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81. 发明专利

TWI524555B 發光二極體之分流層配置有权
简体标题：发光二极管之分流层配置
公开(公告)号：TWI524555B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW100128409
申请日：2011-08-09
申请人：皇家飛利浦電子股份有限公司 , KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.
发明人：洛培茲東尼 , LOPEZ, TONI , 艾爾達茲拉菲爾伊格奈修 , ALDAZ, RAFAEL IGNACIO
IPC分类号： H01L33/36

82. 发明专利

TWI523270B 無電極遮光的發光二極體及其製作方法有权
简体标题：无电极遮光的发光二极管及其制作方法
公开(公告)号：TWI523270B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW102117024
申请日：2013-05-14
申请人：國立中興大學 , NATIONAL CHUNG-HSING UNIVERSITY
发明人：洪瑞華 , 武東星 , WU, DONG SING
IPC分类号： H01L33/36

83. 发明专利

TWI523269B 發光元件有权
简体标题：发光组件
公开(公告)号：TWI523269B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW101111652
申请日：2012-03-30
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳世益 , CHEN, SHIH I , 陳威佑 , CHEN, WEI YO , 陳怡名 , CHEN, YI MING , 林敬倍 , LIN, CHING PEI , 李宗憲 , LEE, TSUNG XIAN
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/42 , H01L33/382 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

84. 发明专利

TWI520378B 覆晶式發光二極體及其應用有权
简体标题：覆晶式发光二极管及其应用
公开(公告)号：TWI520378B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW101138866
申请日：2012-10-22
申请人：錸鑽科技股份有限公司 , RITEDIA CORPORATION
发明人：甘明吉 , KAN, MING CHI , 宋健民 , SUNG, CHIEN MIN , 蔡百揚 , TSAI, PAI YANG
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L2224/14 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/00

85. 发明专利

TWI519657B 發光二極體陽極反射層以及用於所述反射層的合金材料有权
简体标题：发光二极管阳极反射层以及用于所述反射层的合金材料
公开(公告)号：TWI519657B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW103131454
申请日：2014-09-11
申请人：上海和輝光電有限公司 , EVERDISPLAY OPTRONICS (SHANGHAI) LIMITED
发明人：寇浩 , KOU, HAO
IPC分类号： C22C5/06 , C22C21/00 , H01L33/36 , H01L33/46

86. 发明专利

TW201605071A 發光元件审中-公开
简体标题：发光组件
公开(公告)号：TW201605071A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104134854
申请日：2013-12-18
申请人：新世紀光電股份有限公司 , GENESIS PHOTONICS INC.
发明人：黃逸儒 , HUANG, YI RU , 吳志凌 , WU, CHIH LING , 羅玉雲 , LO, YU YUN , 黃靖恩 , HUANG, JING EN , 丁紹瀅 , TING, SHAO YING
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/62
摘要：一種發光元件，包括一基板、一半導體結構層、一第一電極、一第二電極、一第三電極及一連接層。半導體結構層配置於基板上且區分為一第一半導體結構層與一第二半導體結構層。第一與第二半導體結構層分別具有一發光層、一第一型半導體層及一第二型半導體層。第一電極連接第一半導體結構層的第二型半導體層。第二電極連接第二半導體結構層的第一型半導體層。第一電極與第二電極相互電性連接。第三電極連接第一半導體結構層的第一型半導體層。連接層連接第一半導體結構層的第一型半導體層與第二半導體結構層的第二型半導體層。
简体摘要：一种发光组件，包括一基板、一半导体结构层、一第一电极、一第二电极、一第三电极及一连接层。半导体结构层配置于基板上且区分为一第一半导体结构层与一第二半导体结构层。第一与第二半导体结构层分别具有一发光层、一第一型半导体层及一第二型半导体层。第一电极连接第一半导体结构层的第二型半导体层。第二电极连接第二半导体结构层的第一型半导体层。第一电极与第二电极相互电性连接。第三电极连接第一半导体结构层的第一型半导体层。连接层连接第一半导体结构层的第一型半导体层与第二半导体结构层的第二型半导体层。

87. 发明专利

TW201602363A Ａｇ合金膜及Ａｇ合金膜形成用濺鍍靶审中-公开
简体标题：Ａｇ合金膜及Ａｇ合金膜形成用溅镀靶
公开(公告)号：TW201602363A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104109561
申请日：2015-03-25
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：野中荘平 , NONAKA, SOHEI , 小見山昌三 , KOMIYAMA, SHOZO , 歳森悠人 , TOSHIMORI, YUTO
IPC分类号： C22C5/06 , C23C14/34 , H01L33/36 , G02F1/1343
CPC分类号： C22C5/06 , C23C14/165 , C23C14/3414 , H01B1/02
摘要：本發明之Ag合金膜係含有0.1質量%以上1.5質量%以下之In、1質量ppm以上50質量ppm以下之Cu，其餘部分由Ag與不可避免之雜質所成。本發明之濺鍍靶係含有0.1質量%以上1.5質量%以下之In、1質量ppm以上50質量ppm以下之Cu，其餘部分由Ag與不可避免之雜質所成，且氧濃度未達50質量ppm，濺鍍面的面積為0.25m2以上，Cu的面內濃度分佈DCu(=(σCu/μCu)×100)為40%以下。
简体摘要：本发明之Ag合金膜系含有0.1质量%以上1.5质量%以下之In、1质量ppm以上50质量ppm以下之Cu，其余部分由Ag与不可避免之杂质所成。本发明之溅镀靶系含有0.1质量%以上1.5质量%以下之In、1质量ppm以上50质量ppm以下之Cu，其余部分由Ag与不可避免之杂质所成，且氧浓度未达50质量ppm，溅镀面的面积为0.25m2以上，Cu的面内浓度分布DCu(=(σCu/μCu)×100)为40%以下。

88. 发明专利

TWI509834B 發光二極體封裝結構及其製造方法失效
简体标题：发光二极管封装结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI509834B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW102112273
申请日：2013-04-08
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：林厚德 , LIN, HOU TE , 陳濱全 , CHEN, PIN CHUAN , 陳隆欣 , CHEN, LUNG HSIN
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/48
CPC分类号： H01L33/60 , H01L24/97 , H01L33/62 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/12041 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

89. 发明专利

TW201543718A 發光二極體元件的製造方法审中-公开
简体标题：发光二极管组件的制造方法
公开(公告)号：TW201543718A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW104125817
申请日：2011-11-29
申请人：新世紀光電股份有限公司 , GENESIS PHOTONICS INC.
发明人：羅玉雲 , LO, YU YUN , 吳志凌 , WU, CHIH LING , 黃逸儒 , HUANG, YI RU , 林子暘 , LIN, TZU YANG , 李允立 , LI, YUN LI
IPC分类号： H01L33/36
摘要：本發明係有關於一種發光二極體元件及覆晶式發光二極體封裝元件，本發明提供一種發光二極體元件，發光二極體元件倒覆於一封裝基板並與其電性連接，而形成覆晶式發光二極體封裝元件。發光二極體元件主要於一第二型摻雜層及一反射層之間設置一歐姆接觸層及一平坦緩衝層，歐姆接觸層提升第二型摻雜層與反射層間之歐姆接觸特性，而且不影響發光二極體元件及覆晶式發光二極體封裝元件之發光效率。平坦緩衝層設置於歐姆接觸層與反射層之間，可平整歐姆接觸層，使反射層可平整地附著於平坦緩衝層，可使反射層達到鏡面反射之效果，並減少反射光源產生散射的現象。
简体摘要：本发明系有关于一种发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装元件，本发明提供一种发光二极管组件，发光二极管组件倒覆于一封装基板并与其电性连接，而形成覆晶式发光二极管封装组件。发光二极管组件主要于一第二型掺杂层及一反射层之间设置一欧姆接触层及一平坦缓冲层，欧姆接触层提升第二型掺杂层与反射层间之欧姆接触特性，而且不影响发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件之发光效率。平坦缓冲层设置于欧姆接触层与反射层之间，可平整欧姆接触层，使反射层可平整地附着于平坦缓冲层，可使反射层达到镜面反射之效果，并减少反射光源产生散射的现象。

90. 发明专利

TW201539789A 發光裝置审中-公开
简体标题：发光设备
公开(公告)号：TW201539789A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW103112952
申请日：2014-04-08
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：黃啟豪 , HUANG, CHI HAO , 劉秀凰 , LIU, SIOU HUANG , 余子強 , YU, TZ CHIANG , 富振華 , FU, JENNHWA
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/145 , H01L33/38 , H01L33/62
摘要：一種發光裝置，包含：一發光疊層包含一第一表面及一第二表面相對第一表面，發光疊層發出一光線具有介於365奈米及550奈米之間的波長；以及一第一電極形成於第一表面上且包含一第一金屬層及一第二金屬層反覆交疊，其中第一電極具有一相對光線之反射率大於95%，且第一金屬層之熱穩定性高於第二金屬層，而第二金屬層對於光線之反射率高於第一金屬層。
简体摘要：一种发光设备，包含：一发光叠层包含一第一表面及一第二表面相对第一表面，发光叠层发出一光线具有介于365奈米及550奈米之间的波长；以及一第一电极形成于第一表面上且包含一第一金属层及一第二金属层反复交叠，其中第一电极具有一相对光线之反射率大于95%，且第一金属层之热稳定性高于第二金属层，而第二金属层对于光线之反射率高于第一金属层。

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