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1. 发明专利

TW200804620A 具有磁性支持之高生產率沈積裝置 HIGH THROUGHPUT DEPOSITION APPARATUS WITH MAGNETIC SUPPORT 审中-公开
简体标题：具有磁性支持之高生产率沉积设备 HIGH THROUGHPUT DEPOSITION APPARATUS WITH MAGNETIC SUPPORT
公开(公告)号：TW200804620A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：TW096108851
申请日：2007-03-15
申请人：力能轉換裝置公司 ENERGY CONVERSION DEVICES, INC.
发明人：歐欣基 OVSHINSKY, STANFORD R. , 歐賀伯 OVSHINSKY, HERBERT C. , 艾瑪莎 IZU, MASAT , 都何勒 DOEHLER, JOACHIM , 何福曼 HOFFMAN, KEVIN , 詹姆士 KEY, JAMES , 利馬克 LYCETTE, MARK
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： C23C16/545 , C23C14/0078 , C23C14/351 , C23C14/542 , C23C14/562 , C23C14/564 , C23C16/4401 , C23C16/458 , C23C16/4586 , C23C16/517 , C23C16/52
摘要：一種裝置,用以將一或多個薄膜層沈積至一或多個連續捲材或離散基材上。該裝置包含:一供應單元,用以分散一或複數個捲材;一沈積單元,將一系列之一或多個薄膜層沈積於其上;及一接收單元,在沈積後接收並儲存捲材。在一較佳實施例中,經由電漿增强化學氣相沈積來進行沈積,其中電漿區域係形成在沈積單元中之陰極與一或多個垂直地定向之捲材之間。本沈積裝置包含一支持系統,其用以導引及穩定一或多個捲材或基材傳送通過沈積室。支持系統包含一磁性導引組合件及一邊緣穩定組合件,以操作仰制捲材或基材在非傳送通過裝置之方向的方向上的移動之擾動。
简体摘要：一种设备,用以将一或多个薄膜层沉积至一或多个连续卷材或离散基材上。该设备包含:一供应单元,用以分散一或复数个卷材;一沉积单元,将一系列之一或多个薄膜层沉积于其上;及一接收单元,在沉积后接收并存储卷材。在一较佳实施例中,经由等离子增强化学气相沉积来进行沉积,其中等离子区域系形成在沉积单元中之阴极与一或多个垂直地定向之卷材之间。本沉积设备包含一支持系统,其用以导引及稳定一或多个卷材或基材发送通过沉积室。支持系统包含一磁性导引组合件及一边缘稳定组合件,以操作仰制卷材或基材在非发送通过设备之方向的方向上的移动之扰动。

2. 发明专利

TWI262951B 包含改質TI-MN2合金之儲氫材料 A HYDROGEN STORAGE MATERIAL INCLUDING A MODIFIED TI-MN2 ALLOY 失效
简体标题：包含改质TI-MN2合金之储氢材料 A HYDROGEN STORAGE MATERIAL INCLUDING A MODIFIED TI-MN2 ALLOY
公开(公告)号：TWI262951B
公开(公告)日：2006-10-01
申请号：TW091134542
申请日：2002-11-28
申请人：力能轉換裝置公司 ENERGY CONVERSION DEVICES, INC.
发明人：史奈德 NED T STETSON , 楊俊 YANG, JUN , 趙世熙 BENJAMIN CHAO , 麥辛科 VITALIY MYASNIKOV , 譚肇升 ZHAOSHENG TAN
IPC分类号： C22C
CPC分类号： C01B3/0031 , C22C14/00 , C22C22/00 , H01M4/383 , Y02E60/327
摘要：一種改質Ti-Mn2儲氫合金，此合金通常由Ti與 Mn所構成。用於此合金之通式為：TiQ-xZrXMnZ-YAY，其中A通常為V,Cr,Fe,Ni與Al中之一或多個。A最佳為V,Cr與Fe之一或多個。下標Q較佳介於0.9與1.1之間，且Q最佳為1.0。下標X是介於0.0與0.35之間，X更佳是介於0.1與0.2之間，且X最佳是介於0.1與0.15之間。下標Y較佳介於0.3與1.8之間、 Y更佳是介於0.6與1.2之間、Y最佳是介於0.6與1.0之間。下標Z較佳介於1.8與2.1之間、且Z最佳是介於1.8與2.0之間。此合金通常為單相材料、顯示六角形C14 Laves相結晶體結構。
简体摘要：一种改质Ti-Mn2储氢合金，此合金通常由Ti与 Mn所构成。用于此合金之通式为：TiQ-xZrXMnZ-YAY，其中A通常为V,Cr,Fe,Ni与Al中之一或多个。A最佳为V,Cr与Fe之一或多个。下标Q较佳介于0.9与1.1之间，且Q最佳为1.0。下标X是介于0.0与0.35之间，X更佳是介于0.1与0.2之间，且X最佳是介于0.1与0.15之间。下标Y较佳介于0.3与1.8之间、 Y更佳是介于0.6与1.2之间、Y最佳是介于0.6与1.0之间。下标Z较佳介于1.8与2.1之间、且Z最佳是介于1.8与2.0之间。此合金通常为单相材料、显示六角形C14 Laves相结晶体结构。

3. 发明专利

TW200601324A 光電漿子耦合透鏡 LIGHT PLASMON COUPLING LENS 失效
简体标题：光等离子子耦合透镜 LIGHT PLASMON COUPLING LENS
公开(公告)号：TW200601324A
公开(公告)日：2006-01-01
申请号：TW094115315
申请日：2002-09-02
申请人：力能轉換裝置公司 ENERGY CONVERSION DEVICES, INC.
发明人：歐史坦 STANFORD R. OVSHINSKY , 史大衛 DAVID STRAND , 朱明才 DAVID TSU
IPC分类号： G11B
CPC分类号： B82Y10/00 , G11B7/00454 , G11B7/00557 , G11B7/006 , G11B7/1275 , G11B7/1374 , G11B7/1387 , G11B7/24065 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/251 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2534 , G11B7/257 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
摘要：本發明揭示一種光學記錄媒介，其包含一結晶層，供強化相變記憶層之結晶化之用；一儲能層，供輔助相變記憶層之狀態轉變之用；及／或一改良元素，供增加短波長之吸收及對比之用。以及組成與上述相同之光資料存取系統。此外，一光電漿子耦合透鏡包含一可透光基板，其具一光入射表面及一與該光入射表面相對之光電漿子耦合表面。該光電漿子耦合表面包含至少一組環形同心峰／谷，其構成一在環形同心峰／谷徑向上之傅立葉(Fourier)正弦圖樣。一金屬之保角層沉積於基板之光電漿耦合表面上，並具位於其中心，電漿子可經該處發射之孔。
简体摘要：本发明揭示一种光学记录媒介，其包含一结晶层，供强化相变记忆层之结晶化之用；一储能层，供辅助相变记忆层之状态转变之用；及／或一改良元素，供增加短波长之吸收及对比之用。以及组成与上述相同之光数据存取系统。此外，一光等离子子耦合透镜包含一可透光基板，其具一光入射表面及一与该光入射表面相对之光等离子子耦合表面。该光等离子子耦合表面包含至少一组环形同心峰／谷，其构成一在环形同心峰／谷径向上之傅里叶(Fourier)正弦图样。一金属之保角层沉积于基板之光等离子耦合表面上，并具位于其中心，等离子子可经该处发射之孔。

4. 发明专利

TW200303926A 包含改質TI-MN2合金之儲氫材料 A HYDROGEN STORAGE MATERIAL INCLUDING A MODIFIED TI-MN2 ALLOY 失效
简体标题：包含改质TI-MN2合金之储氢材料 A HYDROGEN STORAGE MATERIAL INCLUDING A MODIFIED TI-MN2 ALLOY
公开(公告)号：TW200303926A
公开(公告)日：2003-09-16
申请号：TW091134542
申请日：2002-11-28
申请人：力能轉換裝置公司 ENERGY CONVERSION DEVICES, INC.
发明人：史奈德 NED T STETSON , 楊俊 JUNG YANG , 趙世熙 BENJAMIN CHAO , 麥辛科 VITALIY MYASNIKOV , 譚肇升 ZHAOSHENG TAN
IPC分类号： C22C
CPC分类号： C01B3/0031 , C22C14/00 , C22C22/00 , H01M4/383 , Y02E60/327
摘要：一種改質Ti-Mn2儲氫合金，此合金通常由Ti與Mn所構成。用於此合金之通式為：TiQ-XZrXMnZ-YAY，其中A通常為V，Cr，Fe，Ni與Al中之一或多個。A最佳為V，Cr與Fe之一或多個。下標Q較佳介於0.9與1.1之間，且Q最佳為1.0。下標X是介於0.0與0.35之間，X更佳是介於0.1與0.2之間，且X最佳是介於0.1與0.15之間。下標Y較佳介於0.3與1.8之間、Y更佳是介於0.6與1.2之間、Y最佳是介於0.6與1.0之間。下標Z較佳介於1.8與2.1之間、且Z最佳是介於1.8與2.0之間。此合金通常為單相材料、顯示六角形C14Laves相結晶體結構。
简体摘要：一种改质Ti-Mn2储氢合金，此合金通常由Ti与Mn所构成。用于此合金之通式为：TiQ-XZrXMnZ-YAY，其中A通常为V，Cr，Fe，Ni与Al中之一或多个。A最佳为V，Cr与Fe之一或多个。下标Q较佳介于0.9与1.1之间，且Q最佳为1.0。下标X是介于0.0与0.35之间，X更佳是介于0.1与0.2之间，且X最佳是介于0.1与0.15之间。下标Y较佳介于0.3与1.8之间、Y更佳是介于0.6与1.2之间、Y最佳是介于0.6与1.0之间。下标Z较佳介于1.8与2.1之间、且Z最佳是介于1.8与2.0之间。此合金通常为单相材料、显示六角形C14Laves相结晶体结构。

5. 发明专利

TW200809857A 用於模板壓紋成形之快速熱反應的感應加熱系統 RAPID THERMAL RESPONSE INDUCTION HEATING SYSTEM FOR PLATEN EMBOSSING 审中-公开
简体标题：用于模板压纹成形之快速热反应的感应加热系统 RAPID THERMAL RESPONSE INDUCTION HEATING SYSTEM FOR PLATEN EMBOSSING
公开(公告)号：TW200809857A
公开(公告)日：2008-02-16
申请号：TW096115216
申请日：2007-04-30
申请人：力能轉換裝置公司 ENERGY CONVERSION DEVICES, INC.
发明人：韓尼斯 HENNESSEY, MICHAEL
IPC分类号： G11B
CPC分类号： B29C59/022 , B29C2035/0811 , B29C2035/0816 , B29C2059/023 , B29L2017/005
摘要：一種製造光學記憶體微結構用之感應加熱系統,其中在低於10秒之總處理時間內,熱循環允許製程捲材被快速地加熱至鬆弛(relaxation)及迴流(re-flow)溫度,接著冷卻至最佳分離溫度。本明發之快速反應加熱系統,可經由使用一或多個被嵌於壓紋裝置之平板(複數平板)中的旋轉式不對稱感應加熱線圈來達成。
简体摘要：一种制造光学内存微结构用之感应加热系统,其中在低于10秒之总处理时间内,热循环允许制程卷材被快速地加热至松弛(relaxation)及回流(re-flow)温度,接着冷却至最佳分离温度。本明发之快速反应加热系统,可经由使用一或多个被嵌于压纹设备之平板(复数平板)中的旋转式不对称感应加热线圈来达成。

6. 发明专利

TW200732493A 用於在移動基板上形成多晶材料之沉積裝置 DEPOSITION APPARATUS FOR THE FORMATION OF POLYCRYSTALLINE MATERIALS ON MOBILE SUBSTRATES 审中-公开
简体标题：用于在移动基板上形成多晶材料之沉积设备 DEPOSITION APPARATUS FOR THE FORMATION OF POLYCRYSTALLINE MATERIALS ON MOBILE SUBSTRATES
公开(公告)号：TW200732493A
公开(公告)日：2007-09-01
申请号：TW095134503
申请日：2006-09-19
申请人：力能轉換裝置公司 ENERGY CONVERSION DEVICES, INC
发明人：史丹佛 OVSHINSKY, STANFORD R.
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C16/24 , C23C16/545 , H01L27/1214 , H01L29/78603
摘要：用於在一移動的分離或連續之捲式基材上連續沉積一多晶材料(例如多晶矽或多晶矽鍺)層之沉積裝置及方法。裝置包括一供應單元,用於分配一分離或連續之捲式基材,及一沉積單元,接收分離或連續之捲式基材,並在一或多個連續的沉積或處理室中於其上沉積一或多層連續的薄膜層。在一較佳的實施例中,多晶矽經由使用PECVD首先沉積一非晶或微晶矽層,並透過以一或多個雷射、燈、火爐、或其他熱源加熱或退火將該層轉換成多晶矽來形成。利用脈衝式準分子之雷射退火為一較佳的實施例。經由控制處理溫度、非晶或微晶矽層等內部之溫度分布,本沉積裝置提供對多晶矽之晶粒尺寸之控制。多晶矽之保護透過氫電漿之處理而發生。多晶矽鍺層可以類似的方法加以形成。本沉積裝置為包括多晶材料(例如多晶矽及/或多晶矽鍺)之電子裝置及結構之連續沉積提供必要條件。代表性裝置包括光生伏打裝置及薄膜電晶體。本沉積裝置亦供單獨的或與其他金屬、絕緣、及/或半導體層結合的硫屬化合物開關或記憶體材料之連續沉積。
简体摘要：用于在一移动的分离或连续之卷式基材上连续沉积一多晶材料(例如多晶硅或多晶硅锗)层之沉积设备及方法。设备包括一供应单元,用于分配一分离或连续之卷式基材,及一沉积单元,接收分离或连续之卷式基材,并在一或多个连续的沉积或处理室中于其上沉积一或多层连续的薄膜层。在一较佳的实施例中,多晶硅经由使用PECVD首先沉积一非晶或微晶硅层,并透过以一或多个激光、灯、火炉、或其他热源加热或退火将该层转换成多晶硅来形成。利用脉冲式准分子之激光退火为一较佳的实施例。经由控制处理温度、非晶或微晶硅层等内部之温度分布,本沉积设备提供对多晶硅之晶粒尺寸之控制。多晶硅之保护透过氢等离子之处理而发生。多晶硅锗层可以类似的方法加以形成。本沉积设备为包括多晶材料(例如多晶硅及/或多晶硅锗)之电子设备及结构之连续沉积提供必要条件。代表性设备包括光生伏打设备及薄膜晶体管。本沉积设备亦供单独的或与其他金属、绝缘、及/或半导体层结合的硫属化合物开关或内存材料之连续沉积。

7. 发明专利

TW200701224A 用於硫族化物裝置之誤差減少電路 ERROR REDUCTION CIRCUIT FOR CHALCOGENIDE DEVICES 审中-公开
简体标题：用于硫族化物设备之误差减少电路 ERROR REDUCTION CIRCUIT FOR CHALCOGENIDE DEVICES
公开(公告)号：TW200701224A
公开(公告)日：2007-01-01
申请号：TW095106100
申请日：2006-02-23
申请人：力能轉換裝置公司 ENERGY CONVERSION DEVICES, INC.
发明人：歐丹福 OVSHINSKY, STANFORD R. , 寇莫耳 COHEN, MORREL H.
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C13/0004
摘要：本發明揭露出一種使用於硫族化物記憶體與計算裝置之陣列用的誤差減少電路。該誤差減少電路減少與硫族化物裝置之輸出反應相關的誤差。在一較佳實施例中,該輸出反應係為電阻,且該誤差減少電路會減少電阻中的誤差與變動。該誤差減少電路包括硫族化物裝置之網路,其中每一個名義上皆相同,且其中每一個皆被程式化成具有相同公稱(nominal)電阻的相同狀態。在本立即誤差減少電路之網路中複數個裝置的內含物提供用於對輸出回應誤差之動態變動與製造變動兩者貢獻的減少。
简体摘要：本发明揭露出一种使用于硫族化物内存与计算设备之数组用的误差减少电路。该误差减少电路减少与硫族化物设备之输出反应相关的误差。在一较佳实施例中,该输出反应系为电阻,且该误差减少电路会减少电阻中的误差与变动。该误差减少电路包括硫族化物设备之网络,其中每一个名义上皆相同,且其中每一个皆被进程化成具有相同公称(nominal)电阻的相同状态。在本立即误差减少电路之网络中复数个设备的内含物提供用于对输出回应误差之动态变动与制造变动两者贡献的减少。

8. 发明专利

TWI258510B 非引火儲氫合金 NON-PYROPHORIC HYDROGEN STORAGE ALLOY 失效
简体标题：非引火储氢合金 NON-PYROPHORIC HYDROGEN STORAGE ALLOY
公开(公告)号：TWI258510B
公开(公告)日：2006-07-21
申请号：TW091111805
申请日：2002-06-03
申请人：力能轉換裝置公司 ENERGY CONVERSION DEVICES, INC.
发明人：歐史坦 STANFORD R. OVSHINSKY , 楊羅珊 ROSA T. YOUNG , 黃寶泉 BAOQUAN HUANG
IPC分类号： C22C , H01M
CPC分类号： H01M4/383 , C22C22/00 , C22C30/00 , H01M8/065 , Y02E60/327 , Y10S420/90
摘要：本發明揭示一種暴露於周遭空氣下亦不致引火之低溫儲氫合金，特別在即使於氫充/放電期後亦然。
简体摘要：本发明揭示一种暴露于周遭空气下亦不致引火之低温储氢合金，特别在即使于氢充/放电期后亦然。

9. 发明专利

TW200624893A 具有對稱模態場的非對稱光子晶體波導元件 ASYMMETRIC PHOTONIC CRYSTAL WAVEGUIDE ELEMENT HAVING SYMMETRIC MODE FIELDS 审中-公开
简体标题：具有对称模态场的非对称光子晶体波导组件 ASYMMETRIC PHOTONIC CRYSTAL WAVEGUIDE ELEMENT HAVING SYMMETRIC MODE FIELDS
公开(公告)号：TW200624893A
公开(公告)日：2006-07-16
申请号：TW094129419
申请日：2005-08-29
申请人：力能轉換裝置公司 ENERGY CONVERSION DEVICES, INC.
发明人：米羅伯 MILLER, ROBERT O.
IPC分类号： G02B
CPC分类号： G02B6/1225 , B82Y20/00 , G02B6/10
摘要：一種光子晶體板波導(slab photonic crystal waveguide)，其保持導引模態的奇偶性(parity)。該波導包括一光子晶體層，其介於兩介電層之間。該光子晶體層包括形狀非對稱之周期性排列的介電區域，位在周圍介電材料內。該波導經由保持對稱的模態場分布排除了被引入之輸入模態之奇偶性狀態的轉換。經由改變介電層的介電常數，補償與光子晶體層內非對稱周期性排列之介電區域相關之非對稱模態局限化(localization)的傾向，藉以得到對稱的模態場分布。
简体摘要：一种光子晶体板波导(slab photonic crystal waveguide)，其保持导引模态的奇偶性(parity)。该波导包括一光子晶体层，其介于两介电层之间。该光子晶体层包括形状非对称之周期性排列的介电区域，位在周围介电材料内。该波导经由保持对称的模态场分布排除了被引入之输入模态之奇偶性状态的转换。经由改变介电层的介电常数，补偿与光子晶体层内非对称周期性排列之介电区域相关之非对称模态局限化(localization)的倾向，借以得到对称的模态场分布。

10. 发明专利

TWI254299B 光學紀錄媒介與光資料存取系統 OPTICAL RECORDING MEDIUM AND OPTICAL DATA STORAGE AND RETRIEVAL SYSTEM 失效
简体标题：光学纪录媒介与光数据存取系统 OPTICAL RECORDING MEDIUM AND OPTICAL DATA STORAGE AND RETRIEVAL SYSTEM
公开(公告)号：TWI254299B
公开(公告)日：2006-05-01
申请号：TW091119980
申请日：2002-09-02
申请人：力能轉換裝置公司 ENERGY CONVERSION DEVICES, INC.
发明人：歐史坦 STANFORD R. OVSHINSKY , 史大衛 DAVID STRAND , 朱明才 DAVID TSU
IPC分类号： G11B
CPC分类号： B82Y10/00 , G11B7/00454 , G11B7/00557 , G11B7/006 , G11B7/1275 , G11B7/1374 , G11B7/1387 , G11B7/24065 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/251 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2534 , G11B7/257 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
摘要：本發明揭示一種光學記錄媒介，其包含一結晶層，供強化相變記憶層之結晶化之用；一儲能層，供輔助相變記憶層之狀態轉變之用；及/或一改良元素，供增加短波長之吸收及對比之用。以及組成與上述相同之光資料存取系統。此外，一光電漿子耦合透鏡包含一可透光基板，其具一光入射表面及一與該光入射表面相對之光電漿子耦合表面。該光電漿子耦合表面包含至少一組環形同心峰/谷，其構成一在環形同心峰/谷徑向上之傅立葉(Fourier)正弦圖樣。一金屬之保角層沉積於基板之光電漿耦合表面上，並具位於其中心，電漿子可經該處發射之孔。
简体摘要：本发明揭示一种光学记录媒介，其包含一结晶层，供强化相变记忆层之结晶化之用；一储能层，供辅助相变记忆层之状态转变之用；及/或一改良元素，供增加短波长之吸收及对比之用。以及组成与上述相同之光数据存取系统。此外，一光等离子子耦合透镜包含一可透光基板，其具一光入射表面及一与该光入射表面相对之光等离子子耦合表面。该光等离子子耦合表面包含至少一组环形同心峰/谷，其构成一在环形同心峰/谷径向上之傅里叶(Fourier)正弦图样。一金属之保角层沉积于基板之光等离子耦合表面上，并具位于其中心，等离子子可经该处发射之孔。

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