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1. 发明专利

TWI315043B 積體電路製程與半導體製程的資料分析方法 DATA ANALYSIS METHOD FOR INTEGRATED CIRCUIT PROCESS AND SEMICONDUCTOR PROCESS 有权
简体标题：集成电路制程与半导体制程的数据分析方法 DATA ANALYSIS METHOD FOR INTEGRATED CIRCUIT PROCESS AND SEMICONDUCTOR PROCESS
公开(公告)号：TWI315043B
公开(公告)日：2009-09-21
申请号：TW095120924
申请日：2006-06-13
申请人：聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：張國海 GUOHAI ZHANG , 李啓明 KAY-MING LEE , 杜路營 LU-YING DU , 郭瑞俊 JUI-CHUN KUO
IPC分类号： G06F , H01L
CPC分类号： Y02P90/02
摘要：一種積體電路製程的資料分析方法,適用分析多個產品的測試結果,這些產品至少經過一線上品質測試、一產品測試與一良率測試。此方法是依照線上品質測試的結果,將這些產品劃分為一正常群組與一異常群組,並依照良率測試的結果將這些產品劃分為一合格群組與一不合格群組。然後進行一分類步驟,定義不合格群組與正常群組之交集為第一問題群組,不合格群組與異常群組之交集為第二問題群組。對此二問題群組或其中之一作分析,即可進一步辨認出造成不合格的主要因素,進而改善之以提昇產品良率。
简体摘要：一种集成电路制程的数据分析方法,适用分析多个产品的测试结果,这些产品至少经过一在线品质测试、一产品测试与一良率测试。此方法是依照在线品质测试的结果,将这些产品划分为一正常群组与一异常群组,并依照良率测试的结果将这些产品划分为一合格群组与一不合格群组。然后进行一分类步骤,定义不合格群组与正常群组之交集为第一问题群组,不合格群组与异常群组之交集为第二问题群组。对此二问题群组或其中之一作分析,即可进一步辨认出造成不合格的主要因素,进而改善之以提升产品良率。

2. 发明专利

TW200939475A 半導體元件 SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体组件 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200939475A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：TW097108360
申请日：2008-03-10
申请人：聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：劉裕騰 LIU, YUH TURNG , 王賢愈 WANG, SHYAN YHU
IPC分类号： H01L
摘要：一種半導體元件,其包括多個摻雜區、金屬層與多晶矽層。摻雜區位於基底上。金屬層包括多個金屬線圖案。多晶矽層位於基底與金屬層之間,其包括閘極圖案以及與閘極圖案連接之至少一個護環圖案,其中至少一護環圖案環繞於那些金屬線圖案之至少之一周圍。那些金屬線圖案之一與閘極圖案連接,剩餘之金屬線圖案與其中之一摻雜區連接。
简体摘要：一种半导体组件,其包括多个掺杂区、金属层与多晶硅层。掺杂区位于基底上。金属层包括多个金属线图案。多晶硅层位于基底与金属层之间,其包括闸极图案以及与闸极图案连接之至少一个护环图案,其中至少一护环图案环绕于那些金属线图案之至少之一周围。那些金属线图案之一与闸极图案连接,剩余之金属线图案与其中之一掺杂区连接。

3. 发明专利

TW200939453A 電容結構 CAPACITOR STRUCTURE 审中-公开
简体标题：电容结构 CAPACITOR STRUCTURE
公开(公告)号：TW200939453A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：TW097107684
申请日：2008-03-05
申请人：聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：廖作祥 LIAO, TSUOE HSIANG , 盧火鐵 LU, HUO TIEH , 簡佑芳 CHIEN, YU FANG , 劉志建 LIU, CHIH CHIEN , 郭沛琳 KUO, PEI LIN , 楊玉如 YANG, YU RU
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係關於一種電容結構,包含有一第一電極與一第二電極,且第一電極與第二電極並未電連接。第一電極包含有複數個彼此電連接的第一網狀導電結構,各第一網狀導電結構皆具有相同之佈局圖案。第二電極包含有複數個彼此電連接的第二網狀導電結構,第一網狀導電結構與第二網狀導電結構彼此間隔交疊排列,各第二網狀導電結構皆具有相同之佈局圖案。
简体摘要：本发明系关于一种电容结构,包含有一第一电极与一第二电极,且第一电极与第二电极并未电连接。第一电极包含有复数个彼此电连接的第一网状导电结构,各第一网状导电结构皆具有相同之布局图案。第二电极包含有复数个彼此电连接的第二网状导电结构,第一网状导电结构与第二网状导电结构彼此间隔交叠排列,各第二网状导电结构皆具有相同之布局图案。

4. 发明专利

TW200939393A 一種半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：一种半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200939393A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：TW097107547
申请日：2008-03-04
申请人：聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：丁世汎 TING, SHYH FANN , 黃正同 HUANG, CHENG TUNG , 李坤憲 LEE, KUN HSIEN , 洪文瀚 HUNG, WEN HAN , 吳孟益 WU, MENG YI , 鄭禮賢 JENG, LI SHIAN , 石忠民 SHIH, CHUNG MIN , 鄭子銘 CHENG, TZYY MING , 吳勁昌 WU, JING CHANG , 沈澤民 SHEN, TZERMIN
IPC分类号： H01L
摘要：一種半導體裝置,包含其上定義有主動區域之基材、位於基材上並直接包圍主動區域之淺溝渠隔離、位於主動區域上之閘極、源極與汲極以及位於淺溝渠隔離與主動區域交界處之上方之硬遮罩。
简体摘要：一种半导体设备,包含其上定义有主动区域之基材、位于基材上并直接包围主动区域之浅沟渠隔离、位于主动区域上之闸极、源极与汲极以及位于浅沟渠隔离与主动区域交界处之上方之硬遮罩。

5. 发明专利

TWI314346B 形成阻障層的方法與結構 METHOD FOR FORMING BARRIER LAYER AND STRUCTURE 有权
简体标题：形成阻障层的方法与结构 METHOD FOR FORMING BARRIER LAYER AND STRUCTURE
公开(公告)号：TWI314346B
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：TW092115217
申请日：2003-06-05
申请人：聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：楊玉如 YANG, YU-RU , 黃建中 HUANG, CHIEN-CHUNG
IPC分类号： H01L
摘要：一種形成阻障層的方法,首先在一晶圓之一金屬層上方製作完成一雙鑲嵌結構,其中雙鑲嵌結構包含一第一介電層與一第二介電層,第一介電層中包含一孔洞,第二介電層中包含一溝槽,接著形成一第一鉭金屬層在該雙鑲嵌結構上方,然後形成一氮化鉭層在第一鉭金屬層上,將第一介電層內之孔洞底部上方之氮化鉭層以一離子濺擊方式去除,而被擊出之氮化鉭層中之鉭原子將沉積至第一介電層內之孔洞之側壁,最後在該氮化鉭層上方形成一第二鉭金屬層,其中在第一介電層內孔洞之底部上方僅存第一鉭金屬層與第二鉭金屬層,製作完成後的阻障層將在第一介電層內之孔洞底部具有較低的電阻率與完全阻擋銅金屬原子擴散至介電層的能力。
简体摘要：一种形成阻障层的方法,首先在一晶圆之一金属层上方制作完成一双镶嵌结构,其中双镶嵌结构包含一第一介电层与一第二介电层,第一介电层中包含一孔洞,第二介电层中包含一沟槽,接着形成一第一钽金属层在该双镶嵌结构上方,然后形成一氮化钽层在第一钽金属层上,将第一介电层内之孔洞底部上方之氮化钽层以一离子溅击方式去除,而被击出之氮化钽层中之钽原子将沉积至第一介电层内之孔洞之侧壁,最后在该氮化钽层上方形成一第二钽金属层,其中在第一介电层内孔洞之底部上方仅存第一钽金属层与第二钽金属层,制作完成后的阻障层将在第一介电层内之孔洞底部具有较低的电阻率与完全阻挡铜金属原子扩散至介电层的能力。

6. 发明专利

TW200937507A 晶圓清洗機台 WAFER CLEANING APPARATUS 审中-公开
简体标题：晶圆清洗机台 WAFER CLEANING APPARATUS
公开(公告)号：TW200937507A
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：TW097106513
申请日：2008-02-25
申请人：聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：高明星 KAO, MING HSING , 吳建明 NGO CHIAN-MING , 陳文雄 TAN BOON-SIONG
IPC分类号： H01L
摘要：一種晶圓清洗機台,適用於對晶圓的第一待清洗面進行清洗。晶圓清洗機台包括殼體、旋轉裝置、罩體、至少一個第一條狀噴灑器及至少一個排氣裝置。旋轉裝置配置於殼體內,用以承載晶圓並垂直於地面進行旋轉。罩體配置於殼體中並覆蓋旋轉裝置。第一條狀噴灑器配置於旋轉裝置的一側,用以噴灑一揮發性清洗液至晶圓的第一待清洗面,且所噴灑的揮發性清洗液呈條狀。排氣裝置配置於該殼體的側壁上。
简体摘要：一种晶圆清洗机台,适用于对晶圆的第一待清洗面进行清洗。晶圆清洗机台包括壳体、旋转设备、罩体、至少一个第一条状喷洒器及至少一个排气设备。旋转设备配置于壳体内,用以承载晶圆并垂直于地面进行旋转。罩体配置于壳体中并覆盖旋转设备。第一条状喷洒器配置于旋转设备的一侧,用以喷洒一挥发性清洗液至晶圆的第一待清洗面,且所喷洒的挥发性清洗液呈条状。排气设备配置于该壳体的侧壁上。

7. 发明专利

TWI313905B 射頻測試鍵結構 RADIO FREQUENCY TEST KEY STRUCTURE 有权
简体标题：射频测试键结构 RADIO FREQUENCY TEST KEY STRUCTURE
公开(公告)号：TWI313905B
公开(公告)日：2009-08-21
申请号：TW095137087
申请日：2006-10-05
申请人：聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：李岳勳 LEE, YUE-SHIUN , 陳正雄 CHEN, CHENG-HSIUNG , 郭慈蕙 KUO, TSZ-HUI
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種射頻測試鍵結構,包含有一基底、一底部金屬層與一頂部金屬層。基底上定義有一狹長測試區域,底部金屬層位於狹長測試區域內,且底部金屬層具有一容置開口,以暴露出部分之待測元件。頂部金屬層為一成片狀之金屬墊,位於狹長測試區域內之底部金屬層上方,其中定義有至少二訊號墊區域與至少二接地墊區域。訊號墊區域與接地墊區域係呈單行排列而平行於狹長測試區域。據此,本發明之射頻測試鍵結構可設置於切割道中,並獲得精確之測試結果。
简体摘要：本发明提供一种射频测试键结构,包含有一基底、一底部金属层与一顶部金属层。基底上定义有一狭长测试区域,底部金属层位于狭长测试区域内,且底部金属层具有一容置开口,以暴露出部分之待测组件。顶部金属层为一成片状之金属垫,位于狭长测试区域内之底部金属层上方,其中定义有至少二信号垫区域与至少二接地垫区域。信号垫区域与接地垫区域系呈单行排列而平行于狭长测试区域。据此,本发明之射频测试键结构可设置于切割道中,并获得精确之测试结果。

8. 发明专利

TWI313066B 在內連接系統中的電容器以及其製作方法 CAPACITOR IN AN INTERCONNECT SYSTEM AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF 有权
简体标题：在内连接系统中的电容器以及其制作方法 CAPACITOR IN AN INTERCONNECT SYSTEM AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF
公开(公告)号：TWI313066B
公开(公告)日：2009-08-01
申请号：TW092102732
申请日：2003-02-11
申请人：聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：郝洺音 MING-YIN HAO , 游萃蓉 TRI-RUNG YEW , 陳進來 COMING CHEN , 謝聰敏 TSONG-MINN HSIEH , 彭迺真 NAI-CHEN PENG , 葉日誠 JIH-CHENG YEH
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L28/60 , H01L21/76807 , H01L23/5223 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種電容器及將此電容器結合於內連線系統中的積體元件製作方法。此方法包括提供至少有一層第一金屬線以及一第二金屬線於一絕緣層中,沈積一層堆疊層並加以定義以在第二金屬線上形成一個薄膜堆疊結構,在薄膜堆疊結構、第一金屬線以及絕緣層上形成一層內金屬介電層,然後至少形成第一雙重金屬鑲嵌內聯線以及第二雙重金屬鑲嵌內連線,分別與第一金屬線以及薄膜堆疊結構相接觸。
简体摘要：一种电容器及将此电容器结合于内连接系统中的积体组件制作方法。此方法包括提供至少有一层第一金属线以及一第二金属线于一绝缘层中,沉积一层堆栈层并加以定义以在第二金属在线形成一个薄膜堆栈结构,在薄膜堆栈结构、第一金属线以及绝缘层上形成一层内金属介电层,然后至少形成第一双重金属镶嵌内联线以及第二双重金属镶嵌内连接,分别与第一金属线以及薄膜堆栈结构相接触。

9. 发明专利

TW200934096A 步進馬達的監控系統及監控方法 SYSTEM AND METHOD FOR MONITORING STEP MOTOR 审中-公开
简体标题：步进马达的监控系统及监控方法 SYSTEM AND METHOD FOR MONITORING STEP MOTOR
公开(公告)号：TW200934096A
公开(公告)日：2009-08-01
申请号：TW097102333
申请日：2008-01-22
申请人：聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP. , 龍華科技大學 LUNGHWA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：裘克文 CHIU, KO WEN , 李文猶 LEE, WEN YO , 張凱哲 CHANG, KAI CHE
IPC分类号： H02P
摘要：一種步進馬達監控方法,其中步進馬達重覆下列的動作,從起點位置轉動到終點位置再回歸到起點位置。步進馬達監控方法包括:實時偵測步進馬達的狀態訊號及步進馬達所接收的命令訊號、將命令訊號與狀態訊號的差値隨時間的變化作為誤差資料,並根據命令訊號和狀態訊號來判斷步進馬達是處於從該點位置出發、處於動作中、到達終點位置、或是回歸到起點位置的狀態,當判斷步進馬達處於動作中的狀態時,把此時的誤差資料記錄為追蹤誤差,並根據追蹤誤差來判斷是否要發出警戒。
简体摘要：一种步进马达监控方法,其中步进马达重复下列的动作,从起点位置转动到终点位置再回归到起点位置。步进马达监控方法包括:实时侦测步进马达的状态信号及步进马达所接收的命令信号、将命令信号与状态信号的差値随时间的变化作为误差数据,并根据命令信号和状态信号来判断步进马达是处于从该点位置出发、处于动作中、到达终点位置、或是回归到起点位置的状态,当判断步进马达处于动作中的状态时,把此时的误差数据记录为追踪误差,并根据追踪误差来判断是否要发出警戒。

10. 发明专利

TW200933304A 進行微影製程之方法 METHOD OF PERFORMING LITHOGRAPHIC PROCESSES 审中-公开
简体标题：进行微影制程之方法 METHOD OF PERFORMING LITHOGRAPHIC PROCESSES
公开(公告)号：TW200933304A
公开(公告)日：2009-08-01
申请号：TW097103259
申请日：2008-01-29
申请人：聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：黃啓清 HUANG, CHI CHING , 顏子 YEN, TZU CHING , 羅士杰 LO, SHIH CHIEH , 吳文宗 WU, WEN TSUNG
IPC分类号： G03F , H01L
摘要：本發明提供一種利用具有多平台之微影機台進行晶圓微影製程的方法。首先,提供一微影機台,微影機台包含有一第一晶圓承座與一第二晶圓承座。之後,提供一晶舟至微影機台,晶舟內包含有複數個晶圓,各晶圓皆具有一晶圓編號。接著,設定第一晶圓承座去承載晶圓編號為奇數之晶圓,並且設定第二晶圓承座去承載晶圓編號為偶數之晶圓。其後,利用微影機台分別對各晶圓進行一第一微影製程。
简体摘要：本发明提供一种利用具有多平台之微影机台进行晶圆微影制程的方法。首先,提供一微影机台,微影机台包含有一第一晶圆承座与一第二晶圆承座。之后,提供一晶舟至微影机台,晶舟内包含有复数个晶圆,各晶圆皆具有一晶圆编号。接着,设置第一晶圆承座去承载晶圆编号为奇数之晶圆,并且设置第二晶圆承座去承载晶圆编号为偶数之晶圆。其后,利用微影机台分别对各晶圆进行一第一微影制程。

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