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81. 发明专利

TW202022154A 非UV高硬度低介電常數膜沉積审中-公开
简体标题：非UV高硬度低介电常数膜沉积
公开(公告)号：TW202022154A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108130726
申请日：2019-08-28
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：穆克吉蕭納克 , MUKHERJEE, SHAUNAK , 謝波 , XIE, BO , 卓忠堅 , CHO, KEVIN MICHAEL , 任康樹 , YIM, KANG SUB , 帕奇迪尼斯 , PADHI, DEENESH , 加格亞絲莎 , GARG, ASTHA
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/448 , C23C16/458 , C23C16/505 , C23C16/52
摘要：本文所述的實施例提供藉由電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)處理形成具有高硬度的低k碳摻雜氧化矽(CDO)層的方法。此方法包括以載氣流率提供載氣和以前驅物流率提供CDO前驅物至處理腔室。以一功率位準與一頻率將射頻(RF)功率施加至CDO前驅物。CDO層沉積在處理腔室內的基板上。
简体摘要：本文所述的实施例提供借由等离子辅助化学气相沉积(PECVD)处理形成具有高硬度的低k碳掺杂氧化硅(CDO)层的方法。此方法包括以载气流率提供载气和以前驱物流率提供CDO前驱物至处理腔室。以一功率位准与一频率将射频(RF)功率施加至CDO前驱物。CDO层沉积在处理腔室内的基板上。

82. 发明专利

TWI675931B 用於以電漿輔助原子層沉積法形成由至少五種元素構成的多元薄膜的方法有权
简体标题：用于以等离子辅助原子层沉积法形成由至少五种元素构成的多元薄膜的方法
公开(公告)号：TWI675931B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：TW105104453
申请日：2016-02-16
申请人：美商ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：深澤篤毅 , FUKAZAWA, ATSUKI , 福田秀明 , FUKUDA, HIDEAKI
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/448 , C23C16/452 , C23C16/455

83. 发明专利

TWI670275B 用於鈷之化學氣相沉積的鹵炔基六羰基二鈷前驅物有权
简体标题：用于钴之化学气相沉积的卤炔基六羰基二钴前驱物
公开(公告)号：TWI670275B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW106140703
申请日：2017-11-23
申请人：美商恩特葛瑞斯股份有限公司 , ENTEGRIS, INC.
发明人：韓相範 , HAN, SANGBUM , 張守奉 , CHANG, SEOBONG , 朴載英 , PARK, JAEEON , 漢迪克斯布萊恩克拉克 , HENDRIX, BRYAN CLARK , 包姆湯瑪斯 , BAUM, THOMAS
IPC分类号： C07F15/06 , C23C16/16 , C23C16/18 , C23C16/448 , C23C16/455

84. 实用新型

TWM582684U 電漿化學氣相沉積處理之承載裝置結構改良有权
简体标题：等离子化学气相沉积处理之承载设备结构改良
公开(公告)号：TWM582684U
公开(公告)日：2019-08-21
申请号：TW108204110
申请日：2019-04-03
申请人：御新科技股份有限公司
发明人：曾士修
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/02 , H01L23/32 , H01L23/15 , C23C16/448 , C23C16/44 , C23C16/54 , C23C16/52

85. 发明专利

TW201835981A 氣體控制系統、成膜裝置、存儲介質和氣體控制方法审中-公开
简体标题：气体控制系统、成膜设备、存储介质和气体控制方法
公开(公告)号：TW201835981A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107108102
申请日：2018-03-09
申请人：日商堀場STEC股份有限公司 , HORIBA STEC, CO., LTD.
发明人：坂口有平 , SAKAGUCHI, YUHEI , 志水徹 , SHIMIZU, TORU , 南雅和 , MINAMI, MASAKAZU , 林大介 , HAYASHI, DAISUKE
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/448
摘要：本發明涉及氣體控制系統、成膜裝置、存儲介質和氣體控制方法，容易控制從容器匯出的材料氣體的總量。氣體控制系統向收容有材料的容器(10)導入載氣，並且將材料氣化後的材料氣體與載氣一起從容器(10)匯出，氣體控制系統具有控制部(60)，控制部(60)控制載氣的流量，使濃度指標值接近預先確定的目標濃度指標值，濃度指標值直接或間接表示測量從容器(10)匯出的混合氣體而得到的混合氣體中的材料氣體濃度，控制部(60)在進行控制載氣的流量以規定變化率變化的第一控制後進行第二控制，第二控制基於濃度指標值和目標濃度指標值的偏差來控制載氣的流量。
简体摘要：本发明涉及气体控制系统、成膜设备、存储介质和气体控制方法，容易控制从容器导出的材料气体的总量。气体控制系统向收容有材料的容器(10)导入载气，并且将材料气化后的材料气体与载气一起从容器(10)导出，气体控制系统具有控制部(60)，控制部(60)控制载气的流量，使浓度指针值接近预先确定的目标浓度指针值，浓度指针值直接或间接表示测量从容器(10)导出的混合气体而得到的混合气体中的材料气体浓度，控制部(60)在进行控制载气的流量以规定变化率变化的第一控制后进行第二控制，第二控制基于浓度指针值和目标浓度指针值的偏差来控制载气的流量。

86. 发明专利

TW201835112A 通過熱絲化學氣相沉積來沉積用於感測器應用之聚合物層的方法审中-公开
简体标题：通过热丝化学气相沉积来沉积用于传感器应用之聚合物层的方法
公开(公告)号：TW201835112A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW106143090
申请日：2017-12-08
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：奈克柯林 , NEIKIRK, COLIN , 美林克尤瑞 , MELNIK, YURIY , 那瓦卡普萊文K , NARWANKAR, PRAVIN K.
IPC分类号： C08F2/34 , C23C16/448 , C23C16/452 , H01L21/02
摘要：本揭露內容關於沉積聚合物層的方法，包括：提供具有感測器結構配置於基板上的基板至熱絲化學氣相沉積(HWCVD)腔室中的基板支撐件；提供包括起始劑氣體與單體氣體與載氣的處理氣體至HWCVD腔室；加熱配置於HWCVD腔室中的複數個細絲至足以激活起始劑氣體而未分解單體氣體的第一溫度；及暴露基板至來自激活起始劑氣體的起始劑自由基與單體氣體以沉積聚合物層在感測器結構頂上。
简体摘要：本揭露内容关于沉积聚合物层的方法，包括：提供具有传感器结构配置于基板上的基板至热丝化学气相沉积(HWCVD)腔室中的基板支撑件；提供包括起始剂气体与单体气体与载气的处理气体至HWCVD腔室；加热配置于HWCVD腔室中的复数个细丝至足以激活起始剂气体而未分解单体气体的第一温度；及暴露基板至来自激活起始剂气体的起始剂自由基与单体气体以沉积聚合物层在传感器结构顶上。

87. 发明专利

TWI632149B 第III A族金屬的三烷基化合物之製法有权
简体标题：第III A族金属的三烷基化合物之制法
公开(公告)号：TWI632149B
公开(公告)日：2018-08-11
申请号：TW101144306
申请日：2012-11-27
申请人：烏明克股份有限兩合公司 , UMICORE AG & CO. KG
发明人：卡期羅夫 , KARCH, RALF , 瑞法斯納斯安德烈斯 , RIVAS-NASS, ANDREAS , 佛瑞安尼卡 , FREY, ANNIKA , 伯克特托比斯 , BURKERT, TOBIAS , 沃納伊琳 , WOERNER, EILEEN , 多普安吉利諾 , DOPPIU, ANGELINO
IPC分类号： C07F5/00 , C23C16/448

88. 发明专利

TWI625417B 膜形成方法有权
公开(公告)号：TWI625417B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106115213
申请日：2017-05-09
申请人：菲爾科技股份有限公司 , PHILTECH INC.
发明人：古村雄二 , FURUMURA, YUJI , 清水紀嘉 , SHIMIZU, NORIYOSHI , 西原晋治 , NISHIHARA, SHINJI , 拝形英里 , HAIKATA, ERI , 石川真人 , ISHIKAWA, MASATO
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/458 , C23C16/52

89. 发明专利

TW201810381A 氣體供給裝置及氣體供給方法审中-公开
简体标题：气体供给设备及气体供给方法
公开(公告)号：TW201810381A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106123430
申请日：2017-07-13
申请人：日商昭和電工股份有限公司 , SHOWA DENKO K. K.
发明人：青木典 , AOKI, TAKANORI , 三神克己 , MIKAMI, KATSUMI
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/448
CPC分类号： C23C16/448 , F17C9/00
摘要：本發明之氣體供給裝置係為了將由液體化合物所汽化之氣體化合物供給至目標處為止之氣體供給裝置，其具有可收容前述液體化合物之儲藏容器、一端連接於前述儲藏容器，另一端可配置於前述目標處之氣體化合物供給配管、與將前述儲藏容器內之前述氣體化合物或液體化合物的溫度控制於前述氣體化合物供給配管之周圍的溫度以下之溫度控制裝置。
简体摘要：本发明之气体供给设备系为了将由液体化合物所汽化之气体化合物供给至目标处为止之气体供给设备，其具有可收容前述液体化合物之储藏容器、一端连接于前述储藏容器，另一端可配置于前述目标处之气体化合物供给配管、与将前述储藏容器内之前述气体化合物或液体化合物的温度控制于前述气体化合物供给配管之周围的温度以下之温度控制设备。

90. 发明专利

TWI615497B 金屬胺化物沉積前驅物及具有惰性安瓿襯裡之該前驅物的穩定化有权
简体标题：金属胺化物沉积前驱物及具有惰性安瓿衬里之该前驱物的稳定化
公开(公告)号：TWI615497B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW103104427
申请日：2014-02-11
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：柯奈普大衛 , KNAPP, DAVID , 湯普森大衛 , THOMPSON, DAVID
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/18
CPC分类号： H01L21/02175 , C23C16/34 , C23C16/4481 , C23C16/45536 , C23C16/45553 , H01L21/02183 , H01L21/02194

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