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    • 7. 发明专利
      TW200428531A 使用磺化兩性劑之銅化學機械拋光溶液 COPPER CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SOLUTIONS USING SULFONATED AMPHIPROTIC AGENTS 失效
    • 使用磺化兩性劑之銅化學機械拋光溶液 COPPER CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SOLUTIONS USING SULFONATED AMPHIPROTIC AGENTS
    • 使用磺化两性剂之铜化学机械抛光溶液 COPPER CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SOLUTIONS USING SULFONATED AMPHIPROTIC AGENTS
    • TW200428531A
    • 2004-12-16
    • TW092131656
    • 2003-11-12
    • 安托菲娜化學公司 ATOFINA CHEMICALS, INC.
    • 尼可拉斯M. 馬特亞克 NICHOLAS M. MARTYAK , 葛蘭 卡洛 GLENN CARROLL
    • H01L
    • H01L21/3212 , C09G1/04 , C09K3/1463
    • 本發明提供一族用在改質用於半導體製造之晶圓露出表面的淤漿、及使用此一族之作用淤漿來改質用於半導體製造之晶圓露出表面的方法、和半導體晶圓。本發明之淤漿為起初組份的溶液，該組份包含：經磺化的兩性離子，是選自2–(N–嗎基)乙烷磺酸、(3–〔N–嗎基〕)丙烷磺酸、2–〔(2–胺基–2–氧代乙基)胺基〕乙烷磺酸、–N,N’–雙(2–乙烷磺酸)、3–(N–嗎基)–2–羥基丙烷磺酸、N,N–雙(2–羥基乙基)–2–胺基乙烷磺酸、3–(N–嗎基)丙烷磺酸、N–(2–羥基乙基)–N’–(2–乙烷磺酸)、N–參(羥基甲基)甲基–2–胺基乙烷磺酸、3–〔N,N–雙(2–羥基乙基)胺基〕–2–羥基丙烷磺酸、3–〔N–參(羥基甲基)甲基胺基〕–2–羥基丙烷磺酸、N–(2–羥基乙基)–N’–(2–羥基丙烷磺酸)、–N,N’–雙(2–羥基丙烷磺酸)、N–(2–羥基乙基)–N’–(3–丙烷磺酸)、N–參(羥基甲基)甲基–3–胺基丙烷磺酸、3–〔(1,1–二甲基1–2–羥基乙基)胺基〕–2–羥基丙烷磺酸、2–(N–環己基)胺基)乙烷磺酸、3–(環己基胺基)–2–羥基–1–丙烷磺酸、2–胺基–2–甲基–1–丙醇、3–(環己基胺基)–1–丙烷磺酸，為氧化劑；可選擇之鈍化劑；可選擇之螯合劑、可選擇之研磨顆粒、可選擇之界面活性劑、可選擇之二級緩衝劑及水。本發明之方法包含的步驟為：a)提供一個晶圓，包含具有表面經蝕刻成型的第一材質、及沉積在第一材質之表面上的第二材質；b)將該晶圓之第二材質與研磨劑在作用淤漿的存在下接觸；及c)相對地移動該晶圓或拋光墊或兩者，同時第二材質與淤漿及研磨顆粒接觸，直到晶圓的露出表面為平坦的，並包含至少一個露出的第一材質區域及一個露出的第二材質區域。
    • 本发明提供一族用在改质用于半导体制造之晶圆露出表面的淤浆、及使用此一族之作用淤浆来改质用于半导体制造之晶圆露出表面的方法、和半导体晶圆。本发明之淤浆为起初组份的溶液，该组份包含：经磺化的两性离子，是选自2–(N–吗基)乙烷磺酸、(3–〔N–吗基〕)丙烷磺酸、2–〔(2–胺基–2–氧代乙基)胺基〕乙烷磺酸、–N,N’–双(2–乙烷磺酸)、3–(N–吗基)–2–羟基丙烷磺酸、N,N–双(2–羟基乙基)–2–胺基乙烷磺酸、3–(N–吗基)丙烷磺酸、N–(2–羟基乙基)–N’–(2–乙烷磺酸)、N–参(羟基甲基)甲基–2–胺基乙烷磺酸、3–〔N,N–双(2–羟基乙基)胺基〕–2–羟基丙烷磺酸、3–〔N–参(羟基甲基)甲基胺基〕–2–羟基丙烷磺酸、N–(2–羟基乙基)–N’–(2–羟基丙烷磺酸)、–N,N’–双(2–羟基丙烷磺酸)、N–(2–羟基乙基)–N’–(3–丙烷磺酸)、N–参(羟基甲基)甲基–3–胺基丙烷磺酸、3–〔(1,1–二甲基1–2–羟基乙基)胺基〕–2–羟基丙烷磺酸、2–(N–环己基)胺基)乙烷磺酸、3–(环己基胺基)–2–羟基–1–丙烷磺酸、2–胺基–2–甲基–1–丙醇、3–(环己基胺基)–1–丙烷磺酸，为氧化剂；可选择之钝化剂；可选择之螯合剂、可选择之研磨颗粒、可选择之界面活性剂、可选择之二级缓冲剂及水。本发明之方法包含的步骤为：a)提供一个晶圆，包含具有表面经蚀刻成型的第一材质、及沉积在第一材质之表面上的第二材质；b)将该晶圆之第二材质与研磨剂在作用淤浆的存在下接触；及c)相对地移动该晶圆或抛光垫或两者，同时第二材质与淤浆及研磨颗粒接触，直到晶圆的露出表面为平坦的，并包含至少一个露出的第一材质区域及一个露出的第二材质区域。
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