利用单天线系统,允许产生具有不同空间特性之两种雷达光束组态。本发明亦提供一种结合本发明天线系统之雷达系统。

5. 发明专利

TW200403769A 光檢波器電路及其製作方法(二) PHOTODETECTOR CIRCUITS 失效
简体标题：光检波器电路及其制作方法(二) PHOTODETECTOR CIRCUITS
公开(公告)号：TW200403769A
公开(公告)日：2004-03-01
申请号：TW092118847
申请日：2003-07-10
申请人：昆提克股份有限公司 QINETIQ LIMITED
发明人：約翰路易斯葛萊斯普 JOHN LEWIS GLASPER , 大衛約翰羅賓斯 DAVID JOHN ROBBINS , 梁永義 WENG YEE LEONG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/1443 , H01L27/14603 , H01L27/14687 , H01L31/107
摘要：一種光檢波器電路係結合有一雪崩式光二極體結構，其中該結構具有一接觸層係用以在環狀區18上方與該環狀防護環8形成歐姆接觸。製程中，其起始基板可為一種由p型矽在絕緣體上(SOI)晶圓構成的柄晶圓或是一種以二氧化矽絕緣層4形成一電氣隔離式p型位阱的塊狀矽基板，並藉由習知的微影技術及蝕刻法於該絕緣層4內產生一視窗6。藉由使施體雜質擴散到基板之內以產生一n+環狀防護環8，並依熱學方式成長一較薄二氧化矽絕緣層22以覆蓋住該基板上露出於視窗6內的表面。然後透過該薄氧化物層選擇性地植入p型施體(例如硼)以增加該防護環8內靠近基板表面處的摻雜位準。隨後於該絕緣層22內製作一視窗24，然後再依磊晶方式於基板上因視窗24而露出的區域上，選擇性地成長一層12。使用該薄氧化物層22可減小須為磊晶沈積作業期間之側壁缺陷的產生負責的界面面積，如是引致減小了由熱膨脹係數失配造成的決定性效應而引玫減少了視窗邊緣上的缺陷且因此減小了光二極體的漏電流。在成長了該磊晶層12之後，藉由溼性氧化物蝕刻法(例如氫氟酸浸漬法)移除該絕緣層22之剩餘部分以露出底下之防護環8的環狀部分26。隨後，於該裝置表面上澱積一n+型磊晶-多晶矽層14並使之與該防護環8形成歐姆接觸，而同時形成該光二極體的頂部接點。這種製造程序不致顯著地增加製程的複雜度。雖則較之習知設計會需要一額外的遮罩以便於該絕緣層22內定義出視窗24，然而事實上使層14與防護環8形成歐姆接觸意指不再需要在該防護環上提供分開的接點，結果對兩種製程而言其整體遮罩數目或所用製程步驟數目可為相似的。
简体摘要：一种光检波器电路系结合有一雪崩式光二极管结构，其中该结构具有一接触层系用以在环状区18上方与该环状防护环8形成欧姆接触。制程中，其起始基板可为一种由p型硅在绝缘体上(SOI)晶圆构成的柄晶圆或是一种以二氧化硅绝缘层4形成一电气隔离式p型位阱的块状硅基板，并借由习知的微影技术及蚀刻法于该绝缘层4内产生一窗口6。借由使施体杂质扩散到基板之内以产生一n+环状防护环8，并依热学方式成长一较薄二氧化硅绝缘层22以覆盖住该基板上露出于窗口6内的表面。然后透过该薄氧化物层选择性地植入p型施体(例如硼)以增加该防护环8内靠近基板表面处的掺杂位准。随后于该绝缘层22内制作一窗口24，然后再依磊晶方式于基板上因窗口24而露出的区域上，选择性地成长一层12。使用该薄氧化物层22可减小须为磊晶沉积作业期间之侧壁缺陷的产生负责的界面面积，如是引致减小了由热膨胀系数失配造成的决定性效应而引玫减少了窗口边缘上的缺陷且因此减小了光二极管的漏电流。在成长了该磊晶层12之后，借由湿性氧化物蚀刻法(例如氢氟酸浸渍法)移除该绝缘层22之剩余部分以露出底下之防护环8的环状部分26。随后，于该设备表面上淀积一n+型磊晶-多晶硅层14并使之与该防护环8形成欧姆接触，而同时形成该光二极管的顶部接点。这种制造进程不致显着地增加制程的复杂度。虽则较之习知设计会需要一额外的遮罩以便于该绝缘层22内定义出窗口24，然而事实上使层14与防护环8形成欧姆接触意指不再需要在该防护环上提供分开的接点，结果对两种制程而言其整体遮罩数目或所用制程步骤数目可为相似的。

6. 发明专利

TW200302577A 寬能帶間隙電晶體 WIDE BANDGAP TRANSISTORS 失效
简体标题：宽能带间隙晶体管 WIDE BANDGAP TRANSISTORS
公开(公告)号：TW200302577A
公开(公告)日：2003-08-01
申请号：TW092100031
申请日：2003-01-02
申请人：昆提克股份有限公司 QINETIQ LIMITED
发明人：提蒙西强納遜飛利浦 TIMOTHY JONATHAN PHILLIPS
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/66318 , H01L29/1004 , H01L29/7371
摘要：一種符合垂直幾何構架之雙極電晶體包含一設置有一基極接點21之基極區域1，射極與集極區域2、3以由該基極區域抽出少數載子配置而成，以及一目的以抑制少數載子經由該基極接點進入至該基極區域之結構，其中該基極區域具有一大於0.5eV之能帶間隙以及一大於10^17cm-3之摻雜程度。如所示之該基極包含一防止載子由該基極接點21處進入之除外異質連接4，但是該基極區域可選擇地包含一「高-低」摻雜同質連接。該建構顯示甚至於多指電晶體中之熱失控的改善抑制。其尤其係有用於如以砷化銦鎵為基準的高功率、高頻率電晶體。該集極區域較佳地具有一異質結構。
简体摘要：一种符合垂直几何构架之双极晶体管包含一设置有一基极接点21之基极区域1，射极与集极区域2、3以由该基极区域抽出少数载子配置而成，以及一目的以抑制少数载子经由该基极接点进入至该基极区域之结构，其中该基极区域具有一大于0.5eV之能带间隙以及一大于10^17cm-3之掺杂程度。如所示之该基极包含一防止载子由该基极接点21处进入之除外异质连接4，但是该基极区域可选择地包含一“高-低”掺杂同质连接。该建构显示甚至于多指晶体管中之热失控的改善抑制。其尤其系有用于如以砷化铟镓为基准的高功率、高频率晶体管。该集极区域较佳地具有一异质结构。

7. 发明专利

TW201300740A 分散式光纖感測审中-公开
简体标题：分佈式光纤传感
公开(公告)号：TW201300740A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW101112142
申请日：2012-04-06
申请人：昆提克股份有限公司 , QINETIQ LIMITED
发明人：路易斯安德魯比格史塔夫 , LEWIS, ANDREW BIGGERSTAFF , 羅素斯圖亞特約翰 , RUSSELL, STUART JOHN
IPC分类号： G01D5/353 , G01H9/00
CPC分类号： G01H9/004 , G01D1/00 , G01D1/02 , G01D5/35303 , G01D5/35306 , G01D5/35312 , G01D5/35329 , G01D5/35345 , G01D5/35358 , G01D5/35361 , G01D5/35367 , G01D5/35387 , G01D5/3539 , G01D5/35393 , G01D5/35396
摘要：本申請案描述分散式光纖感測之方法及裝置，特別是分散式聲波/應變感測。該方法包含發射詢問輻射至一光纖中及在一速率下取樣從該光纖內後向散射之輻射，以便獲得對應於每一感興趣感測部分之複數個取樣。該複數個取樣被分成個別處理頻道及被處理，以測定那個頻道之一相位值。然後，對該已處理相位資料實施一品質度量，以及根據該品質度量組合該資料，以提供該感測部分之一總相位值。該品質度量可以是來自該等頻道之已處理資料的相似性之程度的測量。該詢問輻射可以包括以一相對寬間隙分隔之兩個相對窄脈衝，以及可以設定該取樣率，以便獲得複數個實質獨立多樣性取樣。
简体摘要：本申请案描述分佈式光纤传感之方法及设备，特别是分佈式声波/应变传感。该方法包含发射询问辐射至一光纤中及在一速率下采样从该光纤内后向散射之辐射，以便获得对应于每一感兴趣传感部分之复数个采样。该复数个采样被分成个别处理频道及被处理，以测定那个频道之一相位值。然后，对该已处理相位数据实施一品质度量，以及根据该品质度量组合该数据，以提供该传感部分之一总相位值。该品质度量可以是来自该等频道之已处理数据的相似性之程度的测量。该询问辐射可以包括以一相对宽间隙分隔之两个相对窄脉冲，以及可以设置该采样率，以便获得复数个实质独立多样性采样。

8. 发明专利

TW200733207A 製造半導體裝置的方法 METHOD OF FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：制造半导体设备的方法 METHOD OF FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200733207A
公开(公告)日：2007-09-01
申请号：TW096100920
申请日：2007-01-10
申请人：昆提克股份有限公司 QINETIQ LIMITED
发明人：保羅詹姆士羅斯 ROSE, PAUL JAMES , 伊恩查理沙吉 SAGE, IAN CHARLES , 瑞秋佩翠西亞圖芬 TUFFIN, RACHEL PATRICIA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/102 , B82Y10/00 , H01L29/66765 , H01L29/78681 , H01L29/7869 , H01L51/0004 , H01L51/052 , H01L51/0545
摘要：一種製造電極結構之方法,用於一種包含半導體層之多層半導體元件,其中該半導體元件具有與其接觸之第一電極層和被介電質層8從那裡分隔之第二電極層,該方法包含下列步驟:只應用製成圖案的材料20到元件中的支撐層之選擇區域,以界定在其上之第一電極層的排列;將適合對製成圖案的材料20有反應之觸媒24應用到支撐層;將導電材料26應用到支撐層,以在其上形成第一電極層;其中該支撐層製成圖案的材料20和觸媒24一起合作,使得導電材料26只沉積在已應用觸媒24之支撐層選擇區域上。薄膜電晶體2具有包含環氧化物材料之閘極絕緣層8。
简体摘要：一种制造电极结构之方法,用于一种包含半导体层之多层半导体组件,其中该半导体组件具有与其接触之第一电极层和被介电质层8从那里分隔之第二电极层,该方法包含下列步骤:只应用制成图案的材料20到组件中的支撑层之选择区域,以界定在其上之第一电极层的排列;将适合对制成图案的材料20有反应之触媒24应用到支撑层;将导电材料26应用到支撑层,以在其上形成第一电极层;其中该支撑层制成图案的材料20和触媒24一起合作,使得导电材料26只沉积在已应用触媒24之支撑层选择区域上。薄膜晶体管2具有包含环氧化物材料之闸极绝缘层8。

9. 发明专利

TW554631B 用於行動電話基地台之發射網路失效
简体标题：用于移动电话基地台之发射网络
公开(公告)号：TW554631B
公开(公告)日：2003-09-21
申请号：TW091105413
申请日：2002-03-21
申请人：昆提克股份有限公司
发明人：諾曼理查尼摩史密斯
IPC分类号： H04W , H04Q
CPC分类号： H04W88/08 , H01Q21/30
摘要：用於行動無線電網路之發射網路合併有兩個發射多工器122ABE和122CD。第一發射多工器122ABE接收三個發射機124A，124B和124E之輸出信號之一個群，並在各個帶通濾波器126A，126B和126E中將其濾波。第二發射多工器122CD接收二個另外之發射機124C和124D之輸出信號之一個群，並在各個帶通濾波器126C和126D中將其濾波。每個信號群之發射頻率是不鄰近的，其是由濾波器126提供在諸發射機間之隔離改良。經各個帶通濾波器126濾波之輸出信號是在濾波器輸出128X和128Y被組合，在此處信號是在組合器132中組合，提供這些輸出間之隔離程度，並能使信號以最小失真組合。自組合器132之信號是經一收發合用器而饋送至一發射/接收天線。
简体摘要：用于行动无线电网络之发射网络合并有两个发射多任务器122ABE和122CD。第一发射多任务器122ABE接收三个发射机124A，124B和124E之输出信号之一个群，并在各个带通滤波器126A，126B和126E中将其滤波。第二发射多任务器122CD接收二个另外之发射机124C和124D之输出信号之一个群，并在各个带通滤波器126C和126D中将其滤波。每个信号群之发射频率是不邻近的，其是由滤波器126提供在诸发射机间之隔离改良。经各个带通滤波器126滤波之输出信号是在滤波器输出128X和128Y被组合，在此处信号是在组合器132中组合，提供这些输出间之隔离程度，并能使信号以最小失真组合。自组合器132之信号是经一收发合用器而馈送至一发射/接收天线。

10. 发明专利

TW543197B 光檢測器電路、光檢測器像素電路之陣列及製造光檢測器電路之方法失效
简体标题：光检测器电路、光检测器像素电路之数组及制造光检测器电路之方法
公开(公告)号：TW543197B
公开(公告)日：2003-07-21
申请号：TW091102689
申请日：2002-02-18
申请人：昆提克股份有限公司
发明人：吉萊恩懷爾納馬歇爾 , 大衛約翰羅賓斯 , 威格伊里翁 , 史提芬威廉伯契
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H04N5/3745 , H01L27/14609 , H01L27/14643 , H01L31/028 , H01L31/107
摘要：一種光檢測器電路，在具有植入n-型井304及p-型井306之CMOS基體302上併合以磊晶技術來產生之雪崩光二極體，n-型井304植入p+保護環310來界定APD300，在保護環310內是植入n+APD層312，其上沈積磊晶p+APD層314，這些層形成APD300，APD可併合在提供反饋來保持定偏壓之放大器電路50內，而且可包括SiGe吸收區域來提供擴大長波長響應或較低雪崩電壓，非雪崩光二極體亦可使用。
简体摘要：一种光检测器电路，在具有植入n-型井304及p-型井306之CMOS基体302上并合以磊晶技术来产生之雪崩光二极管，n-型井304植入p+保护环310来界定APD300，在保护环310内是植入n+APD层312，其上沉积磊晶p+APD层314，这些层形成APD300，APD可并合在提供反馈来保持定偏压之放大器电路50内，而且可包括SiGe吸收区域来提供扩大长波长响应或较低雪崩电压，非雪崩光二极管亦可使用。

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