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81. 发明专利

TWI573862B 化學機械研磨用水系分散體及化學機械研磨方法有权
简体标题：化学机械研磨用水系分散体及化学机械研磨方法
公开(公告)号：TWI573862B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW098103643
申请日：2009-02-05
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：仕田裕貴 , SHIDA, HIROTAKA , 清水崇文 , SHIMIZU, TAKAFUMI , 池田正俊 , IKEDA, MASATOSHI , 窪內翔 , KUBOUCHI, SHOU , 柴田陽介 , SHIBATA, YOUSUKE , 內倉和一 , UCHIKURA, KAZUHITO , 竹村彰浩 , TAKEMURA, AKIHIRO
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , B24B37/11 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , H01L21/31053

82. 发明专利

TWI573847B 化學機械拋光液（一）有权
简体标题：化学机械抛光液（一）
公开(公告)号：TWI573847B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW100134049
申请日：2011-09-22
申请人：安集微電子(上海)有限公司
发明人：宋偉紅 , 姚穎
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , C23F3/06 , C23F11/14 , C23F11/167 , C23F11/173 , H01L21/3213
CPC分类号： C09G1/02 , H01L21/3212

83. 发明专利

TW201708492A 研磨用組成物及矽基板之研磨方法审中-公开
简体标题：研磨用组成物及硅基板之研磨方法
公开(公告)号：TW201708492A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105107588
申请日：2016-03-11
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：村瀬雄彦 , MURASE, TAKEHIKO , 西村彩 , NISHIMURA, AYA , 髙橋修平 , TAKAHASHI, SHUHEI , 田畑誠 , TABATA, MAKOTO , 森嘉男 , MORI, YOSHIO
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/00 , C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/304
摘要：提供一種可實現兼具良好的表面品質與高研磨速度的研磨用組成物及矽基板之研磨方法。本發明之研磨用組成物，其係含有：研磨粒；鹼性化合物；含多重鍵的化合物及含陰離子性基的化合物之中之至少1種。鹼性化合物係包含鹼金屬氫氧化物、鹼金屬碳酸氫鹽、鹼金屬碳酸鹽、環狀化合物、離子性化合物、及環狀二胺化合物之中之至少1種。
简体摘要：提供一种可实现兼具良好的表面品质与高研磨速度的研磨用组成物及硅基板之研磨方法。本发明之研磨用组成物，其系含有：研磨粒；碱性化合物；含多重键的化合物及含阴离子性基的化合物之中之至少1种。碱性化合物系包含碱金属氢氧化物、碱金属碳酸氢盐、碱金属碳酸盐、环状化合物、离子性化合物、及环状二胺化合物之中之至少1种。

84. 发明专利

TWI570198B 硏磨用組成物有权
简体标题：研磨用组成物
公开(公告)号：TWI570198B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW102112847
申请日：2013-04-11
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：玉田修一 , TAMADA, SHUICHI
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC分类号： C09G1/02 , B24B1/00 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/30625

85. 发明专利

TW201700707A 研磨用組成物审中-公开
简体标题：研磨用组成物
公开(公告)号：TW201700707A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105108842
申请日：2016-03-22
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：大西正悟 , ONISHI, SHOGO , 佐藤剛樹 , SATO, TAKEKI , 吉幸信 , YOSHIZAKI, YUKINOBU , 坂部晃一 , SAKABE, KOICHI
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , B24B37/00 , H01L21/304 , H01L21/3105
CPC分类号： C09G1/02 , B24B37/00 , B24B37/044 , C09K3/14 , H01L21/31053
摘要：本發明之目的在於提供研磨用組成物，其可充分提高氧化矽膜等之具有矽-氧鍵之研磨對象物之研磨速度或氮化矽膜等之具有矽-氮鍵之研磨對象物之研磨速度。本發明提供一種研磨用組成物，其具有(1)有機化合物，其具有對具有矽-氧鍵或矽-氮鍵之研磨對象物相互作用之作用部位、與使研磨前述研磨對象物之研磨成分接近前述研磨對象物之促進部位；(2)研磨粒；(3)分散介質。
简体摘要：本发明之目的在于提供研磨用组成物，其可充分提高氧化硅膜等之具有硅-氧键之研磨对象物之研磨速度或氮化硅膜等之具有硅-氮键之研磨对象物之研磨速度。本发明提供一种研磨用组成物，其具有(1)有机化合物，其具有对具有硅-氧键或硅-氮键之研磨对象物相互作用之作用部位、与使研磨前述研磨对象物之研磨成分接近前述研磨对象物之促进部位；(2)研磨粒；(3)分散介质。

86. 发明专利

TWI563073B 用於拋光硬磁碟表面之ＣＭＰ組成物及方法有权
简体标题：用于抛光硬磁盘表面之ＣＭＰ组成物及方法
公开(公告)号：TWI563073B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：TW104116834
申请日：2015-05-26
申请人：卡博特微電子公司 , CABOT MICROELECTRONICS CORPORATION
发明人：帕拉尼沙米欽納桑比習爾瓦拉傑 , PALANISAMY CHINNATHAMBI, SELVARAJ , 田露 , TIAN, LU
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , B24B29/02 , B24B37/00 , G11B5/84
CPC分类号： G11B5/8404 , C09K3/1463

87. 发明专利

TW201643001A 裁剪工具磨利液审中-公开
公开(公告)号：TW201643001A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW104118298
申请日：2015-06-05
申请人：林安琪
发明人：林安琪
IPC分类号： B24B53/017 , C09G1/02
摘要：一種裁剪工具磨利液，主要係將適當比例之工業鑽石、油石、油沙、鋼油、氫土、針車油及油精，予以充分均勻混合後形成液狀，以構成磨利液，再經由裝瓶俾利於攜帶。於使用時，將磨利液點注於電剪、剪刀等裁剪工具之刀刃部，使刀刃部得以更為鋒利且具有光滑之效果，進而使電剪、剪刀等裁剪工具的磨利更為方便，免除習知以研磨方式恢復鋒利之麻煩及易鈍之缺點。
简体摘要：一种裁剪工具磨利液，主要系将适当比例之工业钻石、油石、油沙、钢油、氢土、针车油及油精，予以充分均匀混合后形成液状，以构成磨利液，再经由装瓶俾利于携带。于使用时，将磨利液点注于电剪、剪刀等裁剪工具之刀刃部，使刀刃部得以更为锋利且具有光滑之效果，进而使电剪、剪刀等裁剪工具的磨利更为方便，免除习知以研磨方式恢复锋利之麻烦及易钝之缺点。

88. 发明专利

TWI561622B 膠態氧化矽化學機械拋光組合物有权
简体标题：胶态氧化硅化学机械抛光组合物
公开(公告)号：TWI561622B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW104120494
申请日：2015-06-25
申请人：卡博特微電子公司 , CABOT MICROELECTRONICS CORPORATION
发明人：古朗班史提芬 , GRUMBINE, STEVEN , 戴沙爾德傑夫瑞 , DYSARD, JEFFREY , 沈忠良 , SHEN, ZHONGLIANG , 卡瓦納芙瑪麗 , CAVANAUGH, MARY
IPC分类号： C09K3/14 , C01B33/14 , C09G1/02 , C09G1/18 , H01L21/321 , H01L21/3105 , H01L21/304 , B24B37/00
CPC分类号： C09G1/02 , B24B1/00 , B24B37/044 , C09G1/00 , C09G1/04 , C09G1/06 , C09K3/1436 , C09K3/1454 , C09K3/1463 , H01L21/30625 , H01L21/31053 , H01L21/3212

89. 发明专利

TW201641421A 氧化矽系複合微粒子分散液、其製造方法及含有氧化矽系複合微粒子分散液的研磨用漿液审中-公开
简体标题：氧化硅系复合微粒子分散液、其制造方法及含有氧化硅系复合微粒子分散液的研磨用浆液
公开(公告)号：TW201641421A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105110269
申请日：2016-03-31
申请人：日揮觸媒化成股份有限公司 , JGC CATALYSTS AND CHEMICALS LTD.
发明人：俵迫祐二 , TAWARAZAKO, YUJI , 若宮義憲 , WAKAMIYA, YOSHINORI , 柏田真吾 , KASHIWADA, SHINGO , 井上一昭 , INOUE, KAZUAKI , 中山和洋 , NAKAYAMA, KAZUHIRO , 小松通郎 , KOMATSU, MICHIO
IPC分类号： C01B33/113 , C09K3/14 , C09G1/02 , B24B37/00 , H01L21/304 , C09C1/28 , C09C3/04 , C09C3/06
CPC分类号： C01B33/149 , B24B37/00 , C01B33/1417 , C01B33/146 , C09G1/02 , C09K3/14 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , H01L21/304
摘要：本發明之課題係提供一種氧化矽系複合微粒子分散液，即便為氧化矽膜、Si晶圓、難加工材亦能夠以高速研磨，同時可達成高面精度(低刮痕等)，而且不含有不純物，故能夠適宜使用於半導體基板、配線基板等半導體元件表面之研磨。藉由具備下述的特徵之含有氧化矽系複合微粒子的氧化矽系複合微粒子分散液而解決上述課題，其中該氧化矽系複合微粒子係以結晶性氧化鈰作為主成分之子粒子結合在以非晶質氧化矽作為主成分之母粒子的表面，而且具有將該等覆蓋的氧化矽被膜。母粒子與子粒子之質量比為特定範圍。供予X射線繞射時，僅氧化鈰的結晶相被檢測出。結晶性氧化鈰的(111)面(2 θ=28度附近)之微晶直徑為特定範圍。Na等的含有率較低。氧化矽被膜的Si原子數%對Ce原子數%之比為特定範圍。
简体摘要：本发明之课题系提供一种氧化硅系复合微粒子分散液，即便为氧化硅膜、Si晶圆、难加工材亦能够以高速研磨，同时可达成高面精度(低刮痕等)，而且不含有不纯物，故能够适宜使用于半导体基板、配线基板等半导体组件表面之研磨。借由具备下述的特征之含有氧化硅系复合微粒子的氧化硅系复合微粒子分散液而解决上述课题，其中该氧化硅系复合微粒子系以结晶性氧化铈作为主成分之子粒子结合在以非晶质氧化硅作为主成分之母粒子的表面，而且具有将该等覆盖的氧化硅被膜。母粒子与子粒子之质量比为特定范围。供予X射线绕射时，仅氧化铈的结晶相被检测出。结晶性氧化铈的(111)面(2 θ=28度附近)之微晶直径为特定范围。Na等的含有率较低。氧化硅被膜的Si原子数%对Ce原子数%之比为特定范围。

90. 发明专利

TW201639785A 用於移除氮化矽之化學機械拋光（ＣＭＰ）組合物审中-公开
简体标题：用于移除氮化硅之化学机械抛光（ＣＭＰ）组合物
公开(公告)号：TW201639785A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW105103564
申请日：2016-02-03
申请人：卡博特微電子公司 , CABOT MICROELECTRONICS CORPORATION
发明人：黃宏聰 , HUANG, HUNG TSUNG , 葉銘智 , YEH, MING CHIH , 蔡智斌 , TSAI, CHIH PIN
IPC分类号： C01B33/141 , C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/304
CPC分类号： C09G1/04 , C09D1/02 , C09G1/00 , C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/304 , H01L21/30625 , H01L21/31053 , H01L21/3212
摘要：本發明提供一種化學機械拋光組合物，其包含：(a)膠態二氧化矽粒子，其經選自Mg、Ca、Al、B、Be及其組合之金屬離子表面改質，且其中該等膠態二氧化矽粒子之表面羥基密度為每平方奈米該等粒子之表面積約1.5個羥基至約8個羥基，(b)陰離子界面活性劑，(c)緩衝劑及(d)水，其中該拋光組合物之pH為約2至約7，且其中該拋光組合物實質上不含氧化金屬之氧化劑。本發明進一步提供一種用本發明化學機械拋光組合物對基板進行化學機械拋光之方法。通常，該基板含有氮化矽、氧化矽及/或多晶矽。
简体摘要：本发明提供一种化学机械抛光组合物，其包含：(a)胶态二氧化硅粒子，其经选自Mg、Ca、Al、B、Be及其组合之金属离子表面改质，且其中该等胶态二氧化硅粒子之表面羟基密度为每平方奈米该等粒子之表面积约1.5个羟基至约8个羟基，(b)阴离子界面活性剂，(c)缓冲剂及(d)水，其中该抛光组合物之pH为约2至约7，且其中该抛光组合物实质上不含氧化金属之氧化剂。本发明进一步提供一种用本发明化学机械抛光组合物对基板进行化学机械抛光之方法。通常，该基板含有氮化硅、氧化硅及/或多晶硅。

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