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1. 发明专利

TWI255165B 膠化飼料產品及製造該產品之方法 GELLED FEED PRODUCTS AND METHOD FOR MANUFACTURE OF SAID PRODUCTS 失效
简体标题：胶化饲料产品及制造该产品之方法 GELLED FEED PRODUCTS AND METHOD FOR MANUFACTURE OF SAID PRODUCTS
公开(公告)号：TWI255165B
公开(公告)日：2006-05-21
申请号：TW089113820
申请日：2000-07-12
申请人：挪斯克.海德羅公司 NORSK HYDRO ASA
发明人：歐斯坦貝肯 , 奧拉夫史密茲洛得 OLAV SMIDSROD , 科特印加鐸格 KURT INGAR DRAGET , 佛瑞地强森 FREDDY JOHNSEN
IPC分类号： A23K , A23L
CPC分类号： A23K50/80 , A23K10/20 , A23K10/26 , A23K40/20 , A23K40/25 , A23K50/40 , A23L17/00 , Y10S426/805
摘要：本發明係有關膠化飼料產品，生產該產品之手段及製造膠化飼料產品之方法。該產品包括80-98重量%預先用 KOH及/或NaOH，KHCO3，K2CO3，NaHCO3，Na2CO3或(NH4)2CO3處理過的動物或海洋生物來源之原料，及0.5-5重量%藻酸鹽或果膠，鈣源標準飼料成分和鈣。該產品可含0-10重量%的魚肉或碳水化合物。該手段為用鹼預處理動物或海洋生物來源原料使該原料具有8-12之PH值。該方法包括將海洋或動物來源的原料包括廢物，及藻酸鹽或果膠，與鈣源和標準飼料成分，予以混合，將混合物造粒成任何有用的幾何形狀，將其暴露於槽中進行酸處理。該原料係於添加藻酸鹽或果膠之前用鹼預先處理。所得混合物係經形成為合意的形狀後在酸槽中處理以形成膠化產品。較佳者該酸槽具有0.5-5.5的PH值且在該槽內的滯留時間為30秒-12小時。較佳的酸為甲酸。
简体摘要：本发明系有关胶化饲料产品，生产该产品之手段及制造胶化饲料产品之方法。该产品包括80-98重量%预先用 KOH及/或NaOH，KHCO3，K2CO3，NaHCO3，Na2CO3或(NH4)2CO3处理过的动物或海洋生物来源之原料，及0.5-5重量%藻酸盐或果胶，钙源标准饲料成分和钙。该产品可含0-10重量%的鱼肉或碳水化合物。该手段为用碱预处理动物或海洋生物来源原料使该原料具有8-12之PH值。该方法包括将海洋或动物来源的原料包括废物，及藻酸盐或果胶，与钙源和标准饲料成分，予以混合，将混合物造粒成任何有用的几何形状，将其暴露于槽中进行酸处理。该原料系于添加藻酸盐或果胶之前用碱预先处理。所得混合物系经形成为合意的形状后在酸槽中处理以形成胶化产品。较佳者该酸槽具有0.5-5.5的PH值且在该槽内的滞留时间为30秒-12小时。较佳的酸为甲酸。

2. 发明专利

TW572779B 含甲酸鉀之易流動產物失效
简体标题：含甲酸钾之易流动产物
公开(公告)号：TW572779B
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：TW091101962
申请日：2002-02-05
申请人：挪斯克海德羅公司 NORSK HYDRO ASA
发明人：雷夫裘納威克 HJORNEVIK, LEIF , 伊伐强納森 JOHANSEN, IVAR
IPC分类号： B01J , C07C
CPC分类号： B01J2/30 , C07C53/06
摘要：本發明係關於一種易流動之甲酸鉀產物，其包含0.1-1重量%水，並包括0.5-5重量%之選自鹼金屬的碳酸鹽、氯化物及氫氧化物所組成之族群中的水溶性防結劑，且彼等所具有之水親合力比在22℃時平衡的水相對溼度(Rh)為16%要低。甲酸鉀較佳為一種含有1-2.5重量%碳酸鉀及/或氫氧化鉀之結晶甲酸鉀。產物可包含1-2.5重量%蔗糖及/或甘露糖作為防結劑。
简体摘要：本发明系关于一种易流动之甲酸钾产物，其包含0.1-1重量%水，并包括0.5-5重量%之选自碱金属的碳酸盐、氯化物及氢氧化物所组成之族群中的水溶性防结剂，且彼等所具有之水亲合力比在22℃时平衡的水相对湿度(Rh)为16%要低。甲酸钾较佳为一种含有1-2.5重量%碳酸钾及/或氢氧化钾之结晶甲酸钾。产物可包含1-2.5重量%蔗糖及/或甘露糖作为防结剂。

3. 发明专利

TW200904750A 在低溫下矽金屬或含矽材料之直接氯化作用的製程中用於初始反應之方法 METHOD FOR THE INITIAL START OF REACTION IN A PROCESS FOR THE DIRECT CHLORINATION OF SILICON METAL OR A SILICON CONTAINING METERIAL AT A LOW TEMPERATURE 审中-公开
简体标题：在低温下硅金属或含硅材料之直接氯化作用的制程中用于初始反应之方法 METHOD FOR THE INITIAL START OF REACTION IN A PROCESS FOR THE DIRECT CHLORINATION OF SILICON METAL OR A SILICON CONTAINING METERIAL AT A LOW TEMPERATURE
公开(公告)号：TW200904750A
公开(公告)日：2009-02-01
申请号：TW097116566
申请日：2008-05-06
申请人：挪斯克海德羅公司 NORSK HYDRO ASA
发明人：柏貝克 BAKKE, PER , 羅伯特吉貝拉 GIBALA, ROBERT , 喬瑞德瑪格雷史瓦雷斯吐恩 SVALESTUEN,JORILD MARGRETE , 格利特維多歐伊 VIDDAL OI,GRETE
IPC分类号： C01B
CPC分类号： C01B33/10726 , C01B33/10721
摘要：本發明係關於一種用於在藉由矽金屬、矽鐵、氧化矽及/或碳化矽與氯在流體化床、固定床或隱床反應器中反應製造四氯化矽時起始反應之方法。氯化作用開始(點火)時之溫度係在或接近周圍溫度(室溫),藉由小量之點火或反應起始物,諸如容易在或接近周圍溫度下與氯進行放熱反應之合金及/或化合物,由此將相鄰的矽或含矽材料之溫度提高至該矽或含矽材料之氯化點火溫度以上的溫度。
简体摘要：本发明系关于一种用于在借由硅金属、硅铁、氧化硅及/或碳化硅与氯在流体化床、固定床或隐床反应器中反应制造四氯化硅时起始反应之方法。氯化作用开始(点火)时之温度系在或接近周围温度(室温),借由小量之点火或反应起始物,诸如容易在或接近周围温度下与氯进行放热反应之合金及/或化合物,由此将相邻的硅或含硅材料之温度提高至该硅或含硅材料之氯化点火温度以上的温度。

4. 发明专利

TW200900352A 回收高純度矽金屬的方法 A PROCESS FOR THE RECYCLING OF HIGH PURITY SILICON METAL 审中-公开
简体标题：回收高纯度硅金属的方法 A PROCESS FOR THE RECYCLING OF HIGH PURITY SILICON METAL
公开(公告)号：TW200900352A
公开(公告)日：2009-01-01
申请号：TW097114591
申请日：2008-04-22
申请人：挪斯克海德羅公司 NORSK HYDRO ASA
发明人：柏貝克 BAKKE, PER , 羅伯特吉貝拉 GIBALA, ROBERT , 喬瑞德瑪格雷史瓦雷斯吐恩 SVALESTUEN, JORILD MARGRETE , 格利特維多歐伊 VIDDAL OI, GRETE
IPC分类号： C01B
CPC分类号： H01L31/1804 , C01B33/10726 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：一種再使用來自太陽能電池晶圓或半導體裝置製造之高純度矽之剩餘物或其他殘餘矽(諸如,鋸屑或鋸縫)的方法,其特徵在於來自晶圓製造方法或半導體裝置之乾燥鋸縫、碎片及/或其他殘餘矽與冶金級矽一起用作產生四氯化矽SiCl4之直接氯化反應器(1)中的原料。未反應之鋸縫或其他自反應區逃逸而未反應之小微粒重複地回至反應器以進一步氯化而不考慮其尺寸。該方法中所包括之設備除反應器(1)外還包含:儲存暨混合裝置(2),其用於混合及儲存矽材料/鋸縫;回收裝置(3),其用於分離及回收自反應器之反應區逃逸且藉由反饋構件(9)回至反應器之反應區的含矽微粒;凝聚單元(10),其中自反應器之反應區及回收裝置逃逸之最小尺寸微粒被收集在含有液體SiCl4之漿料中;及混合單元(13),來自晶圓製造方法或半導體裝置之額外鋸縫、碎片及其他殘餘矽添加至其中且與已存在之SiCl4/Si漿料混合,該漿料隨後直接添加至反應器之反應區用於冷卻及溫度控制。
简体摘要：一种再使用来自太阳能电池晶圆或半导体设备制造之高纯度硅之剩余物或其他残余硅(诸如,锯屑或锯缝)的方法,其特征在于来自晶圆制造方法或半导体设备之干燥锯缝、碎片及/或其他残余硅与冶金级硅一起用作产生四氯化硅SiCl4之直接氯化反应器(1)中的原料。未反应之锯缝或其他自反应区逃逸而未反应之小微粒重复地回至反应器以进一步氯化而不考虑其尺寸。该方法中所包括之设备除反应器(1)外还包含:存储暨混合设备(2),其用于混合及存储硅材料/锯缝;回收设备(3),其用于分离及回收自反应器之反应区逃逸且借由反馈构件(9)回至反应器之反应区的含硅微粒;凝聚单元(10),其中自反应器之反应区及回收设备逃逸之最小尺寸微粒被收集在含有液体SiCl4之浆料中;及混合单元(13),来自晶圆制造方法或半导体设备之额外锯缝、碎片及其他残余硅添加至其中且与已存在之SiCl4/Si浆料混合,该浆料随后直接添加至反应器之反应区用于冷却及温度控制。

5. 发明专利

TW200825209A 由熔融氯化物製造金屬的方法和電解格室 A METHOD AND AN ELECTROLYSIS CELL FOR PRODUCTION OF A METAL FROM A MOLTEN CHLORIDE 审中-公开
简体标题：由熔融氯化物制造金属的方法和电解格室 A METHOD AND AN ELECTROLYSIS CELL FOR PRODUCTION OF A METAL FROM A MOLTEN CHLORIDE
公开(公告)号：TW200825209A
公开(公告)日：2008-06-16
申请号：TW096134781
申请日：2007-09-19
申请人：挪斯克海德羅公司 NORSK HYDRO ASA
发明人：克里斯珍羅珊契爾德 ROSENKILDE, CHRISTIAN
IPC分类号： C25C
CPC分类号： C25C3/34 , C25C7/005
摘要：本發明係關於一種用於由含有氯化鋅之鹽熔化物以電解製造鋅的方法和格室。該格室具有至少一個含有電解質之電解室(2)和以至少一個分隔牆(7,8)而與該電解室分隔開的至少一個鄰接室(1)。在電解室中的氣氛係藉由至少一個分隔牆與在鄰接室中的氣氛分隔。透過至少一個在分隔牆裡面或上面之低於電解質液面程度的開口來導引該電解質於電解室和鄰接室之間流動。產生的鋅金屬係聚集於格室的底部。該電解質流動可以實質層流的方式控制。
简体摘要：本发明系关于一种用于由含有氯化锌之盐熔化物以电解制造锌的方法和格室。该格室具有至少一个含有电解质之电解室(2)和以至少一个分隔墙(7,8)而与该电解室分隔开的至少一个邻接室(1)。在电解室中的气氛系借由至少一个分隔墙与在邻接室中的气氛分隔。透过至少一个在分隔墙里面或上面之低于电解质液面程度的开口来导引该电解质于电解室和邻接室之间流动。产生的锌金属系聚集于格室的底部。该电解质流动可以实质层流的方式控制。

6. 发明专利

TW200927650A 於流體床及固定床反應器之矽金屬直接氯化反應中延長可操作時間及改良溫度控制之方法 METHOD FOR EXTENDING UP-TIME AND IMPROVING TEMPERATURE CONTROL IN THE DIRECT CHLORINATION OF SILICON METAL IN A FLUIDISED BED AND FIXED BED REACTORS 审中-公开
简体标题：于流体床及固定床反应器之硅金属直接氯化反应中延长可操作时间及改良温度控制之方法 METHOD FOR EXTENDING UP-TIME AND IMPROVING TEMPERATURE CONTROL IN THE DIRECT CHLORINATION OF SILICON METAL IN A FLUIDISED BED AND FIXED BED REACTORS
公开(公告)号：TW200927650A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097139471
申请日：2008-10-15
申请人：挪斯克海德羅公司 NORSK HYDRO ASA
发明人：柏貝克 BAKKE, PER , 羅伯特吉貝拉 GIBALA, ROBERT , 格利特維多歐伊 OI, GRETE VIDDAL , 歐德蒙瓦勒維克 WALLEVIK, ODDMUND
IPC分类号： C01B , B01J , B01D
CPC分类号： C01B33/10726 , B01J8/22
摘要：於流體床或固定床反應器之矽金屬直接氯化反應中改良溫度控制及延長可操作時間的方法。反應器包括反應區、用來供應矽與氯的裝置和用來移除反應產物的裝置。液態氯化物吸收材料、矽膠、矽土、以二氧化矽為基礎、或其他具大表面積且在操作溫度下不與反應物產生化學反應的等效材料被添加到氯化反應器的反應區,藉以間歇或連續方式從反應區移除富含氯化物的材料。
简体摘要：于流体床或固定床反应器之硅金属直接氯化反应中改良温度控制及延长可操作时间的方法。反应器包括反应区、用来供应硅与氯的设备和用来移除反应产物的设备。液态氯化物吸收材料、硅胶、硅土、以二氧化硅为基础、或其他具大表面积且在操作温度下不与反应物产生化学反应的等效材料被添加到氯化反应器的反应区,借以间歇或连续方式从反应区移除富含氯化物的材料。

7. 发明专利

TW200848367A 製造高純度矽的方法及反應器 A METHOD AND A REACTOR FOR PRODUCTION OF HIGH-PURITY SILICON 审中-公开
简体标题：制造高纯度硅的方法及反应器 A METHOD AND A REACTOR FOR PRODUCTION OF HIGH-PURITY SILICON
公开(公告)号：TW200848367A
公开(公告)日：2008-12-16
申请号：TW097109569
申请日：2008-03-19
申请人：挪斯克海德羅公司 NORSK HYDRO ASA
发明人：克里斯珍羅珊契爾德 ROSENKILDE, CHRISTIAN
IPC分类号： C01B , H01L
CPC分类号： C25C3/34 , C01B33/033 , C25C1/16 , C25C7/005
摘要：藉液態鋅金屬還原四氯化矽(SiCl4)之反應以製造高純度矽(Si)金屬之方法和設備。SiCl4的Zn還原反應和藉ZnCl2電解製造Zn的反應發生於一個共同的組合反應器與使用熔融鹽作為電解液的電解池中。較佳地,此反應器和電解池可配備於共同的罩殼中,該罩殼藉第一或多個隔牆(15,8,7)分成二或更多個相通的隔室(13,1,2)。此外,藉適當的電極進行之ZnCl2的電解作用發生於至少一個隔室(1,2)中而SiCl4的Zn還原反應發生於至少一個其他隔室(13)中,其中Zn金屬流動於ZnCl2電解作用的室(1,2)和SiCl4還原反應的室(13)之間,且其中電解液循環於ZnCl2電解作用的室和SiCl4還原反應的室之間。發生電解作用的室中的氛圍較佳地藉第一隔牆(15)與其他室的氛圍隔開。
简体摘要：藉液态锌金属还原四氯化硅(SiCl4)之反应以制造高纯度硅(Si)金属之方法和设备。SiCl4的Zn还原反应和藉ZnCl2电解制造Zn的反应发生于一个共同的组合反应器与使用熔融盐作为电解液的电解池中。较佳地,此反应器和电解池可配备于共同的罩壳中,该罩壳藉第一或多个隔墙(15,8,7)分成二或更多个相通的隔室(13,1,2)。此外,藉适当的电极进行之ZnCl2的电解作用发生于至少一个隔室(1,2)中而SiCl4的Zn还原反应发生于至少一个其他隔室(13)中,其中Zn金属流动于ZnCl2电解作用的室(1,2)和SiCl4还原反应的室(13)之间,且其中电解液循环于ZnCl2电解作用的室和SiCl4还原反应的室之间。发生电解作用的室中的氛围较佳地藉第一隔墙(15)与其他室的氛围隔开。

8. 发明专利

TW200813237A 鑄造方法和合金組成之組合 COMBINATION OF CASTING PROCESS AND ALLOY COMPOSITION 审中-公开
简体标题：铸造方法和合金组成之组合 COMBINATION OF CASTING PROCESS AND ALLOY COMPOSITION
公开(公告)号：TW200813237A
公开(公告)日：2008-03-16
申请号：TW096129804
申请日：2007-08-13
申请人：挪斯克‧海德羅公司 NORSK HYDRO ASA
发明人：哈肯威斯登真 , 柏貝克 BAKKE, PER , 艾曼達柏立斯 BOWLES, AMANDA
IPC分类号： C22C
CPC分类号： B22D21/007 , B22D17/00 , C22C23/02 , C22C23/04
摘要：一種用以鑄造鎂合金之方法,該鎂合金由下列物種構成:10.00-13.00重量%鋁,0.00-10.00重量%鋅,或5.00-13.00重量%鋁,10.00-22.00重量%鋅,亦含有0.10-0.5重量%錳,餘者是鎂和無法避免的雜質,雜質總含量低於0.1重量%,其中‧合金在溫度控制在150-340℃的範圍內之鑄模中鑄造,‧模具充填的時間(以毫秒表示)等於介於2和300之間的數字乘以平均零件厚度(以毫米表示)所得的乘積,‧鑄造期間內,金屬靜壓維持介於20-70MPa且之後可强化高至180MPa。
简体摘要：一种用以铸造镁合金之方法,该镁合金由下列物种构成:10.00-13.00重量%铝,0.00-10.00重量%锌,或5.00-13.00重量%铝,10.00-22.00重量%锌,亦含有0.10-0.5重量%锰,余者是镁和无法避免的杂质,杂质总含量低于0.1重量%,其中‧合金在温度控制在150-340℃的范围内之铸模中铸造,‧模具充填的时间(以毫秒表示)等于介于2和300之间的数字乘以平均零件厚度(以毫米表示)所得的乘积,‧铸造期间内,金属静压维持介于20-70MPa且之后可强化高至180MPa。

9. 发明专利

TW200523229A 生產氯乙烯之方法 PROCESS FOR THE PRODUCTION OF VINYL CHLORIDE 审中-公开
简体标题：生产氯乙烯之方法 PROCESS FOR THE PRODUCTION OF VINYL CHLORIDE
公开(公告)号：TW200523229A
公开(公告)日：2005-07-16
申请号：TW093129169
申请日：2004-09-27
申请人：挪斯克‧海德羅公司 NORSK HYDRO ASA
发明人：梅爾斯史約佛 SJOVOLL, MERETHE , 亞恩吉德洛夫格隆佛德 GRONVOLD, ARNE GIDLOV , 强尼渥爾德 WOLD, JOHNNY , 特傑弗果路德 FUGLERUD, TERJE , 琳達譚根 TANGEN, LINDA
IPC分类号： C07C
CPC分类号： C07C21/06 , C07C17/25 , C07C17/395
摘要：本發明係有關於一種生產氯乙烯之方法，其係藉由將1,2–二氯乙烷(EDC)熱裂解而形成含有氯乙烯(VCM)、氯化氫(HC1)、未轉化之1,2–二氯乙烷、雜質1,3–丁二烯和其他副產物的反應混合物，並移除造成麻煩的副產物1,3–丁二烯。該反應混合物經驟冷且該氯乙烯可由該混合物中分離出。該1,3–丁二烯從經驟冷混合物中移除係進行於藉由與加至混合物中之氯反應來分離氯乙烯之前、在丁二烯還原劑加至該混合物之後。該丁二烯還原劑係選自習知地或預期地做為自由基清除劑的化合物類別。丁二烯還原劑為選自由具有一或多個氧接附於環上的芳香族所組成之芳香族化合物。較佳者為，該丁二烯還原劑為於對位取代之苯酚，如4–甲氧基酚、4–甲酚或對苯二酚。
简体摘要：本发明系有关于一种生产氯乙烯之方法，其系借由将1,2–二氯乙烷(EDC)热裂解而形成含有氯乙烯(VCM)、氯化氢(HC1)、未转化之1,2–二氯乙烷、杂质1,3–丁二烯和其他副产物的反应混合物，并移除造成麻烦的副产物1,3–丁二烯。该反应混合物经骤冷且该氯乙烯可由该混合物中分离出。该1,3–丁二烯从经骤冷混合物中移除系进行于借由与加至混合物中之氯反应来分离氯乙烯之前、在丁二烯还原剂加至该混合物之后。该丁二烯还原剂系选自习知地或预期地做为自由基清除剂的化合物类别。丁二烯还原剂为选自由具有一或多个氧接附于环上的芳香族所组成之芳香族化合物。较佳者为，该丁二烯还原剂为于对位取代之苯酚，如4–甲氧基酚、4–甲酚或对苯二酚。

10. 发明专利

TW200906722A 用於冶金級矽的直接氯化作用之方法及裝置 METHOD AND EQUIPMENT FOR DIRECT CHLORINATION OF METALLURGICAL GRADE SILICON 审中-公开
简体标题：用于冶金级硅的直接氯化作用之方法及设备 METHOD AND EQUIPMENT FOR DIRECT CHLORINATION OF METALLURGICAL GRADE SILICON
公开(公告)号：TW200906722A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW097116567
申请日：2008-05-06
申请人：挪斯克海德羅公司 NORSK HYDRO ASA
发明人：歐德蒙瓦勒維克 WALLEVIK, ODDMUND
IPC分类号： C01B , B01J
CPC分类号： C01B33/10726 , B01J8/0045 , B01J8/067 , B01J8/12 , B01J2208/00212 , B01J2208/00256 , B01J2208/0053 , B01J2208/00752 , B01J2208/00761
摘要：本發明係關於一種用於冶金級矽之直接氯化作用以製造四氯化矽之方法及裝置,其包含具有用於供應矽及注入氯之構件及用於移除反應產物-四氯化矽和任何剩餘物質之構件的反應器。該氯化作用係在隱床反應器中進行,其中該反應器係屬於直立管狀類型,該矽係由該反應器頂部連續餵入且氯係以受控方式與矽同向流或逆向流地注入,藉以同時去除反應生成熱以將該反應溫度較佳地保持在300-700℃之間。本發明提供一種用於製造目標產物之便宜、有效且容易控制之方法及裝置。
简体摘要：本发明系关于一种用于冶金级硅之直接氯化作用以制造四氯化硅之方法及设备,其包含具有用于供应硅及注入氯之构件及用于移除反应产物-四氯化硅和任何剩余物质之构件的反应器。该氯化作用系在隐床反应器中进行,其中该反应器系属于直立管状类型,该硅系由该反应器顶部连续喂入且氯系以受控方式与硅同向流或逆向流地注入,借以同时去除反应生成热以将该反应温度较佳地保持在300-700℃之间。本发明提供一种用于制造目标产物之便宜、有效且容易控制之方法及设备。

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