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1. 发明专利

TW200914634A 提供硫屬元素之方法及裝置 METHOD AND ARRANGEMENT FOR PROVIDING CHALCOGENS 审中-公开
简体标题：提供硫属元素之方法及设备 METHOD AND ARRANGEMENT FOR PROVIDING CHALCOGENS
公开(公告)号：TW200914634A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：TW097134932
申请日：2008-09-11
申请人：中心熱光電股份公司 CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG
发明人：迪特爾施密德 DIETER SCHMID , 藍哈爾德倫茨 REINHARD LENZ , 羅伯特麥克哈爾頓 ROBERT MICHAEL HARTUNG
IPC分类号： C23C , C03C
CPC分类号： C23C14/228 , C03C17/22 , C23C14/0623 , C23C14/50 , C23C14/541 , C23C14/564 , C23C14/5806
摘要：本發明係關於一種以薄層形式提供硫屬元素於基質上的方法及裝置,特別是於使用前驅物層所製備及由任何所欲物質所組成的平面基質上,較佳為在由浮式平板玻璃所組成的基質上。本發明係意欲提供一種非常快速及成本有效的硫屬元素塗佈方法,特別是用於施用在100奈米至10微米範圍內的硫屬元素薄層,或是這些物質的混合物,於平面基質上,及亦提供適合用於進行該方法的裝置。此係由形成用於傳送通道(6)的氧氣密封閉合蓋的進口-及出口-側氣幕於氣相沉積頭(11),引入惰性氣體進入該傳送通道(6)以置換大氣氧,引入一或更多要塗佈基質(3),該基質係溫度調節至預先決定溫度,至加工室(1)的傳送通道(6),引入來自一種來源的硫屬元素蒸氣/載氣混合物至在基質(3)上方的氣相沉積頭的傳送通道(6)及藉由PVD於預先決定壓力形成硒層於基質上,及在經過預先決定加工時間之後移除基質(3)而完成。
简体摘要：本发明系关于一种以薄层形式提供硫属元素于基质上的方法及设备,特别是于使用前驱物层所制备及由任何所欲物质所组成的平面基质上,较佳为在由浮式平板玻璃所组成的基质上。本发明系意欲提供一种非常快速及成本有效的硫属元素涂布方法,特别是用于施用在100奈米至10微米范围内的硫属元素薄层,或是这些物质的混合物,于平面基质上,及亦提供适合用于进行该方法的设备。此系由形成用于发送信道(6)的氧气密封闭合盖的进口-及出口-侧气幕于气相沉积头(11),引入惰性气体进入该发送信道(6)以置换大气氧,引入一或更多要涂布基质(3),该基质系温度调节至预先决定温度,至加工室(1)的发送信道(6),引入来自一种来源的硫属元素蒸气/载气混合物至在基质(3)上方的气相沉积头的发送信道(6)及借由PVD于预先决定压力形成硒层于基质上,及在经过预先决定加工时间之后移除基质(3)而完成。

2. 发明专利

TW200914633A 熱轉換金屬前驅物層至半導體層及/或太陽能模組之方法及裝置 METHOD AND APPARATUS FOR THERMALLY CONVERTING METALLIC PRECURSOR LAYERS INTO SEMICONDUCTOR LAYERS, AND ALSO SOLAR MODULE 审中-公开
简体标题：热转换金属前驱物层至半导体层及/或太阳能模块之方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR THERMALLY CONVERTING METALLIC PRECURSOR LAYERS INTO SEMICONDUCTOR LAYERS, AND ALSO SOLAR MODULE
公开(公告)号：TW200914633A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：TW097134931
申请日：2008-09-11
申请人：中心熱光電股份公司 CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG
发明人：迪特爾施密德 DIETER SCHMID , 藍哈爾德倫茨 REINHARD LENZ , 羅伯特麥克哈爾頓 ROBERT MICHAEL HARTUNG
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： C23C14/228 , C03C17/22 , C23C14/0623 , C23C14/50 , C23C14/541 , C23C14/564 , C23C14/5806
摘要：本發明係關於一種將基質上的金屬前驅物層熱轉換至半導體層的方法,及亦關於一種實行該方法及於基質上製造太陽能模組之裝置。本發明的目的在於提供一種用於將任何所欲基質上的金屬層熱轉換至半傳導層的加速及簡單實現的快速方法,及亦提供一種適合用於執行該方法及用於製造具有高效率的太陽能模組之裝置。此是憑藉至少以金屬前驅物層(10)預先製備的基質(4)於分割為複數個溫度區域的爐子(1)中進行加熱而達到,加熱係在約大氣壓力的壓力下,以複數個步驟加熱至達到400℃及600℃之間的結束溫度之預定溫度及係於包含載氣及蒸氣相硫屬元素的混合物之大氣中轉換至半傳導層並且維持結束溫度。
简体摘要：本发明系关于一种将基质上的金属前驱物层热转换至半导体层的方法,及亦关于一种实行该方法及于基质上制造太阳能模块之设备。本发明的目的在于提供一种用于将任何所欲基质上的金属层热转换至半传导层的加速及简单实现的快速方法,及亦提供一种适合用于运行该方法及用于制造具有高效率的太阳能模块之设备。此是凭借至少以金属前驱物层(10)预先制备的基质(4)于分割为复数个温度区域的炉子(1)中进行加热而达到,加热系在约大气压力的压力下,以复数个步骤加热至达到400℃及600℃之间的结束温度之预定温度及系于包含载气及蒸气相硫属元素的混合物之大气中转换至半传导层并且维持结束温度。

3. 发明专利

TW200824141A 太陽能電池保護方法审中-公开
简体标题：太阳能电池保护方法
公开(公告)号：TW200824141A
公开(公告)日：2008-06-01
申请号：TW096138333
申请日：2007-10-12
申请人：中心熱光電股份公司 CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG
发明人：亞歷山大豪澤爾 ALEXANDER HAUSER , 哈拉爾德旺卡 HARALD WANKA , 湯瑪斯沛爾瑙 THOMAS PERNAU , 羅伯特麥克哈爾頓 ROBERT MICHEAL HARTUNG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/1868 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：本發明係關於矽太陽能電池之製造,尤其是一種使結晶矽太陽能電池鈍化之方法,這種方法是先在一適當的裝置內使結晶矽在溫度影響下經由一擴散過程與磷摻雜,以製成一種二極體,然後利用一種電漿法經由氮化矽沉積使矽表面鈍化及減反射。本發明的目的是提出一種使太陽能電池鈍化的方法,而且這種方法能夠以最小的花費達到使太陽能電池的效能明顯改善的效果。為達到上述目的,本發明提出之方法的特徵是在沉積出氮化矽之前先以乾蝕法在蝕刻電漿中將靠近矽毛胚表面之含有高濃度磷的“死層"去除掉。
简体摘要：本发明系关于硅太阳能电池之制造,尤其是一种使结晶硅太阳能电池钝化之方法,这种方法是先在一适当的设备内使结晶硅在温度影响下经由一扩散过程与磷掺杂,以制成一种二极管,然后利用一种等离子法经由氮化硅沉积使硅表面钝化及减反射。本发明的目的是提出一种使太阳能电池钝化的方法,而且这种方法能够以最小的花费达到使太阳能电池的性能明显改善的效果。为达到上述目的,本发明提出之方法的特征是在沉积出氮化硅之前先以干蚀法在蚀刻等离子中将靠近硅毛胚表面之含有高浓度磷的“死层"去除掉。

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