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1. 发明专利

TWI578111B 曝光微影裝置以及曝光微影方法有权
简体标题：曝光微影设备以及曝光微影方法
公开(公告)号：TWI578111B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW102106758
申请日：2013-02-26
申请人：亞得科技工程有限公司 , ADTEC ENGINEERING CO., LTD.
发明人：橋口昭浩 , HASHIGUCHI, AKIHIRO
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/2002 , G03F7/20

2. 发明专利

TWI560529B 曝光微影裝置以及曝光微影方法有权
简体标题：曝光微影设备以及曝光微影方法
公开(公告)号：TWI560529B
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW102103175
申请日：2013-01-28
申请人：亞得科技工程有限公司 , ADTEC ENGINEERING CO., LTD.
发明人：橋口昭浩 , HASHIGUCHI, AKIHIRO , 菊池浩明 , KIKUCHI, HIROAKI , 吉川武志 , YOSHIKAWA, TAKESHI
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70916

3. 发明专利

TWI606307B 曝光微影裝置、曝光微影系統、儲存程式的記錄媒體和曝光微影方法有权
简体标题：曝光微影设备、曝光微影系统、存储进程的记录媒体和曝光微影方法
公开(公告)号：TWI606307B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：TW102134835
申请日：2013-09-26
申请人：亞得科技工程有限公司 , ADTEC ENGINEERING CO., LTD.
发明人：尾崎幸久 , OZAKI, YUKIHISA , 佐藤淳一 , SATOU, JUNICHI
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70

4. 发明专利

TWI573000B 曝光微影裝置以及曝光微影方法有权
简体标题：曝光微影设备以及曝光微影方法
公开(公告)号：TWI573000B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW102109072
申请日：2013-03-14
申请人：亞得科技工程有限公司 , ADTEC ENGINEERING CO., LTD.
发明人：鶴井弘則 , TSURUI, HIRONORI , 橋口昭浩 , HASHIGUCHI, AKIHIRO
IPC分类号： G03F9/00
CPC分类号： G03F7/70716 , G03F9/00

5. 发明专利

TW201443576A 曝光光學系統、曝光頭及曝光裝置审中-公开
简体标题：曝光光学系统、曝光头及曝光设备
公开(公告)号：TW201443576A
公开(公告)日：2014-11-16
申请号：TW103105907
申请日：2014-02-21
申请人：亞得科技工程有限公司 , ADTEC ENGINEERING CO., LTD.
发明人：小森一樹 , KOMORI, KAZUKI
IPC分类号： G03F7/20 , G02B27/00
CPC分类号： G03F7/70275 , G03F7/70291 , G03F7/70308
摘要：本發明提供一種具備對成像光學系統的像差進行修正的微透鏡陣列的曝光光學系統、曝光頭及曝光裝置。曝光光學系統100包括：空間光調變元件34，排列有對來自光源的光B進行調變的畫素部74；微透鏡陣列64，在平面上排列有微透鏡64a，該微透鏡64a對經上述空間光調變元件34調變的光進行聚光；第1成像光學系統52，將經上述空間光調變元件34調變的光B在上述微透鏡陣列64上成像；以及第2成像光學系統58，使經上述微透鏡陣列64聚光的光B在感光材料P上成像，上述微透鏡陣列64對應於自上述第2成像光學系統58的光軸58c算起的距離，而排列有形狀不同的多種微透鏡64a。
简体摘要：本发明提供一种具备对成像光学系统的像差进行修正的微透镜数组的曝光光学系统、曝光头及曝光设备。曝光光学系统100包括：空间光调制组件34，排列有对来自光源的光B进行调制的像素部74；微透镜数组64，在平面上排列有微透镜64a，该微透镜64a对经上述空间光调制组件34调制的光进行聚光；第1成像光学系统52，将经上述空间光调制组件34调制的光B在上述微透镜数组64上成像；以及第2成像光学系统58，使经上述微透镜数组64聚光的光B在感光材料P上成像，上述微透镜数组64对应于自上述第2成像光学系统58的光轴58c算起的距离，而排列有形状不同的多种微透镜64a。

6. 发明专利

TWI623817B 曝光光學系統、曝光頭及曝光裝置有权
简体标题：曝光光学系统、曝光头及曝光设备
公开(公告)号：TWI623817B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：TW103105907
申请日：2014-02-21
申请人：亞得科技工程有限公司 , ADTEC ENGINEERING CO., LTD.
发明人：小森一樹 , KOMORI, KAZUKI
IPC分类号： G03F7/20 , G02B27/00

7. 发明专利

TWI620999B 描繪裝置、曝光描繪裝置、描繪方法及記錄媒體有权
简体标题：描绘设备、曝光描绘设备、描绘方法及记录媒体
公开(公告)号：TWI620999B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW102117818
申请日：2013-05-21
申请人：亞得科技工程有限公司 , ADTEC ENGINEERING CO., LTD.
发明人：菊池浩明 , KIKUCHI, HIROAKI
IPC分类号： G03F9/00 , G03F7/20 , H01L21/027 , H05K3/00
CPC分类号： G03F9/00 , H05K3/0005 , H05K3/341 , H05K3/4679 , H05K2203/166

8. 发明专利

TWI581070B 曝光微影裝置、記錄程式的記錄媒體以及曝光微影方法有权
简体标题：曝光微影设备、记录进程的记录媒体以及曝光微影方法
公开(公告)号：TWI581070B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW102109071
申请日：2013-03-14
申请人：亞得科技工程有限公司 , ADTEC ENGINEERING CO., LTD.
发明人：尾崎幸久 , OZAKI, YUKIHISA
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F9/70 , G03F7/2022

9. 发明专利

TW201437770A 描繪裝置、曝光描繪裝置、記錄程式的記錄媒體及描繪方法审中-公开
简体标题：描绘设备、曝光描绘设备、记录进程的记录媒体及描绘方法
公开(公告)号：TW201437770A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW102144516
申请日：2013-12-05
申请人：亞得科技工程有限公司 , ADTEC ENGINEERING CO., LTD.
发明人：菊池浩明 , KIKUCHI, HIROAKI
IPC分类号： G03F9/00 , H05K3/00 , G06F17/50
CPC分类号： H05K3/0008 , G03F9/00 , H05K3/28 , H05K3/303 , H05K2201/09918 , H05K2203/166
摘要：本發明為一種描繪裝置。該描繪裝置包括：獲取部，獲取下述座標資料：表示設置於被曝光基板的作為多個基準標記於設計上的位置的第1位置的座標資料、表示以第1位置為基準而規定的描繪於被曝光基板上的描繪圖案的座標資料、及表示作為多個基準標記的各自的實際的位置的第2位置的座標資料；導出部，根據第1位置及第2位置而導出表示被曝光基板的應變的大小的物理量，且對多個基準標記的每一個導出針對第1位置及第2位置的偏離的修正量；降低部，物理量越大，則從由導出部導出的各修正量降低越多的量；以及修正部，在以第2位置為基準而對被曝光基板描繪上述描繪圖案的情況下，根據由降低部降低後的修正量來修正表示描繪圖案的座標資料。
简体摘要：本发明为一种描绘设备。该描绘设备包括：获取部，获取下述座标数据：表示设置于被曝光基板的作为多个基准标记于设计上的位置的第1位置的座标数据、表示以第1位置为基准而规定的描绘于被曝光基板上的描绘图案的座标数据、及表示作为多个基准标记的各自的实际的位置的第2位置的座标数据；导出部，根据第1位置及第2位置而导出表示被曝光基板的应变的大小的物理量，且对多个基准标记的每一个导出针对第1位置及第2位置的偏离的修正量；降低部，物理量越大，则从由导出部导出的各修正量降低越多的量；以及修正部，在以第2位置为基准而对被曝光基板描绘上述描绘图案的情况下，根据由降低部降低后的修正量来修正表示描绘图案的座标数据。

10. 发明专利

TWI448026B 驅動半導體雷射的方法及設備、用於導出半導體雷射之驅動電流圖形的方法及設備有权
简体标题：驱动半导体激光的方法及设备、用于导出半导体激光之驱动电流图形的方法及设备
公开(公告)号：TWI448026B
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW095137007
申请日：2006-10-05
申请人：亞得科技工程有限公司 , ADTEC ENGINEERING CO., LTD.
发明人：寺村友一 , TERAMURA, YUICHI
IPC分类号： H01S5/0683 , B41J2/44
CPC分类号： H01S5/0683 , H01S5/0617 , H01S5/4025

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