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1. 发明专利

TWI301361B 無線接收機失效
简体标题：无线接收机
公开(公告)号：TWI301361B
公开(公告)日：2008-09-21
申请号：TW092109483
申请日：2003-04-23
申请人：新潟精密股份有限公司 NIIGATA SEIMITSU CO., LTD. , 理光股份有限公司 RICOH COMPANY, LTD.
发明人：烏谷宗宏
IPC分类号： H04B
CPC分类号： H04B1/1661
摘要：本無線接收機具備:雜訊消除器,用於消除來自調頻
檢波電路1之複合信號中所有之脈衝雜訊;立體聲音解調
電路,由雜訊消除器2之輸出信號解調立體信號;以及
VCO(電壓控制振盪器)21,用於輸出做為立體聲音解調電
路3上使用之時鐘信號之基礎之時鐘信號,藉由依據
VCO21所輸出之時鐘信號產生使用於雜訊消除器2中之
CCD15之時鐘信號,使在CCD15使用之時鐘信號與在立
體聲音解調電路3使用之時鐘信號之相位相等而同步,藉
以抑制立體聲音解調電路3之輸出時發生拍頻信號(beat
signal)。
简体摘要：本无线接收机具备:噪声消除器,用于消除来自调频检波电路1之复合信号中所有之脉冲噪声;三維声音解调电路,由噪声消除器2之输出信号解调三維信号;以及 VCO(电压控制振荡器)21,用于输出做为三維声音解调电路3上使用之时钟信号之基础之时钟信号,借由依据 VCO21所输出之时钟信号产生使用于噪声消除器2中之 CCD15之时钟信号,使在CCD15使用之时钟信号与在立体声音解调电路3使用之时钟信号之相位相等而同步,藉以抑制三維声音解调电路3之输出时发生拍频信号(beat signal)。

2. 发明专利

TW200818730A 受信機审中-公开
简体标题：受信机
公开(公告)号：TW200818730A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：TW096135572
申请日：2007-09-21
申请人：新潟精密股份有限公司 NIIGATA SEIMITSU CO., LTD. , 理光股份有限公司 RICHOH CO., LTD.
发明人：池田毅 TAKESHI IKEDA , 宮城弘 HIROSHI MIYAGI
IPC分类号： H04B , H04L
CPC分类号： H04B1/28 , H04B1/001 , H04B1/0014 , H04B1/0025 , H04B1/0032
摘要：本發明之課題為,在使用DSP而實現的超外差架構之接收器中,達成減低消耗電力及縮小電路規模。其解決手段為,把透過天線1所接收到的高頻類比信號,利用第一頻率轉換電路4暫時轉換為低頻類比信號且進行A/D轉換,並在DSP9對藉此所生成的數位信號進行數位信號處理之後返回類比信號,再利用第二頻率轉換電路12進行頻率轉換而成為目標的中頻信號,藉此僅需在A/D轉換器8將比中頻還低的頻率之類比信號進行A/D轉換即可,不需要依據奈奎斯特準則的高速取樣,同時關於DSP9也不需要以高取樣頻率來作動。
简体摘要：本发明之课题为,在使用DSP而实现的超外差架构之接收器中,达成减低消耗电力及缩小电路规模。其解决手段为,把透过天线1所接收到的高频模拟信号,利用第一频率转换电路4暂时转换为低频模拟信号且进行A/D转换,并在DSP9对借此所生成的数码信号进行数码信号处理之后返回模拟信号,再利用第二频率转换电路12进行频率转换而成为目标的中频信号,借此仅需在A/D转换器8将比中频还低的频率之模拟信号进行A/D转换即可,不需要依据奈奎斯特准则的高速采样,同时关于DSP9也不需要以高采样频率来作动。

3. 发明专利

TWI294212B 切換式電容器電路及其半導體積體電路 SWITCHED CAPACITOR CIRCUIT AND SEMI-CONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT THEREOF 有权
简体标题：切换式电容器电路及其半导体集成电路 SWITCHED CAPACITOR CIRCUIT AND SEMI-CONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT THEREOF
公开(公告)号：TWI294212B
公开(公告)日：2008-03-01
申请号：TW093116782
申请日：2004-06-11
申请人：新潟精密股份有限公司 NIIGATA SEIMITSU CO., LTD. , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO
发明人：西牟田武史 NISHIMUTA, TAKEFUMI , 宮城弘 MIYAGI, HIROSHI , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 須川成利 SUGAWA, SHIGETOSHI , 寺本章伸 TERAMOTO, AKINOBU
IPC分类号： H03H
CPC分类号： H01L29/66787 , H01L21/823807 , H01L21/82385 , H01L27/092
摘要：在矽基材上形成高HB、寬WB的直方體狀突出部21，於突出部21的頂面及側壁面的一部分處形成閘極氧化膜，再形成MOS電晶體。如上述所製造之p通道MOS電晶體與n通道MOS電晶體予以並列連接，即構成了切換式電容器電路的開關。經由此，切換式電容器電路的泄放電流、直流偏移皆可減低。
简体摘要：在硅基材上形成高HB、宽WB的直方体状突出部21，于突出部21的顶面及侧壁面的一部分处形成闸极氧化膜，再形成MOS晶体管。如上述所制造之p信道MOS晶体管与n信道MOS晶体管予以并列连接，即构成了切换式电容器电路的开关。经由此，切换式电容器电路的泄放电流、直流偏移皆可减低。

4. 实用新型

TWM318850U 接收機及複合零件 RECEIVER AND COMPOSITE PARTS 失效
简体标题：接收机及复合零件 RECEIVER AND COMPOSITE PARTS
公开(公告)号：TWM318850U
公开(公告)日：2007-09-11
申请号：TW096201484
申请日：2002-06-21
申请人：新潟精密股份有限公司 NIIGATA SEIMITSU CO., LTD. , 理光股份有限公司 RICOH COMPANY, LTD.
发明人：宮城弘 MIYAGI, HIROSHI
IPC分类号： H04B
CPC分类号： H04B15/06 , H04B1/1646
摘要：本創作之目的在於提供一種接收機與複合零件，其係可防止經局部振盪信號之潛洩產生之雜音者。其中該FM接收機係包含有：高頻放大電路(11)、混合電路(12)、局部振盪器(13)、中頻濾波器(14、16)、中頻放大電路(15)、極限電路(17)、FM檢波電路(18)及立體解調電路(19)而構成者。該FM接收機中，混合電路(12)及局部振盪器(13)係構成為於同一基板上形成之單一晶片之複合零件(30)。又，局部振盪信號之頻率係設定成局部振盪信號與調變波信號間各頻率之差小於調變波信號之佔有頻帶寬者。
简体摘要：本创作之目的在于提供一种接收机与复合零件，其系可防止经局部振荡信号之潜泄产生之杂音者。其中该FM接收机系包含有：高频放大电路(11)、混合电路(12)、局部振荡器(13)、中频滤波器(14、16)、中频放大电路(15)、极限电路(17)、FM检波电路(18)及三維解调电路(19)而构成者。该FM接收机中，混合电路(12)及局部振荡器(13)系构成为于同一基板上形成之单一芯片之复合零件(30)。又，局部振荡信号之频率系设置成局部振荡信号与调制波信号间各频率之差小于调制波信号之占有频带宽者。

5. 发明专利

TWI274487B 密碼裝置及方法,密碼系統失效
简体标题：密码设备及方法,密码系统
公开(公告)号：TWI274487B
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：TW092112602
申请日：2003-05-08
申请人：新潟精密股份有限公司 NIIGATA SEIMITSU CO., LTD. , 麥克羅總合研究所股份有限公司 MICRO RESEARCH LABORATORY, INC.
发明人：井澤誠 IZAWA, MAKOTO , 成田宏光 NARITA, HIROMITSU , 岡本明 OKAMOTO, AKIRA
IPC分类号： H04L
CPC分类号： H04L63/0428 , H04L63/0464
摘要：本發明有關於密碼裝置及方法，以及密碼系統。為了在於安裝了密碼軟體之個人電腦7~9之間終端藉由密碼化之保全起見，設置實施密碼化處理及密碼之解碼處理之密碼裝置1，例如連接於未安裝密碼軟體之終端機2~4與個人電腦7~9之間，由而使在於具有未能安裝專用之密碼軟體之終端機2~4之企業內LAN之中也可以利用密碼，於是可以構築(提供)，由外部之不正當之侵入或攻擊而LAN內部之機密資訊之被盜取之危險性少之安全之網路10。
简体摘要：本发明有关于密码设备及方法，以及密码系统。为了在于安装了密码软件之个人电脑7~9之间终端借由密码化之保全起见，设置实施密码化处理及密码之译码处理之密码设备1，例如连接于未安装密码软件之终端机2~4与个人电脑7~9之间，由而使在于具有未能安装专用之密码软件之终端机2~4之企业内LAN之中也可以利用密码，于是可以构筑(提供)，由外部之不正当之侵入或攻击而LAN内部之机密信息之被盗取之危险性少之安全之网络10。

6. 发明专利

TWI272700B 具有高Q値線圈之半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A COIL WITH LARGE VALUE OF Q 失效
简体标题：具有高Q値线圈之半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A COIL WITH LARGE VALUE OF Q
公开(公告)号：TWI272700B
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：TW091114616
申请日：2002-07-02
申请人：新潟精密股份有限公司 NIIGATA SEIMITSU CO., LTD.
发明人：宮城弘 MIYAGI, HIROSHI , 岡本明 OKAMOTO, AKIRA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/06 , H01F17/0006 , H01F27/34 , H01L23/5227 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/08 , H01L28/10 , H01L2223/6611 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05599 , H01L2224/0603 , H01L2224/06179 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2224/49 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/19042 , H01L2924/19104 , H01L2924/30107 , H01Q9/27 , H01L2224/45099
摘要：本發明係以提供一種半導體裝置為目的，該半導體裝置可於半導體基板上形成具有高感應係數及高Q值之線圈。該半導體裝置(10)係由包含有矩形形狀之半導體基板(12)、形成於該半導體基板(12)之四個角部附近的多數墊(20)、沿角部以外各邊之周邊領域所形成之多數墊(30)，及，連接相鄰接之墊(20)間之接合線(40)所構成。利用形成於該角部之墊(20)，沿半導體基板(12)之周圍，藉環繞接合線(40)而形成線圈。
简体摘要：本发明系以提供一种半导体设备为目的，该半导体设备可于半导体基板上形成具有高感应系数及高Q值之线圈。该半导体设备(10)系由包含有矩形形状之半导体基板(12)、形成于该半导体基板(12)之四个角部附近的多数垫(20)、沿角部以外各边之周边领域所形成之多数垫(30)，及，连接相邻接之垫(20)间之接合线(40)所构成。利用形成于该角部之垫(20)，沿半导体基板(12)之周围，藉环绕接合线(40)而形成线圈。

7. 发明专利

TW200607270A 立體分離調整電路及其MOS積體電路 STEREO SEPARATION ADJUSTMENT CIRCUIT AND ITS MOS INTEGRATED CIRCUIT 审中-公开
简体标题：三維分离调整电路及其MOS集成电路 STEREO SEPARATION ADJUSTMENT CIRCUIT AND ITS MOS INTEGRATED CIRCUIT
公开(公告)号：TW200607270A
公开(公告)日：2006-02-16
申请号：TW094120935
申请日：2005-06-23
申请人：豐田自動織機股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOYOTA JIDOSHOKKI , 新潟精密股份有限公司 NIIGATA SEIMITSU CO., LTD.
发明人：青山孝志 AOYAMA, TAKASHI , 宮城弘 MIYAGI, HIROSHI
IPC分类号： H04H , H03D
CPC分类号： H04B1/1646 , H04H40/63
摘要：動態範圍不會變窄，即可調整立體分離。彼此串聯的電阻R1與開關元件SW1、R2與SW2、R3與SW3、…係並聯在輸入合成信號之MOS電晶體Q5與輸入基準電壓之MOS電晶體Q6之源極間。在直流動作中，電阻R1～R5不影響MOS電晶體Q5的輸出電壓，在交流動作時，藉著使並聯之電阻R1～R5的值變化，即可調整分離位準。
简体摘要：动态范围不会变窄，即可调整三維分离。彼此串联的电阻R1与开关组件SW1、R2与SW2、R3与SW3、…系并联在输入合成信号之MOS晶体管Q5与输入基准电压之MOS晶体管Q6之源极间。在直流动作中，电阻R1～R5不影响MOS晶体管Q5的输出电压，在交流动作时，借着使并联之电阻R1～R5的值变化，即可调整分离位准。

8. 发明专利

TWI241786B 直接轉換接收的頻率變換電路,其半導體積體電路及直接轉換接收機 FREQUENCY CONVERSION CIRCUIT FOR DIRECT CONVERSION RECEPTION, SEMI-CONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT THEREOF AND DIRECT CONVERSION RECEIVER 失效
简体标题：直接转换接收的频率变换电路,其半导体集成电路及直接转换接收机 FREQUENCY CONVERSION CIRCUIT FOR DIRECT CONVERSION RECEPTION, SEMI-CONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT THEREOF AND DIRECT CONVERSION RECEIVER
公开(公告)号：TWI241786B
公开(公告)日：2005-10-11
申请号：TW093116770
申请日：2004-06-11
申请人：豐田自動織機股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOYOTA JIDOSHOKKI , 新潟精密股份有限公司 NIIGATA SEIMITSU CO., LTD. , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO
发明人：西牟田武史 NISHIMUTA, TAKEFUMI , 宮城弘 MIYAGI, HIROSHI , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 須川成利 SUGAWA, SHIGETOSHI , 寺本章伸 TERAMOTO, AKINOBU
IPC分类号： H04B
CPC分类号： H01L29/66795 , H01L21/823807 , H01L21/82385 , H01L27/092 , H03D7/1441 , H03D7/1458 , H03D2200/0025 , H03D2200/0033 , H03D2200/0047
摘要：在矽基板上形成高度HB、寬度WB的長方體之凸起部24，而在凸起部24的頂面及側壁面的一部分上閘極氧化膜。在閘極電極26的兩側形成源極和汲極，以形成MOS(金氧半導體)電晶體。以此MOS電晶體構成頻率變換電路及直接轉換的接收電路，依此，可減低在直接轉換接收的頻率變換電路中的I信號和Q的信號之誤差。
简体摘要：在硅基板上形成高度HB、宽度WB的长方体之凸起部24，而在凸起部24的顶面及侧壁面的一部分上闸极氧化膜。在闸极电极26的两侧形成源极和汲极，以形成MOS(金属氧化物半导体)晶体管。以此MOS晶体管构成频率变换电路及直接转换的接收电路，依此，可减低在直接转换接收的频率变换电路中的I信号和Q的信号之误差。

9. 发明专利

TWI229976B 放大電路 AMPLIFICATION CIRCUIT 失效
简体标题：放大电路 AMPLIFICATION CIRCUIT
公开(公告)号：TWI229976B
公开(公告)日：2005-03-21
申请号：TW092123513
申请日：2003-08-27
申请人：豐田自動織機股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOYOTA JIDOSHOKKI , 新潟精密股份有限公司 NIIGATA SEIMITSU CO., LTD.
发明人：勝永浩史 KATSUNAGA, HIROSHI , 宮城弘 MIYAGI, HIROSHI
IPC分类号： H03F
CPC分类号： H03H11/126 , H03F1/26 , H03F1/301 , H03F1/483
摘要：以MOSFET 28所放大之信號，係以低通濾波器41之截止頻率數以下，及高通濾波器42之截止頻率數以上的信號，輸出於次段之放大器。此時，較諸高通濾波器42之截止頻率數為低的頻率數，其之l/f雜訊乃被阻止，而較諸低通濾波器41之截止頻率數為高之高域，其之雜訊亦被阻止。依此，乃可除去l/f雜訊及高域之雜訊，則可放大所希頻率數之信號者。
简体摘要：以MOSFET 28所放大之信号，系以低通滤波器41之截止频率数以下，及高通滤波器42之截止频率数以上的信号，输出于次段之放大器。此时，较诸高通滤波器42之截止频率数为低的频率数，其之l/f噪声乃被阻止，而较诸低通滤波器41之截止频率数为高之高域，其之噪声亦被阻止。依此，乃可除去l/f噪声及高域之噪声，则可放大所希频率数之信号者。

10. 发明专利

TW200511581A MIS電晶體及CMOS電晶體 MIS TRANSISTOR AND CMOS TRANSISTOR 审中-公开
简体标题： MIS晶体管及CMOS晶体管 MIS TRANSISTOR AND CMOS TRANSISTOR
公开(公告)号：TW200511581A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：TW093116779
申请日：2004-06-11
申请人：豐田自動織機股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOYOTA JIDOSHOKKI , 新潟精密股份有限公司 NIIGATA SEIMITSU CO., LTD. , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO
发明人：西牟田武史 NISHIMUTA, TAKEFUMI , 宮城弘 MIYAGI, HIROSHI , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 須川成利 SUGAWA, SHIGETOSHI , 寺本章伸 TERAMOTO, AKINOBU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7851 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L21/82385 , H01L29/045
摘要：本發明是以一種半導體基板形成的MIS電晶體(金屬子半導體)為前提，該MIS電晶體具有：半導體基板(702，910)，對於其主面構成有表面至少有二個相異結晶面的凸部(704，910B)；閘極絕緣膜(708，920B)，於構成前述凸部之表面的至少有二個相異結晶面的各面，至少將其一部份予以覆蓋形成者；閘極電極(706，930B)，其經由前述閘極絕緣膜，於構成前述凸部之表面的至少二個相異結晶面的各面處形成者；及同一導電型擴散領域(710a，710b，910c，910d)，係被形成於前述至少有二個相異結晶面的前述凸部中，且於前述閘極電極之兩側處者。依據這樣的構成，可以抑制元件面積的擴大，增大通道寬度。
简体摘要：本发明是以一种半导体基板形成的MIS晶体管(金属子半导体)为前提，该MIS晶体管具有：半导体基板(702，910)，对于其主面构成有表面至少有二个相异结晶面的凸部(704，910B)；闸极绝缘膜(708，920B)，于构成前述凸部之表面的至少有二个相异结晶面的各面，至少将其一部份予以覆盖形成者；闸极电极(706，930B)，其经由前述闸极绝缘膜，于构成前述凸部之表面的至少二个相异结晶面的各面处形成者；及同一导电型扩散领域(710a，710b，910c，910d)，系被形成于前述至少有二个相异结晶面的前述凸部中，且于前述闸极电极之两侧处者。依据这样的构成，可以抑制组件面积的扩大，增大信道宽度。

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