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1. 发明专利

TWI487019B 具有平坦化尖端之化學機械研磨墊修整器及其相關方法有权
简体标题：具有平坦化尖端之化学机械研磨垫修整器及其相关方法
公开(公告)号：TWI487019B
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW101118288
申请日：2012-05-23
申请人：宋健民
发明人：宋健民
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B53/017 , B24B53/12 , B24D3/06 , B24D7/00 , H01L21/304 , Y10T428/24372

2. 发明专利

TWI460695B 電子裝置有权
简体标题：电子设备
公开(公告)号：TWI460695B
公开(公告)日：2014-11-11
申请号：TW099129472
申请日：2010-09-01
申请人：宋健民 , SUNG, CHIEN MIN
发明人：宋健民 , SUNG, CHIEN MIN
IPC分类号： G09F9/00

3. 实用新型

TWM465659U 化學機械硏磨修整器失效
简体标题：化学机械研磨修整器
公开(公告)号：TWM465659U
公开(公告)日：2013-11-11
申请号：TW102206277
申请日：2013-04-08
申请人：宋健民
发明人：宋健民 , 葉文挺
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B53/017

4. 发明专利

TWI397431B 含有奈米鑽石之保健與化妝組合物有权
简体标题：含有奈米钻石之保健与化妆组合物
公开(公告)号：TWI397431B
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW094109789
申请日：2005-03-29
申请人：宋健民 , SUNG, CHIEN MIN , 宋思齊 , SUNG, MICHAEL , 宋欣怡 , SUNG, EMILY
发明人：宋健民 , SUNG, CHIEN MIN , 宋思齊 , SUNG, MICHAEL , 宋欣怡 , SUNG, EMILY
IPC分类号： A61Q1/00 , A61Q11/00 , A61K33/00
CPC分类号： A61K8/19 , A61K8/11 , A61K33/44 , A61K2800/413 , A61Q3/02 , A61Q5/02 , A61Q11/00 , A61Q15/00 , A61Q19/00 , B82Y5/00

5. 发明专利

TWI389165B 鑽石上半導體裝置及其形成方法有权
简体标题：钻石上半导体设备及其形成方法
公开(公告)号：TWI389165B
公开(公告)日：2013-03-11
申请号：TW094115397
申请日：2005-05-12
申请人：宋健民 , SUNG, CHIEN MIN
发明人：宋健民 , SUNG, CHIEN MIN
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L21/02115 , H01L21/02362 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02395 , H01L21/02425 , H01L21/0243 , H01L21/02439 , H01L21/02444 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02502 , H01L21/02513 , H01L21/02521 , H01L21/02527 , H01L21/02532 , H01L21/0254 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/0405 , H01L21/3146 , H01L21/3148 , H01L21/6835 , H01L21/76256 , H01L23/3732 , H01L29/1602 , H01L2221/68363 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/00

6. 发明专利

TW201212289A 石墨烯透明電極、石墨烯發光二極體、及該發光二極體其之製備方法 GRAPHENE TRANSPARENT ELECTRODE, GRAPHENE LIGHT EMITTING DIODE, AND METHOD OF FABRICATING THE GRAPHENE LIGHT EMITTING DIODE 审中-公开
简体标题：石墨烯透明电极、石墨烯发光二极管、及该发光二极管其之制备方法 GRAPHENE TRANSPARENT ELECTRODE, GRAPHENE LIGHT EMITTING DIODE, AND METHOD OF FABRICATING THE GRAPHENE LIGHT EMITTING DIODE
公开(公告)号：TW201212289A
公开(公告)日：2012-03-16
申请号：TW099129474
申请日：2010-09-01
申请人：宋健民
发明人：宋健民
IPC分类号： H01L , C01B
CPC分类号： H01B1/04 , H01L29/1606 , H01L33/42 , H01L51/5206 , H01L2251/5338
摘要：本發明係有關於一種石墨烯透明電極,包括:至少一層石墨烯(graphene)薄膜,且石墨烯薄膜之間係相互堆疊而電性連接;其中,每一石墨烯薄膜之直徑為10��m到1mm,石墨烯透明電極所包含之石墨烯薄膜的總層數為1至1000層,石墨烯透明電極之電阻係為1 ��/cm或以下,且石墨烯透明電極之透光度係70%或以上。本發明亦關於一種石墨烯發光二極體及其製備方法。
简体摘要：本发明系有关于一种石墨烯透明电极,包括:至少一层石墨烯(graphene)薄膜,且石墨烯薄膜之间系相互堆栈而电性连接;其中,每一石墨烯薄膜之直径为10��m到1mm,石墨烯透明电极所包含之石墨烯薄膜的总层数为1至1000层,石墨烯透明电极之电阻系为1 ��/cm或以下,且石墨烯透明电极之透光度系70%或以上。本发明亦关于一种石墨烯发光二极管及其制备方法。

7. 发明专利

TWI356449B 化學機械拋光墊調整器及其相關方法 CMP PAD CONDITIONERS AND ASSOCIATED METHODS 失效
简体标题：化学机械抛光垫调整器及其相关方法 CMP PAD CONDITIONERS AND ASSOCIATED METHODS
公开(公告)号：TWI356449B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：TW096143400
申请日：2007-11-16
申请人：宋健民
发明人：宋健民
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B24B53/017
摘要：本發明係一種在調整CMP拋光墊時減少該CMP拋光墊之壓縮程度的方法，係包括結合CMP拋光墊與至少一超硬切割元件，該切割元件包括一切割面，該切割面的角度被調整為相對於CMP拋光墊之磨光表面之角度為90度或更小；將CMP拋光墊和切割元件以相對於彼此的方向移動，令該切割面將材料從該CMP拋光墊移除，以調整該CMP拋光墊。
简体摘要：本发明系一种在调整CMP抛光垫时减少该CMP抛光垫之压缩程度的方法，系包括结合CMP抛光垫与至少一超硬切割组件，该切割组件包括一切割面，该切割面的角度被调整为相对于CMP抛光垫之磨光表面之角度为90度或更小；将CMP抛光垫和切割组件以相对于彼此的方向移动，令该切割面将材料从该CMP抛光垫移除，以调整该CMP抛光垫。

8. 发明专利

TW201143979A 具有混合修整功能的化學機械拋光墊修整器及相關方法审中-公开
简体标题：具有混合修整功能的化学机械抛光垫修整器及相关方法
公开(公告)号：TW201143979A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：TW100115538
申请日：2011-05-04
申请人：宋健民
发明人：宋健民
IPC分类号： B24B
CPC分类号： B24B53/12 , B24B53/017
摘要：本發明係提供一種化學機械拋光墊修整器及其用於修飾或修整化學機械拋光墊的方法。在一方面中，舉例而言，本發明提供一化學機械拋光墊修整器，此類修整器可包含有一支撐基質，以及複數個設置於該支撐基質的平滑超研磨粒子，該複數平滑超研磨粒子可供用以在一化學機械拋光墊上切割出大的粗糙部。該修整器亦可包含有複數個設置於該支撐基質的粗糙超研磨粒子，該複數粗糙超研磨粒子可供用以在該複數大的粗糙部上切割出研磨液渠道，且在化學機械拋光過程中，該複數研磨液渠道可促進研磨液的活動遍及於該複數大的粗糙部。
简体摘要：本发明系提供一种化学机械抛光垫修整器及其用于修饰或修整化学机械抛光垫的方法。在一方面中，举例而言，本发明提供一化学机械抛光垫修整器，此类修整器可包含有一支撑基质，以及复数个设置于该支撑基质的平滑超研磨粒子，该复数平滑超研磨粒子可供用以在一化学机械抛光垫上切割出大的粗糙部。该修整器亦可包含有复数个设置于该支撑基质的粗糙超研磨粒子，该复数粗糙超研磨粒子可供用以在该复数大的粗糙部上切割出研磨液渠道，且在化学机械抛光过程中，该复数研磨液渠道可促进研磨液的活动遍及于该复数大的粗糙部。

9. 发明专利

TWI331066B 具改良之抗腐蝕性的超研磨工具及其製造方法 SUPERABRASIVE TOOLS HAVING IMPROVED CAUSTIC RESISTANCE 有权
简体标题：具改良之抗腐蚀性的超研磨工具及其制造方法 SUPERABRASIVE TOOLS HAVING IMPROVED CAUSTIC RESISTANCE
公开(公告)号：TWI331066B
公开(公告)日：2010-10-01
申请号：TW096117531
申请日：2007-05-17
申请人：宋健民
发明人：宋健民
IPC分类号： B24B , B24D
CPC分类号： B24B53/12 , B24B53/017 , B24D3/14 , B24D3/34 , B24D2203/00
摘要：本發明揭示具有改良之抗腐蝕性的超研磨工具及其製造方法。一態樣包括一沿著嵌入有超研磨顆粒之超研磨工具整個工作表面提供抗腐蝕性的方法。此方法可包括經由一反應源與一反應元素之間的反應，沿著該反應源與一包括該反應元素之支撐基質間的界面處實質上全部的工作表面，且在複數個超級研磨顆粒之每一者與該支撐基質之間就地形成一保護層。隨後可移除至少一部分反應源以暴露該保護層。在一些態樣中，該保護層實質上是連續的。
简体摘要：本发明揭示具有改良之抗腐蚀性的超研磨工具及其制造方法。一态样包括一沿着嵌入有超研磨颗粒之超研磨工具整个工作表面提供抗腐蚀性的方法。此方法可包括经由一反应源与一反应元素之间的反应，沿着该反应源与一包括该反应元素之支撑基质间的界面处实质上全部的工作表面，且在复数个超级研磨颗粒之每一者与该支撑基质之间就地形成一保护层。随后可移除至少一部分反应源以暴露该保护层。在一些态样中，该保护层实质上是连续的。

10. 发明专利

TW201024477A 鑽石顆粒合成方法及其鑽石审中-公开
简体标题：钻石颗粒合成方法及其钻石
公开(公告)号：TW201024477A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：TW098142230
申请日：2009-12-10
申请人：宋健民
发明人：宋健民
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C01B32/25
摘要：本發明提供一種在高溫高壓(HPHT)下生長鑽石的方法。在一方面，此一方法可包含：提供一生長前驅物，該生長前驅物包含有一碳源以及一催化劑材料。該生長前驅物具有一鑽石前驅顆粒，該鑽石前驅顆粒的至少一部分配置於該生長前驅物之中；熔融該鑽石前驅顆粒；令該熔融的鑽石前驅顆粒以及生長前驅物處於一足以令鑽石生長的溫度與壓力條件下以進行一鑽石的生長。在某些方面，產出的鑽石顆粒可作為一鑽石前驅顆粒而使用於一後續反應中生長出一更大的鑽石顆粒。
简体摘要：本发明提供一种在高温高压(HPHT)下生长钻石的方法。在一方面，此一方法可包含：提供一生长前驱物，该生长前驱物包含有一碳源以及一催化剂材料。该生长前驱物具有一钻石前驱颗粒，该钻石前驱颗粒的至少一部分配置于该生长前驱物之中；熔融该钻石前驱颗粒；令该熔融的钻石前驱颗粒以及生长前驱物处于一足以令钻石生长的温度与压力条件下以进行一钻石的生长。在某些方面，产出的钻石颗粒可作为一钻石前驱颗粒而使用于一后续反应中生长出一更大的钻石颗粒。

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