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1. 发明专利

TW289184B 具多數電路節點與多數可程式互連的積體電路及操作可程式互連之方法失效
简体标题：具多数电路节点与多数可进程互连的集成电路及操作可进程互连之方法
公开(公告)号：TW289184B
公开(公告)日：1996-10-21
申请号：TW084111632
申请日：1995-11-03
申请人：席凱公司
发明人：約瑟夫G.諾蘭 , 約翰M.開伍德 , 理察D.福利曼 , 勞柏J.利普 , 勞柏U.布洛玆
IPC分类号： H03K
CPC分类号： H03K19/1736 , G11C16/0441
摘要：一種可程式之互連其緊密地將一獨立的開關電晶體與分的ＮＶＭ程式與消除元件相整合。該程式元作件係為一ＥＰＲＯＭ電晶體且該消除元件係為一 Fowler-Nordheim通道裝置。一單一的浮置閘由開關電晶體與對此浮置閘充電與放電的ＮＶＭ程式與消除元件共享。該共享的浮置閘結構係為整合的可程式之互連的記憶體結構並控制開關電晶體的阻抗。
简体摘要：一种可进程之互连其紧密地将一独立的开关晶体管与分的ＮＶＭ进程与消除组件相集成。该进程元作件系为一ＥＰＲＯＭ晶体管且该消除组件系为一 Fowler-Nordheim信道设备。一单一的浮置闸由开关晶体管与对此浮置闸充电与放电的ＮＶＭ进程与消除组件共享。该共享的浮置闸结构系为集成的可进程之互连的内存结构并控制开关晶体管的阻抗。

2. 发明专利

TW314653B 場可程式閘陣列中之邏輯格和佈線架構失效
简体标题：场可进程闸数组中之逻辑格和布线架构
公开(公告)号：TW314653B
公开(公告)日：1997-09-01
申请号：TW085110177
申请日：1996-08-19
申请人：席凱公司
发明人：理查D.佛利曼 , 喬瑟夫D.林諾夫 , 堤瑪希.沙克斯
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H03K19/17736 , H03K19/17704
摘要：本發明提供－ＦＰＧＡ積體電路其具有一邏輯格之陣列及藉由可程式開關被交互連接之交互連接線，任一可程式開關係自一非揮發性記憶格所形成。根據位於該格內之可程式開關的設定該邏輯格被設計以提供邏輯或記憶功能。藉由區域、長及總體連線節段之一架構該陣列中之邏輯格係可交互連接的。藉由介於該連線節段之可程式開關的設定該交互連接可被實行。
简体摘要：本发明提供－ＦＰＧＡ集成电路其具有一逻辑格之数组及借由可进程开关被交互连接之交互连接线，任一可进程开关系自一非挥发性记忆格所形成。根据位于该格内之可进程开关的设置该逻辑格被设计以提供逻辑或记忆功能。借由区域、长及总体连接节段之一架构该数组中之逻辑格系可交互连接的。借由介于该连接节段之可进程开关的设置该交互连接可被实行。

3. 发明专利

TW384480B 一用於直接切換一大電子信號之漂浮閘極電晶體之防止解除程式之技術失效
简体标题：一用于直接切换一大电子信号之漂浮闸极晶体管之防止解除进程之技术
公开(公告)号：TW384480B
公开(公告)日：2000-03-11
申请号：TW084109189
申请日：1995-09-02
申请人：席凱公司
发明人：勞伯J.李普
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C16/3427 , G11C16/3418
摘要：本發明提供一種在開關電路中違接及操作非揮發性記憶（NVM）電晶體的新方法。全電壓信號可切換橫跨於NVM電晶體。當信號切換之前被開啟，NVM裝置關於其所在電路的電氣特性被小心地調整，以防止源極─汲極電壓上升超過預先選擇的最大電壓（例如lV）。文中說明本發明的兩項實施例。在第一實施例中，ＮVＭ電晶體及其驅動電路二者的相對阻抗受到控制。驅動電路及NVM電晶體開關做為電阻分割電路，且依據相對阻抗各分得全部切換電壓某個百分比的電壓以跨於NVM電晶體上及驅動電路上。第二實施例應用於NVM電晶體驅動電容負載的狀況。待切換之信號的上升時間受到控制。此項控制可經由控制驅動電路的開啟時間，在NVM開關任一側的相對電容器一電阻器（RC）上升時間，或者是此兩項技術的結合而達成。如果開關信號的上升時間夠慢，在NVM電晶體輸出端的電壓便緊緊跟隨輸入電壓以使源極─汲極之間的電壓達到最小。
简体摘要：本发明提供一种在开关电路中违接及操作非挥发性记忆（NVM）晶体管的新方法。全电压信号可切换横跨于NVM晶体管。当信号切换之前被打开，NVM设备关于其所在电路的电气特性被小心地调整，以防止源极─汲极电压上升超过预先选择的最大电压（例如lV）。文中说明本发明的两项实施例。在第一实施例中，ＮVＭ晶体管及其驱动电路二者的相对阻抗受到控制。驱动电路及NVM晶体管开关做为电阻分割电路，且依据相对阻抗各分得全部切换电压某个百分比的电压以跨于NVM晶体管上及驱动电路上。第二实施例应用于NVM晶体管驱动电容负载的状况。待切换之信号的上升时间受到控制。此项控制可经由控制驱动电路的打开时间，在NVM开关任一侧的相对电容器一电阻器（RC）上升时间，或者是此两项技术的结合而达成。如果开关信号的上升时间够慢，在NVM晶体管输出端的电压便紧紧跟随输入电压以使源极─汲极之间的电压达到最小。

4. 发明专利

TW307911B 具FN隧道效應之非揮發性可再程式的互連件單元及其程式規劃方法失效
简体标题：具FN隧道效应之非挥发性可再进程的互连件单元及其进程规划方法
公开(公告)号：TW307911B
公开(公告)日：1997-06-11
申请号：TW085108114
申请日：1996-07-05
申请人：席凱公司
发明人：勞柏U.布洛玆
IPC分类号： H01L , G11C
CPC分类号： H01L27/11517 , H01L27/115 , H01L29/7883
摘要：一種可程式互連件單元陣列被用於一ＦＰＧＡ，各單元具一浮閘以作為可程式以與節點連接或斷接之一ＭＯＳ開關電晶體的閘極。電容式耦合到一控制閘的各單元的浮閘藉由福勒諾漢穿隧法（ Fowler-Nordheim tunneling ）穿隧過積體電路基片內一程式／抹除線上之一穿隧氧化物而被程式規劃。相鄰並平行於程式／抹除線者係為至少一條穿隧控制線，該等穿隧控制線形成穿隧氧化物之下極接近於程式／抹除線區域的一ＰＮ接面。在反向偏壓下，一深電荷空乏區形成於程式／抹除線內以阻擋穿隧。如此，一選定單元可被程式／抹除，而未選定單元則不會被程式／抹除。
简体摘要：一种可进程互连件单元数组被用于一ＦＰＧＡ，各单元具一浮闸以作为可进程以与节点连接或断接之一ＭＯＳ开关晶体管的闸极。电容式耦合到一控制闸的各单元的浮闸借由福勒诺汉穿隧法（ Fowler-Nordheim tunneling ）穿隧过集成电路基片内一进程／抹除在线之一穿隧氧化物而被进程规划。相邻并平行于进程／抹除线者系为至少一条穿隧控制线，该等穿隧控制线形成穿隧氧化物之下极接近于进程／抹除线区域的一ＰＮ接面。在反向偏压下，一深电荷空乏区形成于进程／抹除线内以阻挡穿隧。如此，一选定单元可被进程／抹除，而未选定单元则不会被进程／抹除。

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